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OPPO Find X9 Pro: il camera phone con teleobiettivo da 200MP e batteria da 7500 mAh
OPPO Find X9 Pro: il camera phone con teleobiettivo da 200MP e batteria da 7500 mAh
OPPO Find X9 Pro punta a diventare uno dei riferimenti assoluti nel segmento dei camera phone di fascia alta. Con un teleobiettivo Hasselblad da 200 MP, una batteria al silicio-carbonio da 7500 mAh e un display da 6,78 pollici con cornici ultra ridotte, il nuovo flagship non teme confronti con la concorrenza, e non solo nel comparto fotografico mobile. La dotazione tecnica include il processore MediaTek Dimensity 9500, certificazione IP69 e un sistema di ricarica rapida a 80W
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Anche DJI entra nel panorama delle aziende che propongono una soluzione per la pulizia di casa, facendo leva sulla propria esperienza legata alla mappatura degli ambienti e all'evitamento di ostacoli maturata nel mondo dei droni. Romo è un robot preciso ed efficace, dal design decisamente originale e unico ma che richiede per questo un costo d'acquisto molto elevato
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Old 19-09-2013, 16:31   #1
Redazione di Hardware Upg
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Link alla notizia: http://www.businessmagazine.it/news/...0nm_48775.html

L'IMEC annuncia un importante passo avanti nello sviluppo delle tecniche per la realizzazione di semiconduttori oltre i 10 nanometri

Click sul link per visualizzare la notizia.
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Old 19-09-2013, 17:27   #2
TwinDeagle
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il CMOS non è un transistor, è una tecnologia integrata
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Old 19-09-2013, 17:49   #3
alasuisi
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I CMOS sono transitor eccome, complementary mosfet e mosfet significa metal oxyde semiconductor field effect transistor, quindi fa un po te XD, il complementary sta per il fatto che sullo stesso pezzo di silicio hai transistor sia di tipo N che di tipo P
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Old 19-09-2013, 18:00   #4
TwinDeagle
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I CMOS sono transitor eccome, complementary mosfet e mosfet significa metal oxyde semiconductor field effect transistor, quindi fa un po te XD, il complementary sta per il fatto che sullo stesso pezzo di silicio hai transistor sia di tipo N che di tipo P
Esattamente. Proprio per questo non sono transistor ma sono una tecnologia. Il termine CMOS indica tutti gli integrati che fanno uso di transistor complementari. In un CMOS ci sono da due a n transistor MOS di tipo P ed N. La forma più semplice è appunto quella dell'invertitore logico, composto da due Mosfet con i gate in comune, ma sempre due transistor sono. Ecco perché il CMOS è una tecnologia integrata e non un transistor in se.
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Old 19-09-2013, 18:14   #5
alasuisi
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mi sa che c'è stato un equivoco, io intendevo circuito integrato, dicendo che non è un transistor, mi viene in mente un tubo a vuoto tipo un triodo, per questo avevo risposto cosi, ma è più una questione di semantica, cioè due transitor p ed n appiccicati sono una teconologia o sono semplicemente due circuiti integrati appicciati? XD quando parlo di tecnologia sono portato a pensare alla tecnologia produttiva XD
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Old 19-09-2013, 18:44   #6
TwinDeagle
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mi sa che c'è stato un equivoco, io intendevo circuito integrato, dicendo che non è un transistor, mi viene in mente un tubo a vuoto tipo un triodo, per questo avevo risposto cosi, ma è più una questione di semantica, cioè due transitor p ed n appiccicati sono una teconologia o sono semplicemente due circuiti integrati appicciati? XD quando parlo di tecnologia sono portato a pensare alla tecnologia produttiva XD
Il transistor è un componente, un circuito creato sullo stesso semiconduttore è un integrato. Il CMOS è una tecnologia integrata, ovvero una tecnologia che produce coppie di transistor complementari, che può essere utilizzata in modo fine a se stesso o in un circuito integrato più complesso.
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Old 19-09-2013, 20:33   #7
mirkonorroz
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Lo stagno fonde bene
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Old 19-09-2013, 23:44   #8
giomini
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Lì nell'articolo si parla di dispositivi P, quindi il CMOS non c'entra proprio niente. Poi se mi trovassi ad avere un semiconduttore a BANDGAP diretto (non banda proibita), piuttosto che usarlo per fare i dispositivi P che non me ne faccio niente (specialmente perché non sono riportati dati su mobilità e quantità di portatori disponibili), lo userei per fare fotonica integrata. Allo sviluppo della fotonica integrata mancano "solo" delle sorgenti di luce realizzabili direttamente su silicio con poco sforzo.
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Old 20-09-2013, 11:13   #9
TwinDeagle
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Lì nell'articolo si parla di dispositivi P, quindi il CMOS non c'entra proprio niente. Poi se mi trovassi ad avere un semiconduttore a BANDGAP diretto (non banda proibita), piuttosto che usarlo per fare i dispositivi P che non me ne faccio niente (specialmente perché non sono riportati dati su mobilità e quantità di portatori disponibili), lo userei per fare fotonica integrata. Allo sviluppo della fotonica integrata mancano "solo" delle sorgenti di luce realizzabili direttamente su silicio con poco sforzo.
Verissimo. Inoltre c'è un altra imprecisione. La distorsione delle bande da tensione, è il fenomeno per cui si generano portatori sulla superficie del semiconduttore, mediante la deflessione delle bande, per la creazione del canale. Le bande proibite dirette o indirette sono invece proprietà del materiale e non sono influenzate dalla tensione. Non è la tensione che forma il gap proibito diretto, ma è il materiale e il procedimento impiegato. Se poi non mi ricordo male, la bandgap diretta si forma anche con il semplice germanio prodotto come il grafene (germanene).
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