Intel, in Ivy Bridge transistor 3D con litografia a 22nm

[idt_winchip]

Originariamente inviato da xage

Vai intel spacca il culo ad AMD! finalmente la mossa finale... addio caro BULLdoz

ANDIAMO A BERLINO!! CAMPIONI DEL MONDO!! CAMPIONI DEL MONDO!!
POPOPOPOPOOPOOOOOOOOOOOPOOOOOOOOO

[leoneazzurro]

Originariamente inviato da xage

Vai intel spacca il culo ad AMD! finalmente la mossa finale... addio caro BULLdoz

A tra una settimana.

[Grees]

ho passato praticamente tutto il tempo che ho letto l'articolo a chiedermi se si potessero implementare più alette in un sigolo transistor ed ecco che alla fine mi ritrovo l'immagine di quello a cui stavo pensando! comunque molto bello ed interessante! oltre che ingegneri all'intel mi sa che lavorano anche comici il video è spettacolare!

[Unbreakable]

Originariamente inviato da emanuele83

Con questi trigate mettere transistor in serie e parallelo per fare le più comuni porte logiche è molto più facile, tecnologicamente parlando. Bel passo avanti! anche se non è una innovazione come il passaggio da bipolare ad effetto di campo.
comunque non ho capito i drogaggi di drain e source. se alla fine un trigate funziona con lo stesso principio fisico di un MOS planare, allora l'area sotto il gate deve essere drogata inmaniera opposta al source ed al drain, ma in nessuna immagine che ho trovato in rete si parla di drogaggi.
Poi vedremo quanto tireranno la tecnologia, rimane il fatto che la fotolitografia sta tirando gli ultimi. Gli spessori degli ossidi ormai sono ridotti a pochi strati atomici.
ok, in futuro mettiamo trigate con materiali ad high-k per fare gli ossidi di gate, ma poi?
i prossimi 10 anni saranno cruciali.

Credo che il drogaggio drain-source avvenga dopo la deposizione dello strato di gate come di consueto; per quanto riguarda il canale resta da capire COME venga creata questa fantomatica "aletta", ovvero se prima o dopo la crescita dell'ossido di bulk. Nel primo caso (ovvero prima dell'ossido) molto semplicemente si "prende" il drogaggio del bulk (o della tasca, dipende dal tipo di wafer da cui si parte), nel secondo ci voglia un drogaggio preliminare "di canale" ,che presumo NON unifome, per poi procedere con l'impiantazione degli ioni droganti di drain e source.
Immagino cmq che abbiano fatti i dovuti test per verificare il mantenimento dei parametri elettrico/strutturali di fronte a stress soprattutto termici nel lungo periodo in quanto così, vedendo le immagini di primo acchitto, non ho avuto una gran sensazione di solidità.

[emanuele83]

Originariamente inviato da Unbreakable

Credo che il drogaggio drain-source avvenga dopo la deposizione dello strato di gate come di consueto; per quanto riguarda il canale resta da capire COME venga creata questa fantomatica "aletta", ovvero se prima o dopo la crescita dell'ossido di bulk. Nel primo caso (ovvero prima dell'ossido) molto semplicemente si "prende" il drogaggio del bulk (o della tasca, dipende dal tipo di wafer da cui si parte), nel secondo ci voglia un drogaggio preliminare "di canale" ,che presumo NON unifome, per poi procedere con l'impiantazione degli ioni droganti di drain e source.
Immagino cmq che abbiano fatti i dovuti test per verificare il mantenimento dei parametri elettrico/strutturali di fronte a stress soprattutto termici nel lungo periodo in quanto così, vedendo le immagini di primo acchitto, non ho avuto una gran sensazione di solidità.

Guarda credo che per contenere i costi loro non facciano altro che creare un bel mos planare e poi con una operazione di tipico etching scavino intorno a gate drain e canale di modo da formare poi il 3D, poi passano all'ossido ed alla metallizzazione di gate. è l'unico modo per non stravolgere il processo di produzione.
che poi nel substrato sotto il gate ci sia un diverso drogaggio non saprei, una specie di buried layer come nei vecchi bjt? secondo me rimane drogato come il bulk , poi con che concentrazioni lavorio oggi non ne ho idea, io mi fermo alla tecnologia di inizio 2000 quando 5 anni più tardi me la insegnarono all'università.
per quanto riguarda le prestazioni, sono chiare, anche perché loro prima di andare in produzione di massa, dopo avere investito miliardi (i famosi BILLION DOLLARS) in ricerca, sviluppo e prototipazione, non si possono permettere di sgarrare.
Insomma il transistor è fatto, il processo pure, i µP saranno in commercio a breve, io scommetto che Intel riuscirà a tirare avanti questa tecnologia almeno per 3-4 di nuove generayioni ( ed intendo i gen = 1 tick+tock) per cui per i prossimi 10 anni siamo a posto. Vedremo dopo, se il mercato saturerà, che altre stupide invenzioni tireranno fuori per fare spendere più soldi alla gente creando bisogni inutili (esempio gli lcd 3d di quest'ultimo anno, un'inutilità estrema, che fa venire crisi epilettiche o mal di testa e che non è godibile se non su uno schermo di dimensioni cinematografiche).
Saluti e baci aus Berlin.

[D4N!3L3]

Che socket monteranno gli ivy-bridge?

Se io prendessi ora una motherboard z68 con socket 1155 per metterci un 2600k potrei successivamente montare anche questi? Chiedo perchè non ho ancora ben chiara la cosa.

Grazie.

[ISPANICO84]

Originariamente inviato da D4N!3L3

Che socket monteranno gli ivy-bridge?

Se io prendessi ora una motherboard z68 con socket 1155 per metterci un 2600k potrei successivamente montare anche questi? Chiedo perchè non ho ancora ben chiara la cosa.

Grazie.

Certo! Li potrai montare aggiornando il bios della tua scheda madre.

[D4N!3L3]

Originariamente inviato da ISPANICO84

Certo! Li potrai montare aggiornando il bios della tua scheda madre.

Ho capito, grazie del chiarimento.

[Lollo6]

Originariamente inviato da emanuele83

Guarda credo che per contenere i costi loro non facciano altro che creare un bel mos planare e poi con una operazione di tipico etching scavino intorno a gate drain e canale di modo da formare poi il 3D, poi passano all'ossido ed alla metallizzazione di gate. è l'unico modo per non stravolgere il processo di produzione.
che poi nel substrato sotto il gate ci sia un diverso drogaggio non saprei, una specie di buried layer come nei vecchi bjt? secondo me rimane drogato come il bulk , poi con che concentrazioni lavorio oggi non ne ho idea, io mi fermo alla tecnologia di inizio 2000 quando 5 anni più tardi me la insegnarono all'università.

Credo sia proprio cosí, se non mi sbaglio l'ossido in questi dispositivi é cresciuto attorno all'aletta, processo tutt'altro che banale sulle superfici laterali. Tra le altre cose il canale continua deve essere drogato per evitare il passaggio di corrente quando il transistor é OFF. Dicano quello che vogliono ma se si vuole drogare un materiale almeno un centinatio di atomi di spessore ci devono essere (10nm ca) e le strutture trigate erano giá note da una decine di anni come l'ultimo step prima del passaggio a nuovi materiali/concetti. Mi sa ancora 3-4 step di scaling e si dovrá cambiare.
Riguardo AMD-intel, a me pare al contrario che intel sia preoccupata dei prossimi procio AMD e per questo abbia messo in campo i trigate. Se Globalfoudries riesce ad ottenere prestazioni simili con FDSOI, hanno ancora margine quando passeranno a strutture 3D, non la vedo cosí male per AMD.
Saluti aus Dresden :-)

[emanuele83]

Originariamente inviato da Lollo6

Saluti aus Dresden :-)

Tutti emigrati nella "glande" Germania eh??