Lithium: seconda parte de "Le frontiere del silicio"

Lithium: seconda parte de Le frontiere del silicio

Pubblicato il seguito dell'articolo "Le frontiere del silicio" che tratta di tecniche di integrazione per la realizzazione di transistor di dimensioni sempre minori

di pubblicata il , alle 10:42 nel canale Uncategorized
 

Sul sito web Lithium è stata pubblicata la seconda parte dell'articolo "Le frontiere del Silicio". La prima parte, segnalata in questa news, trattava della particolare tecnica chiamata "Low-K" che permette di limitare alcuni fenomeni fisici che si verificano in casi di integrazione spinta.

In questa parte sarà invece trattata particolare tecnica "Strained Silicon" che, come dice il nome stesso (Silicio stirato) consiste nella modifica del reticolo cristallino rendendolo più "lungo" dell'1% circa, in combinazione con l'impiego del Silicio-Germanio, caratterizzato da alcune proprieta tra cui l’elevata mobilità elettronica, facilità di integrazione e, ultimo ma non meno importante la possibilità di costruire dispositivi analogici di "impacchettarli" accanto a quelli digitali.

Consigliamo la lettura dell'articolo, pubblicato a questo indirizzo.

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