Wafer da 450 millimetri per il 2012

Intel, Samsung e TSMC hanno raggiunto un accordo per lo sviluppo della nuova tecnologia di produzione dei wafer, attesa al debutto non prima dell'anno 2012.

Parliamo dei wafer a 450 millimetri di diametro, con i quali quindi verrà introdotto un incremento del 50% del diametro rispetto a quelli da 300 millimetri adottati per la produzione delle varie tipologie di chip. I wafer sono quei piatti dai quali vengono ricavati i vari chip, prodotti nelle fonderie: con un diametro maggiore dei wafer è possibile ottenere, a parità di tecnologia produttiva, un magior numero di chip.

Con un wafer da 450 millimetri di diametro è possibile avere a disposizione una superficie utile per la produzione più che doppia rispetto a quella dei wafer da 300 millimetri; a fronte di un costo produttivo unitario superiore per i primi wafer si ottiene una riduzione complessiva del costo per singolo chip.

La superiore superficie dei wafer permette inoltre di ottenere una più efficace gestione dei vari materiali, acqua in primo luogo, necessari per la produzione dei chip. Questo ha ovviamente una diretta ripercussione in termini di inferiori costi produttivi complessivi per le fonderie.

L'accordo tra Samsung, Intel e TSMC permetterà di standardizzare le procedure per la migrazione ai wafer da 450 millimetri di diametro, portando ad una ulteriore riduzione dei costi di produzione complessivi per tutte le aziende produttrici di semiconduttori. Il paassaggio a wafer da 450 millimetri di diametro avverrà circa 10 anni dopo la prima introduzione, da parte di Intel, di wafer da 300 millimetri di diametro; quelli da 200 millimetri sono stati inizialmente introdotti attorno all'anno 1991.