Samsung verso le memorie a cambiamento di fase

[Redazione di Hardware Upg]

Link alla notizia: http://www.hwupgrade.it/news/memorie/18537.html

Il colosso coreano ha annunciato la realizzazione di un prototipo funzionante di memoria PRAM da 512Mbit. Nel 2008 le prime applicazioni pratiche, come sostituta delle memorie Flash NOR

Click sul link per visualizzare la notizia.

[ThePunisher]

La divisione memorie di Samsung ha un livello tecnologico spaventoso.

[Darkangel666]

[gi0v3]

samsung...non per niente passano per i migliori produttori di memorie al mondo

come mai l'uso di questa tecnologia per memorie da computer non viene considerato "impiego principe?"?

[Lomba89]

DDR...TREMATE!!!!!!!!!

[Catan]

perche non è quello il campo...
le ram da pc le normali ddr 1-2-3 hanno altro scopo un pc quando carica roba sulle ram ha bisogno che questi cambino rapidamente i dati stoccati dentro e non c'è bisogno che questi dati restino salvati dentro una volta spenta la macchina.
quindi queste ram sono molto utili per utilizzi in ambito mp3,navigatori e in generali dispositivi portatili come per gli hd ibridi.

[dvd100]

Originariamente inviato da gi0v3

samsung...non per niente passano per i migliori produttori di memorie al mondo

come mai l'uso di questa tecnologia per memorie da computer non viene considerato "impiego principe?"?

probabilmente per una questione di velocità..
comunque il reparto R&D di samsung è troppo avanti..

[Darkangel666]

Originariamente inviato da Lomba89

DDR...TREMATE!!!!!!!!!

Non sono Ram ma Flash

http://it.wikipedia.org/wiki/Memoria_flash

[liviux]

sostituirà negli anni a venire le memorie Flash NOR attualmente utilizzate

Ero convinto che quelle più utilizzate fossero di tipo NAND. Sbaglio?
Dopo le NAND e le NOR ci mancherebbero solo le NNOT, nelle quali ogni bit resta sempre lo stesso...

[Rubberick]

Beh per l'uso anche a mo di ram nn mi pare cattivo... considerando che se i dati sono statici significa anche che non c'e' bisogno di fasi di refresh...

Questo vuol dire che non consumano un cazzo :P

[gianni1879]

Samsung ha un reparto di r&s davvero fenomenale. ne vedremo delle belle in futuro

[liviux]

Originariamente inviato da Rubberick

Beh per l'uso anche a mo di ram nn mi pare cattivo...

Ne dubito. L'articolo dice (probabilmente citando un comunicato stampa)

molto più rapida rispetto ai dischi riscrivibili

Traduzione dal marketese: la velocità non è paragonabile a quella delle RAM, per cui la paragoniamo con qualcosa di molto più lento.

[axias41]

Originariamente inviato da liviux

Ne dubito. L'articolo dice (probabilmente citando un comunicato stampa)

Traduzione dal marketese: la velocità non è paragonabile a quella delle RAM, per cui la paragoniamo con qualcosa di molto più lento.

Secondo http://en.wikipedia.org/wiki/Phase-change_memory , dal brevetto Samsung il cambiamento di fase può essere completato in 5 nanosecondi. Quanto fa in mhz?

[Darkangel666]

Originariamente inviato da axias41

Secondo http://en.wikipedia.org/wiki/Phase-change_memory , dal brevetto Samsung il cambiamento di fase può essere completato in 5 nanosecondi. Quanto fa in mhz?

200 MHz se non sbaglio

[WarDuck]

Quindi potrebbero essere usate per immagazinare i dati a modo di HD? Del resto mi pare che proprio Samsung avesse realizzato quell'hd basato su memoria flash che HWUpgrade ha analizzato qualche articolo fa...

Tral'altro se avranno un prezzo realmente basso potrebbero proprio fare al caso degli hd.

[axias41]

Originariamente inviato da Darkangel666

200 MHz se non sbaglio

Infatti:
fa 200000000 Hz

[Lauro]

quasi quasi direi che è roba già vecchia ^_^ o meglio esisteva già da un bel po di tempo Millepiedi IBM

[liviux]

Originariamente inviato da Darkangel666

200 MHz se non sbaglio

Non è detto. 5 ns è il tempo necessario per completare il cambiamento di fase. Questo non significa necessariamente che se ne possano effettuare in continuazione sulla stessa cella ogni 5 ns. Soprattutto perchè il cambiamento avviene aumentando la temperatura, e presumibilmente la cella deve raffreddarsi prima di poter essere scritta nuovamente. Si aggiunga un certo tempo di indirizzamento, e dubito che si possa andare vicini ai 100 MHz. Ben lontani dalle RAM, comunque.

[Darkangel666]

Originariamente inviato da liviux

Non è detto. 5 ns è il tempo necessario per completare il cambiamento di fase. Questo non significa necessariamente che se ne possano effettuare in continuazione sulla stessa cella ogni 5 ns. Soprattutto perchè il cambiamento avviene aumentando la temperatura, e presumibilmente la cella deve raffreddarsi prima di poter essere scritta nuovamente. Si aggiunga un certo tempo di indirizzamento, e dubito che si possa andare vicini ai 100 MHz. Ben lontani dalle RAM, comunque.

Infatti 200MHz è il valore ideale e quindi MAX a cui si può aspirare; in condizioni reali il valore ha troppe variabili per poter essere stimato con una approsimazione accettabile.

[mak77]

un materiale la cui struttura può essere alterata mediante la somministrazione di calore

cazzooo ho lasciato la memoria sotto il soleeeeeee, nooooooooooo!