Due nuove tecnologie da Elpida

Due nuove tecnologie da Elpida

Elpida presenta due nuove tecnologie in grado di incrementare le prestazioni dei moduli di memoria DRAM

di pubblicata il , alle 10:46 nel canale Schede Madri e chipset
 

Elpida Memory, in occasione del Symposium on VLSI Circuits, ha presentato un documento tecnico circa due nuove tecnologie per incrementare le prestazioni delle memorie DRAM. Il Symposium è una conferenza internazionale sui circuiti integrati tenutasi nei primi giorni del mese di giugno.

La prima tecnologia, sviluppata in collaborazione con Hitachi, comprende array di memoria ad alta velocità che utilizzano due celle di memoria per bit, chiamate "twin-cell memory", assieme ad un metodo di amplificazione dati ad alta velocità chiamato "three-stage-sensing". E' stato prodotto un prototipo a 144Mb basato su queste tecnologie e realizzato tramite il processo produttivo a 0.11 micron di Elpida. Il prototipo ha potuto raggiungere interessanti livelli prestazionali con tempo di accesso random paragonabile alle veloci memorie SRAM.

La seconda tecnologia sviluppata è una tecnica di circuitazione per i dispositivi DRAM a 1Gb in grado di supportare DDR1 e DDR2 su un singolo chip, combinando l'alta velocità con l'alta efficienza del layout. La tecnologia, incorporata nella produzione di massa dei chip da 1Gb, permette di ottenere data rate di 400MHz per DDR1 e di 800MHz per DDR2, rendendo possibile l'offerta di memoria ad alta velocità per sistemi server e per PC desktop di fascia alta.

Fonte: Xbitlabs

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8 Commenti
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ErPazzo7429 Giugno 2004, 11:08 #1
Notevole solo che nn capisco come fai si ottengano datarate di soli 400Mhz x le DDR e 800Mhz x le DDR2.
Eppoi addirittura mi sembra 1 po' ottimistica confrontare i tempi delle DRAM con le SRAM, spero sia vero.
Mezzelfo29 Giugno 2004, 12:00 #2
Cosa sono le SRAM?
-=DennyX=-29 Giugno 2004, 12:57 #3
Memorie statiche, ovvero quelle usate nella cache dei processori. Non hanno bisogno di refresh, come le memorie dinamiche, e hanno un tempo di latenza praticamente nullo. Lo svantaggio è che ogni cella di memoria sram deve usare parecchi componenti, quindi si tratta di memorie a bassa densità e dal costo molto elevato (ecco perchè un processore "umano" ne ha al massimo 1mb )
Dreadnought29 Giugno 2004, 14:07 #4
Le ddr2 arrivano a 800MHz rispetto ai 400 delle ddr1 perchè vanno a 1.8V invece che a 2.5V e scaldano la metà.
TripleX29 Giugno 2004, 14:53 #5
scusa se te lo dico ma la tua spiegazione sul come vadano piu' veloci le ddr2 fa piu' acqua di quando noe' dovette salire sull'arca i suoi animaletti
ichnusa8229 Giugno 2004, 15:56 #6
confermo che la spiegazione e' un po' annacquata, per quanto riguarda le static ram il rapporto con le dram per il numero di transistor necessari per 1 bit di informazione e' di 6:1, la differente velocita' sta nel fatto che le dram devono caricare e scaricare un condensatore ad ogni lettura il che, per correnti non infinite, impiega il suo bel tempo. Per accorciarlo una via e' ridurre la capacita' del condensatore ma cosi' facendo bisogna avere degli amplificatori di segnale molto + sensibili come appunto viene detto nell'articolo di sopra "three-stage-sensing"
cdimauro29 Giugno 2004, 22:00 #7
Se non ricordo male c'è anche una configurazione con 4 transistor per ogni cella di memoria statica.
xeal29 Giugno 2004, 23:29 #8
Ricordavo che il compito del condensatore nelle celle di dram era assolto in realtà da un transistor (in ogni caso tecnologia cmos) e con qualche "magia" ci si riconduceva ad un condensatore equivalente esterno.

Comunque, mi pare di aver capito che in queste ram c'è il doppio dei transistor, visto che usano due celle per ogni bit. Probabilmente i tempi di refresh delle celle gemelle saranno "sfasati" per dimezzare le latenze di accesso.
Ciao

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