Tre nuove compagnie nel CellularRAM Work Group

Hynix, NanoAmp e Winbond entrano nel gruppo di lavoro per lo sviluppo di memorie da impiegare nei cellulari di terza generazione
di Andrea Bai pubblicata il 30 Agosto 2005, alle 13:54 nel canale MemorieIl CellularRAM work group, un gruppo creato nel 2002 da Cypress Semiconductor Corporation, Infineon Technologies AG e Micron Technology per lo sviluppo di un nuovo tipo di memoria PSRAM (pseudo static RAM) da impiegare nei cellulari 2,5G e 3G, ha annunciato l'ingresso di tre nuove compagnie nel gruppo di lavoro. Si tratta di Hynix Semiconductor, NanoAmp Solutions e Winbond Electronics Corporation.
Questo il commento del CellularRAM work group: "Accogliamo con piacere Hynix, NanoAmp e Winbond nel gruppo CellularRAM e guardiamo avanti verso la loro diretta collaborazione e il loro contributo nel gruppo. Grazie alla partecipazione di queste compagnie, potremo rafforzare i nostri obiettivi per fornire ai consumatori una soluzione standard che risponda a requisiti di basso consumo ed alte prestazioni".
Il CellularRAM work group ha sviluppato tre generazioni di specifiche per dispositvi con elevata larghezza di banda in densità da 16Mbit a 256Mbit. Attualmente il gruppo è al lavoro per approntare una quarta generazione di specifiche per incrementare ulteriormente le possibilità di utilizzo dei prodotti basati sull'architettura CellularRAM. I chip CellularRAM a 32Mbit attualmente esistenti sono in grado di operare ad una frequenza di 104MHz con una latenza di 70ns e possono raggiungere 208 MB al secondo di picco di bandwidth.
Fonte: Xbitlabs
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