Memorie PRAM, la futura alternativa ai chip Flash

IBM, Matronix e Qimonda hanno sviluppato una nuova tipologia di memoria PRAM, o Phase-change Random Access Memory, che potrebbe porre nuovi livelli di velocità rispetto alle tradizionali memorie flash attualmente in commercio.

Questa tecnologia permetterebbe infatti di avere a disposizione memorie sino a 500 volte più veloci di quelle Flash, con un consumo complessivamente pari alla metà. In occasione dell'International Electron Devices Meeting, evento che si sta svolgendo in questi giorni a San Francisco, le 3 aziende hanno mostrato le caratteristiche tecniche di questa tecnologia, delineandone gli sviluppi futuri che potranno portare alla produzione dei primi prodotti.

Le caratteristiche tecniche delle memorie PRAM sono simili a quelle delle soluzioni Flash, in quanto anche queste sono di tipo non volatile mantenendo i dati al loro interno anche nel momento in cui viene a mancare l'alimentazione. Stando a quanto anticipato dalle 3 aziende sviluppatrici, le memorie PRAM possono essere scritte e riscritte un numero infinito di volte, al contrario delle soluzioni Flash. Queste memorie dovrebbero venir sviluppate utilizzando tecnologia produttiva a 20 nanometri, la cui adozione è attesa solo tra vari anni. Al momento attuale l'adozione di questa tecnologia produttiva è attesa attorno al 2015.

Hardware Upgrade ha già parlato di questa tecnologia in un recente focus, consultabile a questo indirizzo. Riassumiamo in breve il concetto di funzionamento su cui si basa la tecnologia. Il materiale scelto per l'archiviazione dell'informazione è di tipo cristallino, una lega di Germanio e Antimonio che, opportunamente portato ad una temperatura adeguata, cambia di fase.

La natura dei materiali vetrosi non porta però alla liquefazione immediata una volta superata di poco la temperatura di fusione, ma ad un "ammorbidimento", quanto basta per far mutare il comportamento degli atomi presenti nel materiale e avere così un materiale sfruttabile per avere in pochissimo tempo un substrato di memorizzazione. Il successivo raffreddamento, che potrà essere lento (10 ns!) o immediato, potrà fissare l'informazione o rendere il substrato adatto ad un nuovo processo di archiviazione.

Sul sito IBM è possibile scaricare un filmato, a dire il vero un po' criptico, sul processo appena menzionato. E' possibile scaricare un filmato in formato .AVI da 50 MB a questo indirizzo.

Samsung ha annunciato di voler avviare la produzione di memorie PRAM già dal 2008; in questo caso la tecnologia produttiva adottata non sarà quella a 20 nanometri, ma presumibilmente quella a 45 nanometri se non addirittura a 65 nanometri. Negli scorsi mesi Samsung ha mostrato un proprio prototipo di memoria PRAM, capace di una velocità di 30 volte superiore rispetto a quella delle soluzioni Flash.

Ulteriori informazioni sono disponibili a questo indirizzo.