[Thread Ufficiale] CPU serie FX: AMD Bulldozer/Piledriver - Aspettando Steamroller

[davo30]

In ogni caso AMD ha dichiarato che per Zen utilizzerà un pp finfet, non dicendo però quale.
Bisogna poi vedere quanto è attendibile questa dichiarazione, per cui non è detto che questi 22nm saranno proprio quelli su cui svilupperanno Zen. Anche perche all'attuale i 14FF di GF non parrebbero adatti a chip ad alte prestazioni e TDP.
Oltretutto GF li descrive cosi: "22nm Fully-Depleted Silicon-On-Insulator (FD-SOI) technology that delivers FinFET-like performance and energy-efficiency at a cost comparable to 28nm planar technologies."

[Chris70]

Originariamente inviato da isomen

Finchè rimani stabile é sempre meglio un vcore più basso, chiaramente uno 0,006 incide poco che sia in meno che in più... quindi é inutile sbattersi per così poco.

ciauz

Ok, grazie...
Chiedo un'altra cosa forse un pò O.T.
Il mio sistema monta 16gb di ram (4x4 1866 2 marche diverse). La scheda madre le vede a 1333, con 8350 le mettevo tranquillame a 1866 e anche a 2133 senza cambiare voltaggio memorie. Ora ho cambiato solo cpu, ma se imposto le memorie sopra 1600 e riavvio mi esce "overclock failed". Ieri ho provato a mettere volt a 1.65 (auto in default) ma stesso problema...
Questo ora che ho fatto i vari downvolt, non se con il mega voltaggio della cpu di defaut, le cosa andrebbero meglio...
P.s.: con 8350 da bios non ho mai cambiato voltaggio cpu e toccato le voci sotto DIGI...

[isomen]

Originariamente inviato da Chris70

Ok, grazie...
Chiedo un'altra cosa forse un pò O.T.
Il mio sistema monta 16gb di ram (4x4 1866 2 marche diverse). La scheda madre le vede a 1333, con 8350 le mettevo tranquillame a 1866 e anche a 2133 senza cambiare voltaggio memorie. Ora ho cambiato solo cpu, ma se imposto le memorie sopra 1600 e riavvio mi esce "overclock failed". Ieri ho provato a mettere volt a 1.65 (auto in default) ma stesso problema...
Questo ora che ho fatto i vari downvolt, non se con il mega voltaggio della cpu di defaut, le cosa andrebbero meglio...
P.s.: con 8350 da bios non ho mai cambiato voltaggio cpu e toccato le voci sotto DIGI...

OT nn direi, riguarda il memory controller dell'FX,
secondo me sopra 1866 nn ti merita andare... ma per riportare la frequenza ram a questo valore quasi sicuramente dovrai "ritoccare" il voltaggio del cpu/nb e probabilmente anche vdimm e vcore... ma escludo che tu debba tornare ai valori di prima del vcore (il cpu/nb generalmente intorno 1,25 va bene, mentre il vdimm per ram a 1,5 può essere necessario anche di 0,1 superiore al valore di targa, per quelle a 1,65 al massimo 0,02/3).

ciauz

[Mister D]

Originariamente inviato da Ren

Non è un ibrido con backend riciclato, ma semplicemente il processo 22nm di IBM con l'aggiunta del FD-SOI.

Hanno riesumato il processo di IBM, perchè non necessita del double patterning ed offre già di per se prestazioni superiori al 28nm TSMC.

L'aggiunta del FD-SOI non incede nei costi come il double patterning, inoltre è un processo HP con una buona densità, quindi adatto anche per i SOC.

Veramente lo dice la stessa GF:
"A parlare è stato Gerd Teepe, Director and Design Engineering presso GlobalFoundries.
....
“We are developing 22nm FD-SOI process technology right now. We are using STMicroelectronics’ 14nm FD-SOI in our frontend, while using 28nm FD-SOI in the backend”.
"
http://www.bitsandchips.it/enterpris...-quello-a-22nm

Stamattina non ho linkato la fonte però avevo scritto dove avevo letto la news

[Chris70]

Originariamente inviato da isomen

OT nn direi, riguarda il memory controller dell'FX,
secondo me sopra 1866 nn ti merita andare... ma per riportare la frequenza ram a questo valore quasi sicuramente dovrai "ritoccare" il voltaggio del cpu/nb e probabilmente anche vdimm e vcore... ma escludo che tu debba tornare ai valori di prima del vcore (il cpu/nb generalmente intorno 1,25 va bene, mentre il vdimm per ram a 1,5 può essere necessario anche di 0,1 superiore al valore di targa, per quelle a 1,65 al massimo 0,02/3).

ciauz

Se ho capito bene mi stai dicendo che per le ram forse sono sceso un pò troppo con i voltaggi?
Ora da bios mi parte a 4300 cpu/nb a 1.225 vcore a 1.29375.
Il dram voltage è su auto, vdimm devo vedere, grazie...

[Mister D]

Originariamente inviato da paolo.oliva2

Volevo chiederti una cosa:
È esatto ipotizzare che GF possa anche utilizzare la catena 22nm SOI del Power8 per AMD? Non voglio dire che produrrebbe domani, ma che se ciò fosse fattibile ma è stato escluso, vorrebbe dire che realmente AMD avrebbe alternative e nel contempo valide.

Il power8 arriva a 5GHz come click massimo, integra IVRs per il controllo del Vcore per selezionare il TDP finale (simile a Intel e AMD).

Quello che non capisco, èse proprio non mi becco un tapiro)

POWER8 comes in 4-, 6-, 8-, 10- and 12-core variants;[14][15] each version is fabricated in a 22 nm silicon on insulator (SOI) process using 15 metal layers. The 12-core version consists of 4.2 billion transistors[16] and is 650 mm2 large while the 6-core version is only 362 mm2 large.

Quel "coso" integra 4200 miliardi di transistor in 650mm2, un 8350 ne ha 1,2 miliardi in 315mm2. Se per layer sono le facce, in teoria praticamente averne 15 ridurrebbe della stessa misura la superficie del die ma anche così un 8350 avrebbe 1,2 miliardi di transistor x 15 facce = 18 miliardi, sempre anni luce da 4200 miliardi.
Per fare un esempio, da un wafer 300mm ci scappano al max 224 proci (r*r*pi=70685mm2 /315mm2 (die 8350) = 224) per un totale di 270miliardi di transistor scarsi... Anche se moltiplicarssimo per 15 facce, arriveremo a 4039 miliardi di transistor.. Cioè, manco l'intero wafer a 32nm SOI basterebbe a contenere tutti i transistor di un power8 da 650mm2 sul 22nm? Dove sto sbagliando?
E poi... Ma che cacchio di dissipazione ha per smaltire tutta quella concentrazione di TDP?

Ti rispondo come posso non essendo un super esperto ma semplicemente un appassionato che legge molto
Alla prima domanda bisognerebbe chiedere direttamente a GF se conviene, cioè è fattibile, sviluppare e produrre una variante del 22 ET-SOI utilizzato per cpu RISC, per cpu X86. Tutto dipende da quanto gli costa e quanto vuole guadagnarci e se per amd stessa è remunerativo utilizzare questo processo SOI che è ancora planare. Purtroppo non ho altre informazioni. Lo sviluppo congiunto con IBM lo continuerà sicuramente ma che sviluppi una variante per le cpu di amd è tutta un'altra storia.
Per i layer non sono altro che gli strati di metalizzazione utilizzati per costruire il tuo chip. Più ne metti, più puoi impilare transistor e quindi renderlo più denso. A ragionamento la vedo così. Però non capisco come fai a dire che con un wafer da 300 mm di diametro non puoi produrre die con 650 mm quadrati. Basta che fai 70685/650 e ottieni il numero di die di power8 in massima configurazione core. Sbagli perché il numero di transistor di una cpu è dato dalla grandezza degli stessi (e quindi i transistor di un 22 saranno più piccoli di un 32 e quindi a a parità di superficie ce ne saranno di più) e dal numero di metalizzazioni utilizzate. L'unica cosa che puoi dire è che il processo produttivo utilizzata da IBM è dannatamente più denso del 32 SOI. Ma penso che le pipe di una cpu risc (che poi una cpu risc attuale converge a quella cisc aka x86) sia più semplice come desing e forse per questo ce ne riescono a far stare di più. Blindwrite può essere sicuramente più preciso di me e correggermi se ho detto delle castronerie visto che lui lavora proprio sui pp.

[Ren]

Originariamente inviato da Mister D

Veramente lo dice la stessa GF:
"A parlare è stato Gerd Teepe, Director and Design Engineering presso GlobalFoundries.
....
“We are developing 22nm FD-SOI process technology right now. We are using STMicroelectronics’ 14nm FD-SOI in our frontend, while using 28nm FD-SOI in the backend”.
"
http://www.bitsandchips.it/enterpris...-quello-a-22nm

Stamattina non ho linkato la fonte però avevo scritto dove avevo letto la news

Tieni si smentiscono da soli (guarda la data)

http://www.bitsandchips.it/enterpris...dx-22nm-fd-soi

Non avrebbe senso sviluppare un processo a 14nm sul frontend, quando hai già in casa un 14nm completo di tutto, inoltre risparmieresti poco in termini di costo.

La furbata sta proprio nell'evitare finfet e double patterning in favore del FDSOI...

[el-mejo]

Originariamente inviato da paolo.oliva2

Volevo chiederti una cosa:
È esatto ipotizzare che GF possa anche utilizzare la catena 22nm SOI del Power8 per AMD? Non voglio dire che produrrebbe domani, ma che se ciò fosse fattibile ma è stato escluso, vorrebbe dire che realmente AMD avrebbe alternative e nel contempo valide.

Il power8 arriva a 5GHz come click massimo, integra IVRs per il controllo del Vcore per selezionare il TDP finale (simile a Intel e AMD).

Quello che non capisco, èse proprio non mi becco un tapiro)

POWER8 comes in 4-, 6-, 8-, 10- and 12-core variants;[14][15] each version is fabricated in a 22 nm silicon on insulator (SOI) process using 15 metal layers. The 12-core version consists of 4.2 billion transistors[16] and is 650 mm2 large while the 6-core version is only 362 mm2 large.

Quel "coso" integra 4200 miliardi di transistor in 650mm2, un 8350 ne ha 1,2 miliardi in 315mm2. Se per layer sono le facce, in teoria praticamente averne 15 ridurrebbe della stessa misura la superficie del die ma anche così un 8350 avrebbe 1,2 miliardi di transistor x 15 facce = 18 miliardi, sempre anni luce da 4200 miliardi.
Per fare un esempio, da un wafer 300mm ci scappano al max 224 proci (r*r*pi=70685mm2 /315mm2 (die 8350) = 224) per un totale di 270miliardi di transistor scarsi... Anche se moltiplicarssimo per 15 facce, arriveremo a 4039 miliardi di transistor.. Cioè, manco l'intero wafer a 32nm SOI basterebbe a contenere tutti i transistor di un power8 da 650mm2 sul 22nm? Dove sto sbagliando?
E poi... Ma che cacchio di dissipazione ha per smaltire tutta quella concentrazione di TDP?

https://en.wikipedia.org/wiki/Billion

Ovviamente si parla di 4.2 miliardi di transistor, sennò Intel, Amd e Arm possono tutti chiudere baracca e GG

[dav1deser]

Originariamente inviato da Mister D

Ti rispondo come posso non essendo un super esperto ma semplicemente un appassionato che legge molto
Alla prima domanda bisognerebbe chiedere direttamente a GF se conviene, cioè è fattibile, sviluppare e produrre una variante del 22 ET-SOI utilizzato per cpu RISC, per cpu X86. Tutto dipende da quanto gli costa e quanto vuole guadagnarci e se per amd stessa è remunerativo utilizzare questo processo SOI che è ancora planare. Purtroppo non ho altre informazioni. Lo sviluppo congiunto con IBM lo continuerà sicuramente ma che sviluppi una variante per le cpu di amd è tutta un'altra storia.
Per i layer non sono altro che gli strati di metalizzazione utilizzati per costruire il tuo chip. Più ne metti, più puoi impilare transistor e quindi renderlo più denso. A ragionamento la vedo così. Però non capisco come fai a dire che con un wafer da 300 mm di diametro non puoi produrre die con 650 mm quadrati. Basta che fai 70685/650 e ottieni il numero di die di power8 in massima configurazione core. Sbagli perché il numero di transistor di una cpu è dato dalla grandezza degli stessi (e quindi i transistor di un 22 saranno più piccoli di un 32 e quindi a a parità di superficie ce ne saranno di più) e dal numero di metalizzazioni utilizzate. L'unica cosa che puoi dire è che il processo produttivo utilizzata da IBM è dannatamente più denso del 32 SOI. Ma penso che le pipe di una cpu risc (che poi una cpu risc attuale converge a quella cisc aka x86) sia più semplice come desing e forse per questo ce ne riescono a far stare di più. Blindwrite può essere sicuramente più preciso di me e correggermi se ho detto delle castronerie visto che lui lavora proprio sui pp.

Attenzione i layer metallici non servono a impilare transistor, nei processi produttivi per CPU attualmente i transistor sono disposti su di un solo piano, è per chip più semplici come le memorie NAND che è possibile impilare più chip uno sull'altro per aumentare la densità di transistor:



Ma qui stai impilando veri e propri chip di silicio uno sull'altro.

Gli strati di metallizzazione non sono nient'altro che i collegamenti elettrici fra i vari transistor. Averne di più o di meno è solo questione di cercare l'ottimo fra minore leakage (più layer), minore costo di produzione (meno maschere, meno passaggi => meno layer).

Comunque

Power8: 4500M transistor / 650mm2 = 6,9M transistor/mm2
FX: 1200M transistor / 315mm2 = 3,8M transistor/mm2
Power8 vs FX = 6,9/3,8 = 1,82 = +82% di densità
32nm vs 22nm = 32^2/22^2 = 2,11 = +111% di densità

Quindi non è che siamo così lontani dalla densità teorica di un 22nm vs 32nm.

[isomen]

Originariamente inviato da Chris70

Se ho capito bene mi stai dicendo che per le ram forse sono sceso un pò troppo con i voltaggi?
Ora da bios mi parte a 4300 cpu/nb a 1.225 vcore a 1.29375.
Il dram voltage è su auto, vdimm devo vedere, grazie...

Di sicuro nn c'é niente, ma secondo me, prima di ritoccare il vcore (ma nn é detto che soprattutto se devi alzare il cpu/nb tu nn debba rialzarlo leggermente) proverei ad alzare un po' il vdimm (soprattutto se le tue ram l'hanno a 1,5v) e visto che hai provato anche con vdimm a 1,65 senza risultati, proverei ad alzare contemporaneamente anche il cpu/nb a 1,25/1,275 (ma questa operazione potrebbe costringerti a rialzare leggermente il vcore)

PS
un'altra strada sarebbe ripartire dai voltaggi default con ram a 1866 e vedere se trovi la stabilità, per poi ricominciare ad abbassarli... ma dovresti rifare tutto il lavoro

ciauz

[Mister D]

Originariamente inviato da Ren

Tieni si smentiscono da soli (guarda la data)

http://www.bitsandchips.it/enterpris...dx-22nm-fd-soi

Non avrebbe senso sviluppare un processo a 14nm sul frontend, quando hai già in casa un 14nm completo di tutto, inoltre risparmieresti poco in termini di costo.

La furbata sta proprio nell'evitare finfet e double patterning in favore del FDSOI...

Ciao,
l'avevo già letto quell'articolo ma non contraddice da nessuna parte quello detto dal direttore ingegneristico e di desing di GF. Quelle sono parole testuali. Perché avrebbe dovuto sparare una cavolata del genere?
Guarda questo video che si trova linkato sulla pagina di GF:
http://www.chipestimate.com/videos.p...SOI+Technology
Al minuto 13:20 fanno vedere una slide in cui dichiarano che nelle loro 4 versioni non c'è una versione per l'HP (e lo scrivono pure nella pagina del loro sito).
Poi sempre nel video e qui:
http://globalfoundries.com/docs/defa....pdf?sfvrsn=10
fanno vedere l'uso della tecnologia FBB per un maggiore controllo della potenza, delle prestazioni e del leakage e guarda caso è pari pari il disegno e la tecnologia di ST:
http://www.st.com/web/en/about_st/learn_fd-soi.html
Non ti pare più semplice essere partiti dalla tecnologia di ST che era già sviluppata per le basse potenze e aver fatto come dice? E poi sinceramente se quelle parole le ha dette un responsabile di GF perché non dovrebbero essere vere??? Non capisco il senso e non è per dirti che non hai ragione, anzi può essere pure come dici te.

EDIT:
A parte che leggendo qui:
http://www.bitsandchips.it/hardware/...rmance-di-ibm#
il nodo utilizzato a 22 nm di IBM è sempre un FD-SOI solo che loro lo chiamano ET-SOI. Dicitura ET che sta per estremamente sottile che poi è la definizione del fulldepleted:
https://www.semiwiki.com/forum/showw...:FD-SOI%20Wiki
FD-SOI stands for fully-depleted silicon-on-insulator. The term FD-SOI typically refers to a planar transistor architecture. Planar architectures are pretty much what the industry's been doing for decades, but with FD-SOI, it's done on an SOI wafer with very thin top silicon over a very thin layer of insulating Buried Oxide (aka BOX). This confers significant advantages in terms of power, performance and area at an extremely competitive final cost.
e
Some of the companies and institutions that have historically been most active in the latest developments in the FD-SOI arena (although they sometimes call it by a different acroynm) include STMicroelectronics (ultra-thin body & box / UTB2) Hitachi (hybrid silicon on thin box - SOTB), IBM (extremely thin / ET-SOI), ARM, GlobalFoundries, Soitec (FD-2D), Leti and UCBerkeley. Most belong to the SOI Industry Consortium.

Quindi quello che mi chiedo io perché prendere un nodo FD-SOI ad alte prestazioni come quello di IBM e poi farne una versione "povera" per basse potenze quando hai già la tecnologia di ST e hai già firmato accordi per utilizzarla? Mi suona sinceramente strano. Mi sembrano più sensate le parole di quel responsabile e del fatto di aver utilizzato caratteristiche del 14 FD-SOI su base 28 per ottenere una via di mezzo e risparmiare sull'uso dei pattern come dici te.

[Mister D]

Originariamente inviato da dav1deser

Attenzione i layer metallici non servono a impilare transistor, nei processi produttivi per CPU attualmente i transistor sono disposti su di un solo piano, è per chip più semplici come le memorie NAND che è possibile impilare più chip uno sull'altro per aumentare la densità di transistor:



Ma qui stai impilando veri e propri chip di silicio uno sull'altro.

Gli strati di metallizzazione non sono nient'altro che i collegamenti elettrici fra i vari transistor. Averne di più o di meno è solo questione di cercare l'ottimo fra minore leakage (più layer), minore costo di produzione (meno maschere, meno passaggi => meno layer).

Comunque

Power8: 4500M transistor / 650mm2 = 6,9M transistor/mm2
FX: 1200M transistor / 315mm2 = 3,8M transistor/mm2
Power8 vs FX = 6,9/3,8 = 1,82 = +82% di densità
32nm vs 22nm = 32^2/22^2 = 2,11 = +111% di densità

Quindi non è che siamo così lontani dalla densità teorica di un 22nm vs 32nm.

Grazie della delucidazione ho confuso le due cose (chip 3d per aumentare la densità e le metalizzazioni) e poi ho dota per buone le cifre di Paolo senza neanche prestare attenzione a Bilion Ecco dov'era l'errore e così alla fine la densità è circa la medesima rapporta al passaggio dai 32 ai 22

[Chris70]

Originariamente inviato da isomen

Di sicuro nn c'é niente, ma secondo me, prima di ritoccare il vcore (ma nn é detto che soprattutto se devi alzare il cpu/nb tu nn debba rialzarlo leggermente) proverei ad alzare un po' il vdimm (soprattutto se le tue ram l'hanno a 1,5v) e visto che hai provato anche con vdimm a 1,65 senza risultati, proverei ad alzare contemporaneamente anche il cpu/nb a 1,25/1,275 (ma questa operazione potrebbe costringerti a rialzare leggermente il vcore)

PS
un'altra strada sarebbe ripartire dai voltaggi default con ram a 1866 e vedere se trovi la stabilità, per poi ricominciare ad abbassarli... ma dovresti rifare tutto il lavoro

ciauz

Grazie di nuovo...
Vdimm sarebbe dram voltage?
In ogni caso i parametri per cpu con memoria stabile a 1600 li ho già, se mi gira posso provare a 1866....

[paolo.oliva2]

Originariamente inviato da el-mejo

https://en.wikipedia.org/wiki/Billion

Ovviamente si parla di 4.2 miliardi di transistor, sennò Intel, Amd e Arm possono tutti chiudere baracca e GG

avevo toppato da qualche parte... biliard in inglese è miliardo in italiano, non 1000 miliardi. Comunque è sempre il doppio circa rispetto al 32nm.

[paolo.oliva2]

Originariamente inviato da Mister D

Grazie della delucidazione ho confuso le due cose (chip 3d per aumentare la densità e le metalizzazioni) e poi ho dota per buone le cifre di Paolo senza neanche prestare attenzione a Bilion Ecco dov'era l'errore e così alla fine la densità è circa la medesima rapporta al passaggio dai 32 ai 22

Come sopra... avevo rifatto 10 volte i calcoli per non fare una pessima figura... ma proprio non avevo fatto caso a biliard e sono andato giù con 1000 miliardi.

[digieffe]

Originariamente inviato da paolo.oliva2

Io non voglio difendere GF, ma comunque GF fa parte del consorzio, cioè IBM, Samsung & C., quindi quello che tira fuori (o non tira fuori) GF, non lo hanno neanche gli altri.
Quello che non capisco, è perché il silicio di IBM con cui fa i powrr8 non potrebbe andare bene per AMD.

The technical details presented at the Hot Chip 2013 conference by IBM showcased the Power8 Processor featuring 12 cores with the new 8-Way simultaneous multithreading (SMT) compared to the 4-Way SMT in Power7 processors. Being the most high-performance chip that IBM has to offer, the components are scattered across a 22nm die featuring silicon-on-insulator technology spread across an area of 650mm2 which is quite huge.
The Power8 Processor also features a 16 Execution Pipeline followed with 64K data cache per-core and 32K instruction cache. On the cache front, the new processor has 512 KB SRAM L2 cache per core, 96 MB eDRAM shared L3 cache and also 128 MB of eDRAM L4 cache that’s situated off-die unlike the on-board eDRAM on Haswell processors featuring GT3e iGPUs.
P.S.
Il tutto ad una frequenza di 4GHz

Non trovò il TDP, ma ha un die size doppio rispetto ad un 8350.

il power7 è 300w a cpu raffreddato ad solo acqua, non penso che il power8 sia da meno


un saluto a tutti

[Ren]

Originariamente inviato da Mister D

Ciao,
l'avevo già letto quell'articolo ma non contraddice da nessuna parte quello detto dal direttore ingegneristico e di desing di GF. Quelle sono parole testuali. Perché avrebbe dovuto sparare una cavolata del genere?

Si contraddice quando afferma che utilizzano il 22nm per evitare il double patterning. Dai 20nm in giù il double patterning è inevitabile.

Qualcosa non quadra...

ps. La versione Hp del 22fdx si chiama UHP nelle slide.

[isomen]

Originariamente inviato da Chris70

Grazie di nuovo...
Vdimm sarebbe dram voltage?
In ogni caso i parametri per cpu con memoria stabile a 1600 li ho già, se mi gira posso provare a 1866....

Si, vdimm é il voltaggio della ram

puoi provare con ram a 1866 e i parametri stabili con ram a 1600... se hai problemi provi ad alzare leggermente il cpu/nb e/o il vdimm.

ciauz

[tuttodigitale]

Originariamente inviato da paolo.oliva2

BD da Zambesi a Excavator ha migliorato l'efficienza di un 20/25% (considerando l'aumento prestazionale a parità di consumo) e siccome lato silicio il guadagno è risicato, è palese che dipenda quasi interamente dal miglioramento dell'efficienza dell'architettura.

ma i miei calcoli li leggi? Rischio di offendermi
da piledriver a excavator, AMD grazie all'architettura ha migliorato l'ipc del 20-25% ma sulla carta l'efficienza è più che raddoppiata a 2,1GHz.

Da slide a 7.5W per modulo, i miglioramento di efficienza sono del:
39% per mezzo delle librerie HDL (da solo quasi come se fossimo in presenza di un die shrink)
19% AVFS (complessivamente +65%)
a questo va aggiunto il fatto che il 28nm bulk già ha dimostrato di essere meglio del 32nm soi a basse frequenze.

quindi probabilmente con la gpu in idle le apu carrizo a 15W potranno viaggiare a frequenze molto più elevate (ho calcolato 2,6GHz rispetto a 2,1ghz base)

praticamente siamo a +130% di efficienza rispetto a piledriver. ci vorrebbe un test per verificare questi numeri.

Originariamente inviato da paolo.oliva2

Nel passaggio a Zen, ad un +50% di IPC sarebbe già difficile limitare l'aumento di TDP del 50%, semplicemente perché Zen non è rodato e incognita silicio.

dai disastrosi 32nm a 14nm, secondo me si sono tenuti anche un bel pò di margine. Un +65% su piledriver significa comunque restare abbondantemente dietro alla concorrenza a livello di ipc. Chissà magari hanno in programma di lanciare un die da 12 core con la seconda revisione di Zen (che Intel abbia attualmente un processo produttivo non eccelso non implica necessariamente che lo siano anche quelle dei concorrenti, anche il SOI di GF doveva essere il no-plus-ultra...).

Originariamente inviato da paolo.oliva2

1) le prestazioni del core potrebbero essere a modulo con 1 TH ma decadere con 2 TH e quindi diminuire il TDP, quindi considerare il modulo come un super-core nelle prestazioni a core e poi considerarlo 2 core nel conteggio dei core/TH.

non sei stato chiarissimo.
un modulo zen è formato da 4 core. Un singolo core è in grado di gestire due thread. Da slide si evince che le prestazioni di un core zen (capace di gestire 2 thread) sono circa il 90% di un modulo piledriver e 75% di un excavator. E se non cado in errore tra un modulo piledriver e ivy bridge ci corre circa il 10-15% di ipc. Saranno core dall'ipc elevato, paragonabile a Nehalem, non certo alle ultime uscite. Nulla si sa sul clock, anche se secondo me sarà molto elevato, per un octa-core si intende. L'eredità di bulldozer si farà sentire nel bene e nel male.

Originariamente inviato da paolo.oliva2

2) non è che 95W siano per i core e i 30W mancanti siano per l'IGP per avere un 125W APU con cui i core potrebbero avere risorse condivise nell'FP? Questo risolverebbe il perché ricercare prestazioni massime ma limitare il TDP disponibile, è comunque avrebbe un senso a tutti gli sforzi HSA/Huma per una architettura (Zen) che durerebbe almeno 4 anni e quindi non può ignorare. Ma lato server, il discorso HSA è acerbo?

la piattaforma sarà la stessa, e secondo me sarebbe una mossa suicida non integrare l'igp soprattutto se AMD riuscisse a vendere con un buon margine i propri prodotti. Il primo problema di HSA è la diffusione.
95W sinceramente non mi sembrano pochi per un octa-core su 14/16nm. Questi dubbi sono frutti delle prestazioni non esaltanti dei 14nm Intel. Possibile che AMD avrà un processo produttivo migliore della rivale? Se non sbaglio non è mai successo in passato.

[Chris70]

Originariamente inviato da isomen

Si, vdimm é il voltaggio della ram

puoi provare con ram a 1866 e i parametri stabili con ram a 1600... se hai problemi provi ad alzare leggermente il cpu/nb e/o il vdimm.

ciauz

Sempre grazie...
Non ho capito il discorso relativo alle ram a 2133 "secondo me sopra 1866 nn ti merita andare".
In ogni caso a 1866 sono riuscito, penso di avere capito il problema dei vari insuccessi, quando modifico una voce del bios e poi il sistema riparte senza più visualizzare schermata accesso bios (solo ventole) io spegnevo il tutto e ripartivo, entravo nel bios e ricambiavo la stessa voce in originale.
Fatto questo, anche se tutto salvato, mi dava sempre "overclock failed" a prescindere da quello che avevo modificato.
Ora quando funziona, salvo il profilo del bios, così in caso di problemi successivi ricarico l'ultimo funzionante.
Ieri sera ho caricato il bios "default" e poi un pò alla volta modificato le varie voci con memorie a 1866.