Hynix: chip DDR3 da 1Gbit a 40 nanometri

Hynix Semiconductor ha annunciato nel corso dei giorni passati lo sviluppo di un chip di memoria DRAM DDR3 ad 1Gbit di densità e costruito impiegando il processo produttivo a 40 nanometri.

Secondo quanto si legge su Digitimes, il nuovo chip DDR3 da 1Gb è in grado di raggiungere una velocità di picco di 2133 megabit al secondo e può supportare una vasta gamma di tensioni operative. La produzione in volumi è prevista per il terzo trimestre 2009. Il nuovo chip è stato costruito seguendo le specifiche DDR3 di Intel e sarà presto valutato dal colosso di Santa Clara per ottenere la certificazione.

Secondo le informazioni rilasciate dall'azienda, il processo a 40 nanometri permette di ottenere un incremento del 50% circa nelle rese rispetto al processo a 50nm adottato fino ad ora. L'architettura a transistor tridimensionali permette inoltre di contenere la dispersione di corrente, riducendo così il consumo energetico complessivo.

Le intenzioni di Hynix sono quelle di estendere l'adozione del processo produttivo a 40 nanometri e le specifiche di elevata velocità e basso consumo proprie delle memorie DDR3 anche ad altri prodotti come moduli per lo storage e memoria DRAM mobile e grafica.