ARM, positivi i 14 nanometri ma sempre più sfide all'orizzonte

Le tecnologie di processo FinFET a 14 nanometri attualmente in fase di sviluppo presso Samsung Electronics saranno utilizzate nel futuro per la produzione di chip e SoC su base architetturale ARM. L'azienda britannica è convinta che le nuove tecnologie FinFET a 14nm permetteranno di ottenere sia l'incremento prestazionale nelle sessioni ad alto carico di lavoro, sia la riduzione dei consumi energetici nelle fasi di idle. Tuttavia, avverte ARM, lo sviluppo di logiche per i processi produttivi di queste dimensioni pone alcune sfide dinnanzi ai progettisti.

Ron Moore, responsabile Strategic Accounts Marketing per la divisione Physiscal IP di ARM ha dichiarato: "I partner ARM progettano i loro SoC con un sistema dinamico di scaling di tensione e frequenza per ottenere prestazioni di picco quando necessario ed efficienza energetica per i compiti a basso carico di lavoro. La tensione operativa nominale più bassa per il processo FinFET a 14 nanometri amplia la gamma di tensione in condizioni di underdrive e overdrive. In un sistema di computazione ARM Big.Little possiamo ottenere maggiori prestazioni ad un capo della gamma ed una maggiore efficienza al capo opposto".

Precedentemente nel corso dell'anno ARM ha affermato che le moderne tecnologie di produzione consentiranno progettisti di realizzare processori multicore da 16 o 32 core. La disponibilità di un così elevato numero di elementi di processazione permetterà di raggiungere nuove vette prestazionali e di realizzare dispositivi ancor più sofisticati e dalle maggiori capacità, aprendo la porta a nuovi campi applicativi.

Moore osserva però che per riuscire a sviluppare chip molto complessi sulle tecnologie produttive d'avanguardia è necessario che i progettisti dispongano di strumenti di progettazione sofisticati. "Nei SoC di oggi i progettisti impiegano flussi EDA (Electronic Design Automation) automatizzati per implementare una vasta gamma di tecniche di basso consumo come clock gating, power gating, multi-Vt, multi-VDD e scaling adattivo nella forma di Dinamic Voltage Frequency Scaling o Adaptive Voltage Scaling. Muovendoci verso la realizzazione di tecnologia ARM sul processo FinFET a 14nm abbiamo la necessità di assicurare che sia possibile ottenere l'efficienza energetica con queste tecniche o con nuove metodologie. Allo stesso tempo siamo però ben consci delle pressioni time to market che hanno creato l'esigenza di una più rapida evoluzione dei core ARM" ha commentato Moore.

Le sfide dinnanzi ai progettisti continueranno a crescere con il settore che si muove sempre di più verso geometrie più piccole, verso nuove strutture di transistor, nuovi materiali e nuove tecniche di litografia. Crescono di conseguenza gli investimenti nelle attività di ricerca e sviluppo necessarie per concretizzare queste tecnologie e vi sarà una sempre più fitta collaborazione nel settore per poter spingere lo sviluppo e la diffusione di tecnologie e metodi di produzione economicamente convenienti.