SK Hynix avvia la produzione di chip di memoria NAND flash 3D

SK Hynix avvia la produzione di chip di memoria NAND flash 3D

Il produttore sudcoreano avvierà nel terzo trimestre la produzione in volumi di chip di memoria multistrato, aggiungendosi alle altre realtà blasonate del panorama memorie

di pubblicata il , alle 10:01 nel canale Memorie
 

SK Hynix, uno tra i più importanti produttori di chip di memorie, ha annunciato di essere ormai prossimo all'avvio della produzione in volumi di memorie NAND flash 3D. L'avvio della produzione, previsto per il terzo trimestre dell'anno, porterà SK Hynix ad avvicinarsi a Samsung, Toshiba e Micron già impegnati in questo ambito.

SK Hynix produrrà un chip NAND MLC da 128Gbit a 36 strati; la compagnia aveva precedentemente annunciato, quale prototipo, un chip NAND a 24 strati. Il produttore ha inoltre dichiarato che completerà il progetto di un chip Triple-Level-Cell da 48 strati nel corso del 2015 in maniera tale da poter essere pronto a soddisfare la domanda da parte del mercato SSD nel 2016.

L'annuncio dell'avvio della produzione è stato dato nel contesto della presentazione dei risultati finanziari del secondo trimestre 2015, nel quale la società ha potuto realizzare un utile netto di 945 milioni di dollari USA su un fatturato di 3,9 miliardi di dollari, in crescita del 18% rispetto allo stesso trimestre 2014.

Come detto SK Hynix è solo l'ultima delle realtà ad essere entrata nell'arena delle memorie NAND flash 3D: Toshiba ha avviato il sampling di un chip NAND flash a 128Gbit e 48 strati nel mese di marzo 2015 e Micron annunciò nello stesso periodo il sampling di un chip 3D NAND MLC da 256Gbit e una versione a 384Gbit in produzione in volumi per il quarto trimestre 2015.

Samsung è stato il pioniere nella produzione in volumi di memorie 3D NAND con l'annuncio a novembre 2014 di una memoria flash NAND MLC a 3-bit per cella da 128Gbit e 32 strati di memoria in senso verticale. Anche da parte del produttore coreano si attende, pertanto, un passo avanti in questo campo con la produzione di nuove memorie di maggiore capacità e a più strati.

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