Stipulato accordo tra ProMOS e Hynix

Le due compagnie hanno siglato un accordo di reciproca collaborazione. ProMOS intanto inaugura il nuovo stabilimento per produzione di wafer 12 inch
di Andrea Bai pubblicata il 09 Aprile 2004, alle 14:06 nel canale Schede Madri e chipsetLa taiwanese ProMOS Technologies siglerà un contratto con la sudcoreana Hynix Semiconductor nei prossimi mesi, per rafforzare la relazione avviata nel mese di dicembre quando le due compagnie hanno siglato una dichiarazione di intenti.
L'annuncio dell'accordo è stato effettuato ieri in occasione della cerimonia d'apertura della seconda fabbrica 12-inch in Central Taiwan Science Park a Taichung. Lo stabilimento è pensato per una produzione mensile massima di 50.000 wafer da 12 inch e sarà utilizzato per produrre 5000 wafer al mese a partire dalla fine del 2005.
ProMOS dedicherà alcune risorse della nuova fabbrica ad Hynix, ricevendo in cambio knowledge tecnico per tecnologia DRAM stack a 90 nanometri. Le compagnie hanno lasciato spazio nella dichiarazione di intenti per futuri e non definiti "progetti di mutuo beneficio". I termini del nuovo accordo devono ancora essere definiti, ha dichiarato il presisente di Hynix Eui-jei Woo, che non ha rilasciato ulteriori dettagli.
ProMOS ha inoltre intenzione di aggiornare l'esistente stabilimento 8 inch e portarlo alla produzione a 12 inch nei prossimi tre anni.
La compagnia avvierà presto le operazioni per la realizzazione di una fabbrica 8 inch in Cina. ProMOS utilizzerà gli equipaggiamenti dell'attuale stabilimento a 8 inch e investirà 10,8 miliardi di dollari taiwanesi nella futura fabbrica Cinese che sarà realizzata a Shanghai.
Fonte: Digitimes
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