Da NEC le più veloci memorie MRAM

NEC annuncia lo sviluppo di memorie MRAM in grado di operare alla frequenza di 250MHz
di Andrea Bai pubblicata il 03 Dicembre 2007, alle 11:28 nel canale MemorieNEC Corporation ha recentemente annunciato lo sviluppo di un chip di memoria SRAM compatibile MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) in grado di operare alla frequenza di 250MHz, fino ad oggi la maggiore velocità raggiunta in ambito di operazioni MRAM.
Come già abbiamo avuto modo di illustrare in passato, le memorie MRAM presentano una serie di vantaggi rispetto agli altri tipi di memorie presenti sul mercato: minore consumo energetico, maggiore velocità di lettura/scrittura, più esteso ciclo di vita e la non-volatilità delle informazioni (i dati vengono mantenuti in assenza di corrente).
Il progetto della cella di memoria MRAM da 1 megabit è stato realizzato interamente da NEC. Abbinando alla cella di memoria due transistor, una giunzione magnetica ad effetto tunnel e un nuovo particolare tipo di circuiteria (non meglio precisato), è stato possibile raggiungere i 250MHz di frequenza operativa, che rappresenta il doppio di quanto ottenuto fino ad ora con le normali memorie MRAM e confrontabile con le più recenti soluzioni SRAM destinate ad impieghi LSI (large scale integration - elevata scala di integrazione) - embedded.
Fonte: NEC
15 Commenti
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2. in ipotetici bench, avrebbero prestazioni come le ddr3 1600 Mhz ?
Sarà interessante vedere il rapporto prezzo/prestazioni sul mercato, e la densità che raggiungeranno.
Sono curioso anche per le prestazioni, anche se non credo proprio che siano già ai livelli delle ddr3.
Sarà interessante vedere il rapporto prezzo/prestazioni sul mercato, e la densità che raggiungeranno.
Il problema è che non si parla di commercializzazione, chissà quando e dove le vedremo.
A parte questo, non sono a conoscenza di usi concreti, sembrerebbero destinate a sistemi embedded (che può voler dire tutto e niente: potremmo parlare di cache/ram aggiuntiva integrata on package in processori(ni) per usi particolari, come anche di palmari e di elettronica di consumo, ma si accennava anche all'integrazione di scala, quindi forse si pensa già anche ad usi pc). Non credo ci sarebbero particolari problemi ad aggiungere la circuiteria per creare moduli ddr3: in questo caso, data la frequenza di base a 250MHz, dovrebbero corrispondere alle ddr3 2000 come banda, ma con latenze decisamente inferiori!
Inoltre, hanno il vantaggio di essere non volatili e praticamente riscrivibili all'infinito, quindi potrebbero anche sostituire le nand flash nei solid state disk, con prestazioni ben superiori (in questo ambito è interessante anche la recente tecnologia nanoionica, che dovrebbe portare i primi frutti tra poco più di un anno - sulle mram si lavora da un po', forse è giunto il momento che vengano usate sul serio - poi, se non ricordo male, nel 2008 si dovrebbero avere i primi sample "seri" delle nram, non volatili e basate sui nanotibi di carbonio, con prestazioni da sram e scala di integrazione notevolissima: si parla di un limite teorico di un terabit/cm quadro...)
Le ddr in fondo sono delle semplici dram con la circuiteria adatta per accoppiare le celle in modo da leggere più bit contemporaneamente e trasmettere il segnale a frequenza multipla di quella del chip interno: in questo senso non sono diverse da delle sdram di pari frequenza (max 250Mhz) e con una interfaccia di trasmissione con più linee (ad esempio, delle ddr1 a 400Mhz effettivi (200 reali, all'interno) e 64bit possono corrispondere a delle sdram a 200Mhz reali e 128bit: è come se fosse una interfaccia ibrida seriale/parallela). Per questo non vedo troppi problemi ad usare queste memorie come base per un'interfaccia ddrx: avrebbero pari banda e latenze decisamente inferiori.
Con le flash, quanto a prestazioni, non c'è storia, il problema possono essere i costi. A me piacerebbe, poi, vedere una migrazione generale verso il soi, così da poter utilizzare le zram al posto delle dram come memoria volatile (si avrebbero costi minori - 1 transistor contro 2 per cella - e prestazioni superiori), ma anche in accoppiamento a questa tecnologia, se possibile: per aumentare la frequenza, nec ha aggiunto dei transistor, quindi immagino che con la zram si possa ridurre il numero di questi transistor (al limite, creando soluzioni ibride: le celle a singolo transistor per l'uso "attivo" e la componente magnetica per la memorizzazione permanente). Secondo me nei prossimi anni ne vedremo delle belle (sperando di non aspettarne troppi).
Eh ma a parte che come ben dici le ZRAM sono volatili, mentre le MRAM no, se ho capito bene l'effetto che consente l'esistenza delle ZRAM si presenta sulla tecnologia SOI dai 45nm in giù.
Non è che ci siano molte fonderie in grado di produrre con SOI a 45nm, eh... Al massimo si vocifera che AMD intenda usare le ZRAM come cache per i suoi processori a 45nm.
Le MRAM mi sembrano in una posizione strana: veloci e non volatili, ma certamente più difficili da integrare (molti più transistor rispetto a una flash)
(se ho detto castronerie correggetemi)
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