Samsung: con la V-NAND di nona generazione tutto pronto per gli SSD PCIe 5.0

Samsung ha annunciato l'avvio della produzione in volumi della memoria V-NAND di nona generazione di tipo TLC. Caratterizzata da una densità da 1 terabit (Tb), la nuova memoria è il 50% più densa rispetto alla generazione precedente.

La casa sudcoreana ha applicato alcune innovazioni per prevenire le interferenze tra le celle ed estenderne la durata di vita, inoltre è riuscita a ridurre l'area planare andando a eliminare i cosiddetti "dummy channel hole".

Non solo, la tecnologia "channel hole etching" crea percorsi per gli elettroni impilando i "mold layer" e massimizzando la produttività in quanto consente la perforazione simultanea degli strati di celle in una struttura a doppio stack. "Con l'aumento del numero di layer, la capacità di perforarne un maggior numero diventa essenziale, richiedendo tecniche di incisione più sofisticate", ha spiegato Samsung.

La V-NAND di 9a generazione è dotata di interfaccia "Toggle 5.1" che supporta velocità di I/O del 33% superiori, fino 3,2 Gbps. "Oltre a questa nuova interfaccia, Samsung intende consolidare la propria posizione nel mercato delle unità SSD ad alte prestazioni ampliando il supporto per il PCIe 5.0", si legge nel comunicato stampa, da cui si può dedurre che presto vedremo l'arrivo di SSD di nuova generazione, anche consumer.

Oltre alle caratteristiche di velocità e densità, Samsung afferma di aver migliorato il consumo energetico del 10% rispetto alla generazione precedente. L'avvio della produzione di massa della V-NAND di 9a generazione TLC da 1 Tb questo mese è solo un primo passo: nella seconda metà dell'anno toccherà a quella di tipo QLC.