Nuova memoria Hunday

Nuova memoria Hunday

di pubblicata il , alle 08:56 nel canale Uncategorized
 
Stando a questo report di Electic.com, Hyundai sta sviluppando chip memoria SDRAM da 512 Mbytes ad elevate prestazioni e a basso voltaggio, pensate per l'impiego in workstation e server ad elevate prestazioni:
Hyundai Electronics Industries(HEI) has developed a high-speed, low-voltage 512M SDRAM(synchronous dynamic random access memory) chip using advanced circuit-processing technology.
The company said the new chip incorporates functions from existing memory devices- the synchronouus mode and double data rate(DDR)- to realize larger storage capacity and higher-speed data processing.
It has double the stroage capacity of the 256M DRAM, currently the largest memory available for commercial use.
With a data processing rate of 333 MHz, the new chips is capable of transmitting 6.66 million characters in a second. It operates on 2.5V.
The developers used cutting-edge 0.12-micron circuit design techonology, which can draw 900 lines on a human hair. One micron in one-illion lionth of a meter.
This marks a major step toward achiveing an ultra-precision 0.1-micron device, which necessary for designing next-generation gigabit semiconductors, the company said.
The new product can be inctailed in the same-size plastic package as the existing 256M memory devices.
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