TSMC ha una Fab per i 3 nanometri. Operativa dalla seconda metà del 2022

La taiwanese TSMC corre veloce e nelle scorse ore ha tenuto una cerimonia per inaugurare un impianto produttivo nel Southern Taiwan Science Park vicino a Tainan. L'impianto inizierà a produrre chip in volumi con il processo produttivo a 3 nanometri, chiamato N3, a partire dalla seconda metà del 2022.

La costruzione della fabbrica è iniziata nell'ottobre dello scorso anno e nei mesi a venire saranno installati i macchinari e tutto ciò che serve alla produzione di chip. Si stima che l'investimento, nel suo complesso, ammonti a circa 19,5 miliardi di dollari.

Durante la cerimonia, il presidente di TSMC Mark Liu, ha pronosticato una produzione di circa 55 mila wafer da 300 mm al mese di chip a 3 nanometri. All'interno del Southern Taiwan Science Park trovano già spazio la Fab 14 e la Fab 18 (ancora non del tutto ultimata), per un totale di 15 mila persone impiegate. Il numero dovrebbe salire a circa 20.000 quando l'impianto a 3 nanometri entrerà in funzione.

Il processo produttivo N3 di TSMC si baserà ancora su transistor FinFET e sarà applicato sia all'ambito mobile che ad applicazioni ad alte prestazioni. Stando a quanto dichiarato sinora, il processo N3 garantirà un miglioramento prestazionale dal 10% al 15% rispetto ai 5 nanometri (N5) con lo stesso livello di consumo, oppure una riduzione della richiesta energetica del 25-30% mantenendo le medesime prestazioni. TSMC promette inoltre un aumento del 70% della densità logica, anche se la miniaturizzazione aggressiva non riguarderà tutte le strutture (SRAM, strutture analogiche, ecc.). Si prevede inoltre un uso maggiore della litografia all'ultravioletto estremo (EUV), fino a 20 layer.

L'azienda taiwanese sta comunque facendo ampia ricerca e sviluppo sul processo produttivo a 2 nanometri e ha già pianificato la realizzazione di un impianto dedicato. Si vocifera che proprio con i 2 nanometri TSMC adotterà una struttura dei transistor chiamata gate-all-around (GAAFET), migliore sotto tutti gli aspetti rispetto a quella FinFET, seguendo la stessa strada che la sudcoreana Samsung imboccherà con i 3 nanometri.