Samsung avvia la produzione di memorie Flex-OneNAND a 40nm

Samsung Electronics ha avviato la produzione dei chip Flex-OneNAND da 8Gb, una particolare soluzione proprietara che permette di implementare in un singolo chip le tecnologie Single-Level Cell e Multi-Level Cell impiegando il processo produttivo a 40nm.

Jim Elliot, vicepresidente del comparto memorie per Samsung Semiconductor, ha dichiarato: "Le memorie Flex-OneNAND a 40nm sono un importante passo avanti nel settore che permette di offrire un approccio unico e conveniente alla selezione di memorie, permettendo al contempo ai progettisti di avere tutta la flessibilità necessaria per la realizzazione delle proprie soluzioni".

Samsung ha dichiarato che l'adozione della tecnologia a 40 nanometri le permette di ottenere un incremento di produttività nell'ordine del 180% rispetto a quanto raggiunto con la precedente generazione di chip Flex-OneNAND da 4Gb e realizzati a 60nm. Gli ambiti di applicazione delle memorie Flex-OneNAND spaziano dai telefoni cellulari evoluti, a televisori ad alta definizione, soluzioni IPTV

La tecnologia Flex-OneNAND è stata sviluppata nel corso del 2007 ed ha permesso di integrare in un singolo pezzo di silicio le memorie NAND di tipo SLC e MLC, permettendo così ai progettisti di scegliere quale porzione utilizzare a seconda dell'impiego del chip, semplicemente con piccole modifiche nel software di gestione del dispositivo.