Innovazioni tecnologiche presentate da AMD

Innovazioni tecnologiche presentate da AMD

All'International Electron Devices Meeting AMD presenta varie innovazioni tecnologiche per la produzione delle future cpu

di Paolo Corsini pubblicata il , alle 14:49 nel canale Processori
AMD
 

In occasione del International Electron Devices Meeting (IEDM) di San Francisco, AMD ha mostrato varie innovazioni tecnologiche che saranno alla base della creazione di transistor e celle memoria di prossima generazione.
Di seguito l'intero comunicato stampa.

AMD RIVELA LE PROPRIE INNOVATIVE RICERCHE SULLE NUOVE STRUTTURE DEI TRANSISTOR E DELLE CELLE DI MEMORIA

I progressi presentati a IEDM 2002 potrebbero rappresentare le basi per innovative soluzioni future

SUNNYVALE, California, 9 Dicembre 2002 – Dimostrando la propria leadership nell’ambito della ricerca e sviluppo (R&D) nel campo dei semiconduttori, AMD presenta all’International Electron Devices Meeting (IEDM) di quest’anno a San Francisco diverse innovazioni tecnologiche che saranno fondamentali per la creazione di transistor e di celle di memoria di prossima generazione. Gli esiti della ricerca potranno essere implementati già nel 2005.
“I laboratori di AMD sono già a buon punto nello sviluppo dei transistor e tecnologie di memoria di prossima generazione che, una volta perfezionati, porteranno i prodotti dei nostri clienti a livelli di prestazione, connettività e semplicità di utilizzo mai raggiunti in precedenza”, ha affermato Craig Sander, vice president of process technology development di AMD.

Transistor di Prossima Generazione

A IEDM, AMD presenterà tre relazioni tecniche che mostrano i recenti risultati della propria ricerca attualmente in corso sulle strutture dei transistor del futuro. Principale parte funzionante di un microchip, il transistor è fondamentalmente uno switch microscopico che utilizza un “gate” per accendere e spegnere il flusso di corrente elettrica.
AMD fornirà i dettagli sulla ricerca condotta con l’Università della California, Berkley, su un nuovo tipo di transistor che potrebbe sostituire gli attuali transistor planari , standard del settore, per chip logici ad elevate prestazioni.
Conosciuta nell’industria dei microchip come Fin Field Effect Transistor (FinFET), questa nuova struttura utilizza un solo sottile strato verticale di silicio (fin) per creare due gate invece di uno. Questo raddoppia efficacemente la corrente elettrica che può essere mandata attraverso il transistor migliorandone le caratteristiche di commutazione. Questo design pratico ed efficiente permette prestazioni migliori e geometrie sempre più piccole, e permette di sfruttare l’infrastruttura tecnologica e produttiva esistente.
A Settembre, AMD è stata la prima azienda a dimostrare un dispositivo FinFET funzionante con una lunghezza di gate pari a 10 nm, o 10 miliardesimi di metro, meno di un quinto della dimensione dei transistor più avanzati in produzione oggi.
“Crediamo che gli obiettivi di prestazione dei nostri transistor richiederanno gate di dimensioni inferiori ai 15nm entro la fine di questo decennio, fornendo alla ricerca e sviluppo opportunità entusiasmanti” ha affermato Sander. “Le strutture dei transistor multi-gate quali la nostra versione del FinFET, sono la chiave per raggiungere prestazioni di prossima generazione, continuando allo stesso tempo ad utilizzare molti dei metodi di produzione già esistenti ”.
AMD presenterà anche due relazioni sui successi ottenuti dall’azienda nella costruzione di transistor con gate ottenuti dal metallo, invece che dal polisilicio che è lo standard attuale. Questa ricerca ha lo scopo di portare le prestazioni dei transistor ai massimi livelli, per i processi di produzione dell’azienda entro il 2005 e oltre.
La tecnologia del gate basato sul nichel promette di aumentare in modo notevole le prestazioni dei transistor migliorando il flusso di corrente elettrica nel transistor stesso. Quando implementati in modo appropriato, i gate di metallo eliminano l’attuale pratica di mettere impurità nel canale sotto il gate del transistor per raggiungere commutazione ottimali. La rimozione di queste impurità permetterà un flusso di corrente elettrica migliore, che a sua volta aumenta le prestazione del transistor. Si prevede, inoltre, che questi gate a base di nichel offriranno la possibilità di abbassare i costi di produzione rispetto ad altre tecnologie di gate di metallo studiate oggi nel settore.

Memorie Flash del Futuro

AMD, insieme alla Stanford University, presenterà anche una relazione che dimostra una nuova struttura di cella della memoria Flash che potrebbe essere utile per portare la memoria Flash alla generazione dei 65nm.
Questa nuova struttura utilizza minuscoli “fili” (nanowire) di polisilicio delle dimensioni di 5nm di larghezza per immagazzinare la carica elettrica. A queste piccole dimensioni le celle della memoria dimostrano un vero comportamento meccanico quantico, fornendo velocità di cancellazione di diversi ordini di grandezza superiori rispetto alle celle di memoria Flash convenzionali, mostrando allo stesso tempo una ritenzione dei dati eccellente. Questa tecnologia potrebbe permettere di incorporare in un singolo chip Flash maggiori quantità di memoria, aumentando allo stesso tempo in modo notevole la velocità e riducendo l’energia necessaria alla cella per leggere e scrivere.


A IEDM
AMD presenterà questi e altri risultati a IEDM 2002, che ha luogo all’Hotel Hilton and Towers di San Francisco dall’8 all’11 Dicembre. Le date, gli orari e le location possono variare. Per il programma definitivo e per ulteriori informazioni, consultare il sito web di IEDM alla pagina http://www.his.com/~iedm/index.html

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