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Samsung Galaxy S25 Edge: il top di gamma ultrasottile e leggerissimo. La recensione
Samsung Galaxy S25 Edge: il top di gamma ultrasottile e leggerissimo. La recensione
Abbiamo provato il nuovo Galaxy S25 Edge, uno smartphone unico per il suo spessore di soli 5,8 mm e un peso super piuma. Parliamo di un device che ha pro e contro, ma sicuramente si differenzia dalla massa per la sua portabilità, ma non senza qualche compromesso. Ecco la nostra prova completa.
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Old 19-09-2013, 15:31   #1
Redazione di Hardware Upg
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Link alla notizia: http://www.businessmagazine.it/news/...0nm_48775.html

L'IMEC annuncia un importante passo avanti nello sviluppo delle tecniche per la realizzazione di semiconduttori oltre i 10 nanometri

Click sul link per visualizzare la notizia.
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Old 19-09-2013, 16:27   #2
TwinDeagle
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il CMOS non è un transistor, è una tecnologia integrata
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Old 19-09-2013, 16:49   #3
alasuisi
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I CMOS sono transitor eccome, complementary mosfet e mosfet significa metal oxyde semiconductor field effect transistor, quindi fa un po te XD, il complementary sta per il fatto che sullo stesso pezzo di silicio hai transistor sia di tipo N che di tipo P
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Old 19-09-2013, 17:00   #4
TwinDeagle
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I CMOS sono transitor eccome, complementary mosfet e mosfet significa metal oxyde semiconductor field effect transistor, quindi fa un po te XD, il complementary sta per il fatto che sullo stesso pezzo di silicio hai transistor sia di tipo N che di tipo P
Esattamente. Proprio per questo non sono transistor ma sono una tecnologia. Il termine CMOS indica tutti gli integrati che fanno uso di transistor complementari. In un CMOS ci sono da due a n transistor MOS di tipo P ed N. La forma più semplice è appunto quella dell'invertitore logico, composto da due Mosfet con i gate in comune, ma sempre due transistor sono. Ecco perché il CMOS è una tecnologia integrata e non un transistor in se.
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Old 19-09-2013, 17:14   #5
alasuisi
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mi sa che c'è stato un equivoco, io intendevo circuito integrato, dicendo che non è un transistor, mi viene in mente un tubo a vuoto tipo un triodo, per questo avevo risposto cosi, ma è più una questione di semantica, cioè due transitor p ed n appiccicati sono una teconologia o sono semplicemente due circuiti integrati appicciati? XD quando parlo di tecnologia sono portato a pensare alla tecnologia produttiva XD
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Old 19-09-2013, 17:44   #6
TwinDeagle
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mi sa che c'è stato un equivoco, io intendevo circuito integrato, dicendo che non è un transistor, mi viene in mente un tubo a vuoto tipo un triodo, per questo avevo risposto cosi, ma è più una questione di semantica, cioè due transitor p ed n appiccicati sono una teconologia o sono semplicemente due circuiti integrati appicciati? XD quando parlo di tecnologia sono portato a pensare alla tecnologia produttiva XD
Il transistor è un componente, un circuito creato sullo stesso semiconduttore è un integrato. Il CMOS è una tecnologia integrata, ovvero una tecnologia che produce coppie di transistor complementari, che può essere utilizzata in modo fine a se stesso o in un circuito integrato più complesso.
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Old 19-09-2013, 19:33   #7
mirkonorroz
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Lo stagno fonde bene
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Old 19-09-2013, 22:44   #8
giomini
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Lì nell'articolo si parla di dispositivi P, quindi il CMOS non c'entra proprio niente. Poi se mi trovassi ad avere un semiconduttore a BANDGAP diretto (non banda proibita), piuttosto che usarlo per fare i dispositivi P che non me ne faccio niente (specialmente perché non sono riportati dati su mobilità e quantità di portatori disponibili), lo userei per fare fotonica integrata. Allo sviluppo della fotonica integrata mancano "solo" delle sorgenti di luce realizzabili direttamente su silicio con poco sforzo.
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Old 20-09-2013, 10:13   #9
TwinDeagle
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Iscritto dal: Dec 2009
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Lì nell'articolo si parla di dispositivi P, quindi il CMOS non c'entra proprio niente. Poi se mi trovassi ad avere un semiconduttore a BANDGAP diretto (non banda proibita), piuttosto che usarlo per fare i dispositivi P che non me ne faccio niente (specialmente perché non sono riportati dati su mobilità e quantità di portatori disponibili), lo userei per fare fotonica integrata. Allo sviluppo della fotonica integrata mancano "solo" delle sorgenti di luce realizzabili direttamente su silicio con poco sforzo.
Verissimo. Inoltre c'è un altra imprecisione. La distorsione delle bande da tensione, è il fenomeno per cui si generano portatori sulla superficie del semiconduttore, mediante la deflessione delle bande, per la creazione del canale. Le bande proibite dirette o indirette sono invece proprietà del materiale e non sono influenzate dalla tensione. Non è la tensione che forma il gap proibito diretto, ma è il materiale e il procedimento impiegato. Se poi non mi ricordo male, la bandgap diretta si forma anche con il semplice germanio prodotto come il grafene (germanene).
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