SSD: thread generale e consigli per gli acquisti

[@Liupen]

Microsoft sicuro si muove su questo. Prossimamente la criptazione se non lo è già, sarà di default specie sui preinstallati e notebook.

[gabmac2]

@Nico

abbi pazienza
intendevo dire che se un pc funziona ma ha qualche problema si può procedere con l' erase ssd (prima di mandarlo in assistenza)
se il pc non parte per un problema hw si toglie ssd e si fa erase, con un altro pc
quello intendevo (è ovvio che non si fa erase su un ssd rotto)

inoltre che sia eccessivo cifrare una VM.....poi sono pareri personali
inoltre nutro forti dubbi che si possano inviare notebook in assistenza o chiedere un reso senza unità ssd all' interno
poi che ci possano essere delle Workstation che permettono di essere inviare senza unità di memorizzazione, niente da dire
alla fine l' unica soluzione per essere "certi" di avere un buon grado di sicurezza, probabilmente è la cifratura

[Nicodemo Timoteo Taddeo]

Originariamente inviato da gabmac2

@Nico

abbi pazienza

Con te ci vuole la pazienza di Giobbe perché ora dici una cosa poco dopo dirai che intendevi dire altro e successivamente sì ma in effetti l'argomento era un altro...

intendevo dire che se un pc funziona ma ha qualche problema si può procedere con l' erase ssd (prima di mandarlo in assistenza)
se il pc non parte per un problema hw si toglie ssd e si fa erase, con un altro pc

Puoi fare tutto quello che vuoi, non stai dicendo nulla di particolarmente strano o innovativo, tutto molto ovvio.

quello intendevo (è ovvio che non si fa erase su un ssd rotto)

Eri intervenuto chiedendo sull'ipotesi SSD rotto, "se un ssd è danneggiato", su quello pensavo si dovesse discutere e mi hai rimproverato di non averlo fatto.

inoltre che sia eccessivo cifrare una VM.....poi sono pareri personali

Hai chiesto se condividevamo, ovvio che ricevi pareri personali.

No non è il cifrare la VM che è sproporzionato è l'idea stessa della VM da criptare che è il bazooka per uccidere la zanzara. Se cripti l'intero filesystem è la stessa cosa lato sicurezza con la differenza che non sprecherai risorse hardware per una VM. Poi puoi complicarti la vita quanto ti piace per carità.
Tipico dei fanatici della privacy e sicurezza complicarsela fino al punto da ottenere l'effetto contrario a volte, le paure e fobie impediscono un approccio razionale ai problemi.

inoltre nutro forti dubbi che si possano inviare notebook in assistenza o chiedere un reso senza unità ssd all' interno

E quindi capirai che chiedere periodicamente come impedire il recupero dati dagli SSD, guasti o integri, vuol dire non aver capito niente sull'argomento nonostante tante discussioni che hai avuto. Non devi arrivare al come impedire perché non deve servire impedire il recupero. Se hai cose importantissime che non vuoi vengano viste o prelevate mettiti nella condizione di renderle inutili se recuperate. E non dovrai preoccuparti su come impedirne il recupero.

alla fine l' unica soluzione per essere "certi" di avere un buon grado di sicurezza, probabilmente è la cifratura

Esatto.

[gabmac2]

@Nico

anche con te ci vuole pazienza se per questo
alla fine il discorso che ho fatto all' inizio riferito all' erase era solo per dire, che le situazioni sono diverse
se ssd funziona è una cosa e puoi fare certe cose, se è guasto è un' altra cosa
fortunatamente almeno sul discorso cifratura siamo dello stesso parere

[Black (Wooden Law)]

A quasi un anno dall’inizio della produzione di massa delle Samsung V9 QLC è uscito l’ISSCC delle V9 TLC. Questa uscita così “ritardataria” rispetto alle QLC non mi fa altro che pensare che le TLC non siano mai state pronte dall’annuncio delle QLC e che Samsung abbia avuto qualche problema. Ecco perché son fermi con le 236L (visto che le V9 QLC da 286L ancora non ci sono in commercio) da non so quanto.

Parlando delle NAND flash, invece, sono diverse le innovazioni proposte. Prima di tutto Samsung non usa un design a tre deck ma ben due, perché a differenza degli altri produttori (da quanto sappiamo ovviamente) solamente Samsung sta usando l’incisione criogenica (in più ha anche la miglior incisione tra tutti quanti). Questo è un gran vantaggio per costi e quant’altro. Poi, per farla breve, hanno usato un nuovo materiale (“materiale delle sementi”) all’interno del canale in polisilicio per aumentare la dimensione dei grani, hanno rivisto la tecnica di rifinitura dello strato ONO (oxide-nitride-oxide, cioè tunnel layer, Si₃N₃ e blocking oxide layer), hanno reso gli strati ONO meno spessi nelle WL più in alto, ecc. Tutto ciò per ottenere la dimensione di una cella NAND flash più piccola tra tutti che non è assolutamente una cosa da poco. Così facendo si riduce l’interferenza cella a cella e si tenta di mettere più layer possibili.

Ultimo ma non per importanza, Figura 10 e 11. È stato migliorato il data retention di un 12% e la Figura 11 mette in mostra la variazione della tensione di soglia (Vth) con i PEC e le V9 TLC reggono più PEC senza un esagerato cambiamento alle celle NAND flash. Anzi, mi sembra quasi che sia queste V9 TLC che V8 QLC possano reggere 5.000-10.000 PEC (“1E+4”) senza troppi problemi, specialmente le V9 a 10.000 PEC.

Per chiudere il discorso, penso che queste NAND flash da 3.200 MT/s potremmo vederle in un futuro SSD PCIe 5.0 "9200 PRO" (giusto per dargli un nome) o "9100 EVO Plus". Non penso che avrebbero molto senso nel 9100 PRO visto che il suo controller ha canali da 2.400 MT/s e le V8 TLC sono da 2.400 MT/s. Non penso neanche in un futuro SSD PCIe 6.0 visto che come ha detto il CEO di Silicon Motion vedremo il primo Gen6 consumer dal 2030 in poi (e poi per i Gen6 si potrebbe utilizzare le V10 da 4xxL).

P.S.: anche qui si utilizza la stessa tecnologia di Kioxia e Micron per eliminare i fori dummy, quindi si eliminano tutti i fori delle celle NAND flash non utilizzabili perché attraversati da un dielettrico per la separazione dei select gate drain (SGD).

[Black (Wooden Law)]

Due belle news potenti: Kioxia introduce il primo SSD da 245,76TB e YMTC punta ad un market share del 15% entro il 2026 (15% è quanto Micron, Kioxia e più di SanDisk secondo gli ultimi dati di TrendForce). L'SSD di Kioxia (formato E3.L) usa NAND flash BiCS8 QLC con die da 2Tb (ovviamente) e package da 32 die, quindi per quella capacità usa 31 chip NAND flash. 32 die per package è un numero importante visto che per tanto tempo siamo rimasti fermi con i package da massimo 16 die.

Per trovare una motivazione a questa scelta di YMTC di prendere un maggior piede nel mercato delle NAND flash penso che ci sia la nuova causa fatta lo scorso mese da YMTC verso Micron. Perché sì, YMTC ha fatto causa a Micron per la terza volta: https://www.tomshardware.com/pc-comp...head-says-ymtc. Questa volta però la cosa è più seria: YMTC ha fatto causa perché secondo loro Micron e il gruppo DCI hanno creato il sito web "China Tech Threat (CTT) " per diffamare YMTC e gli altri enti della Cina. Per esempio riguardo a YMTC CTT ha detto che installano degli spyware nei chip dei telefoni con fini militari e intanto su Bloomberg viene conferma che CTT sia principalmente fondato da Micron e Dell.

Facendo una cronotassi sulla guerra YMTC-Micron:
- 2022: Biden aggiunge Micron nella lista nera (entity list);
- 2022: YMTC controbatte bannando i chip Micron dai computer del governo cinese;
- 2023: YMTC fa la prima causa a Micron dicendo che ha infranto 8 brevetti sulle NAND flash;
- 2024: YMTC fa la seconda causa a Micron dicendo che ha infranto 11 brevetti sempre sulle NAND flash;
- 2025: YMTC fa la terza causa a Micron dicendo che tramite CTT fanno diffamazione su YMTC e le altre aziende cinesi.

Detto ciò, io nei panni dei produttori un minimo di timore ce l'avrei. Abbiamo visto il potenziale che la Cina ha. YMTC è passata dalle NAND flash a 32L nel 2019 (quando gli altri produttori erano già alle 96L) alle attuali 276L in un nulla, perlopiù ha incominciato ad usare una tecnologia che adesso è vitale per la produzione dei nuovi chip NAND flash e ha ridotto Samsung a chiedere un accordo con lei per l'uso di questa tecnologia (wafer-on-wafer). Poi, come se non bastasse, ha ridotto gli altri produttori a dover far cartello per l'eccessiva diffusione dei prodotti YMTC con un incremento dei prezzi delle NAND flash da non so quanto (e le previsioni continuano ad essere negative) tempo. Infine, per ultimo, è arrivata CXMT nel mercato delle DRAM. Ha iniziato a maggio 2024 vendendo banchi a prezzi bassi e obbligando gli altri produttori ad abbassare i prezzi, entro maggio 2025 è passata dalle DDR4 alle DDR5 in un solo trimestre (!) e tutti i produttori assieme a lei hanno finalmente alzato i prezzi per la scarsa offerta e la bassa produzione delle DDR4.
Come ha fatto CXMT a passare dalle DDR4 alle DDR5 in soli tre mesi tramite la vendita di banchi RAM a bassi prezzi se è un'operazione costosa? Semplicemente ci ha messo tutti i fondi la Cina, più particolarmente con Big Fund del progetto Made in China 2025, anche perché non ha avuto abbastanza profitto per attuare la transizione.

La fonte di tutto ciò è l'articolo "Some Clarity on 2025’s DDR4 Price Surge" di The Memory Guy.
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Chiudo il discorso citando una parte di un commento di "Jukan" su X che riguarda CXMT e YMTC:

Solo due o tre anni fa, la quota di CXMT nel mercato globale della DRAM era così trascurabile da non essere nemmeno rilevata dalle cifre, ma in poco tempo ha rapidamente ampliato le sue linee di produzione e di spedizioni. Secondo le previsioni di Omdia per il prossimo anno, le spedizioni di DRAM di CXMT dovrebbero avvicinarsi a quelle di Micron, il terzo operatore del settore. Per questo motivo le previsioni suggeriscono che l'attuale struttura delle "tre grandi" DRAM (Samsung Electronics, SK hynix, Micron) sarà riorganizzata in futuro in una struttura di "quattro grandi".

Anche per quanto riguarda le memorie NAND, la rapida espansione della produzione di YMTC sta alimentando un eccesso di offerta sul mercato. Mentre le principali aziende come Samsung Electronics, SK hynix, Kioxia e Micron continuano a tagliare la produzione a causa del calo dei prezzi delle memorie NAND, YMTC ha aumentato in modo significativo la produzione della sua fabbrica 2 di Wuhan dal primo trimestre dello scorso anno. La produzione di NAND di YMTC presso la fabbrica 2 di Wuhan ha raggiunto i 130.000 wafer nel secondo trimestre di quest'anno, sulla base dei wafer, più del doppio rispetto ai 60.000 wafer dello stesso periodo dell'anno scorso. Anche la produzione totale di NAND di YMTC è aumentata del 42% rispetto allo stesso periodo dell'anno precedente.

Entrambe le aziende stanno espandendo i loro portafogli non solo ai prodotti di memoria commoditized e più vecchi, ma anche alle linee di prodotti avanzati. CXMT sta facendo progressi più rapidi del previsto nel mercato delle memorie ad alta larghezza di banda (HBM), di cui SK hynix è attualmente leader. CXMT prevede di completare il processo di certificazione per la produzione di massa di HBM3, un prodotto HBM di quarta generazione, entro la fine di quest'anno.

Un funzionario dell'industria dei semiconduttori ha spiegato: "CXMT sta espandendo in modo aggressivo le sue fabbriche di Pechino e Hefei e si prevede che in futuro investirà in attrezzature per il confezionamento di HBM. CXMT ha fissato l'obiettivo interno di produrre in massa HBM di quinta generazione (HBM3E), un prodotto all'avanguardia dominato da SK hynix e Micron, entro due anni".

[Nicodemo Timoteo Taddeo]

Aspetto il Black Friday per prenderlo a buon prezzo, comincio a star strettino con il 860 EVO Plus da 512 MB, un po' di spazio in più farà certamente comodo

https://www.hwupgrade.it/news/storag...ia_141430.html

[unnilennium]

ed io sono pure andato a vedere il link prima di capire...

[makka]

Originariamente inviato da unnilennium

ed io sono pure andato a vedere il link prima di capire...

Anche io !!

[@Liupen]

Originariamente inviato da Black (Wooden Law)

A quasi un anno dall’inizio della produzione di massa delle Samsung V9 QLC è uscito l’ISSCC delle V9 TLC. Questa uscita così “ritardataria” rispetto alle QLC non mi fa altro che pensare che le TLC non siano mai state pronte dall’annuncio delle QLC e che Samsung abbia avuto qualche problema. Ecco perché son fermi con le 236L (visto che le V9 QLC da 286L ancora non ci sono in commercio) da non so quanto.

Parlando delle NAND flash, invece, sono diverse le innovazioni proposte. Prima di tutto Samsung non usa un design a tre deck ma ben due, perché a differenza degli altri produttori (da quanto sappiamo ovviamente) solamente Samsung sta usando l’incisione criogenica (in più ha anche la miglior incisione tra tutti quanti). Questo è un gran vantaggio per costi e quant’altro. Poi, per farla breve, hanno usato un nuovo materiale (“materiale delle sementi”) all’interno del canale in polisilicio per aumentare la dimensione dei grani, hanno rivisto la tecnica di rifinitura dello strato ONO (oxide-nitride-oxide, cioè tunnel layer, Si₃N₃ e blocking oxide layer), hanno reso gli strati ONO meno spessi nelle WL più in alto, ecc. Tutto ciò per ottenere la dimensione di una cella NAND flash più piccola tra tutti che non è assolutamente una cosa da poco. Così facendo si riduce l’interferenza cella a cella e si tenta di mettere più layer possibili.

Ultimo ma non per importanza, Figura 10 e 11. È stato migliorato il data retention di un 12% e la Figura 11 mette in mostra la variazione della tensione di soglia (Vth) con i PEC e le V9 TLC reggono più PEC senza un esagerato cambiamento alle celle NAND flash. Anzi, mi sembra quasi che sia queste V9 TLC che V8 QLC possano reggere 5.000-10.000 PEC (“1E+4”) senza troppi problemi, specialmente le V9 a 10.000 PEC.

Per chiudere il discorso, penso che queste NAND flash da 3.200 MT/s potremmo vederle in un futuro SSD PCIe 5.0 "9200 PRO" (giusto per dargli un nome) o "9100 EVO Plus". Non penso che avrebbero molto senso nel 9100 PRO visto che il suo controller ha canali da 2.400 MT/s e le V8 TLC sono da 2.400 MT/s. Non penso neanche in un futuro SSD PCIe 6.0 visto che come ha detto il CEO di Silicon Motion vedremo il primo Gen6 consumer dal 2030 in poi (e poi per i Gen6 si potrebbe utilizzare le V10 da 4xxL).

P.S.: anche qui si utilizza la stessa tecnologia di Kioxia e Micron per eliminare i fori dummy, quindi si eliminano tutti i fori delle celle NAND flash non utilizzabili perché attraversati da un dielettrico per la separazione dei select gate drain (SGD).

Sembrava anche a me che qualcosa non funzionasse in Samsung con le V9. Tanta tecnologia annunciata e poi.. niente. Tutti sono più avanti.
I due blocchi incollati invece dei tre sicuramente aumentano la qualità di produzione ma certo non la qualità del prodotto finale. Si traduce in ottimizzazione e risparmio di produzione.
Altro non vedo di eclatante.
Gli indirizzi passano a 16 kb, la velocità più alta ma niente in confronto agli altri competitor, ed in più mi sembra che necessitino di più energia.

[@Liupen]

Boh! Sono un po perplesso su due cose riguardo questo ssd (certamente da data center e AI) di Kioxia.

La prima cosa è: quale controller usano per gestire così tante nand?
È un controller apposito? Un mix di controller per la gestione RAID di gruppi di ssd?
Mi pare difficile, anche se magari possibile, adattare uno dei controller prosumer a questa mole di memoria.

La seconda è: si parla anche di un formato 2,5”, ma mi chiedo, come ci stanno una 30ina di chip in quel formato?

Bello Black questo riassunto della storia giudiziaria di YMTC, ed ormai per me è chiaro che si “gioca sporco” da entrambe le parti: YMTC ha alle spalle dei grandi finanziamenti, gli USA copiazzano e screditano.

[Black (Wooden Law)]

Originariamente inviato da @Liupen

Boh! Sono un po perplesso su due cose riguardo questo ssd (certamente da data center e AI) di Kioxia.

La prima cosa è: quale controller usano per gestire così tante nand?
È un controller apposito? Un mix di controller per la gestione RAID di gruppi di ssd?

Infatti ieri che mi stavo spulciando le presentazioni sugli scorsi FMS ho visto questa presentazione in cui controller che supportano capacità da 256TB sono proiettati per il 2026 PCIe 6.0 non nel 2025 con PCIe 5.0. Quindi boh, chi lo sa come ha fatto Kioxia a raggiungere 256TB in un solo SSD. L'unica cosa che mi viene da pensare è che abbia messo in RAID due controller come hai detto tu.

Originariamente inviato da @Liupen

La seconda è: si parla anche di un formato 2,5”, ma mi chiedo, come ci stanno una 30ina di chip in quel formato?

No ma il taglio da 2,5'' non supera i 122,8TB, quindi quei 31 chip non esistono in quel caso. Anche il formato E3.S arriva a massimo 122,8TB (che tra l'altro sono comunque tanti per un SSD grande quanto un MX500).

Per questi due SSD, comunque, i chip sono 15 (122,8 / 8 = 15,35) che è un numero già più decente visto che tanti chip NAND flash li abbiamo già visti con i vecchi SATA 2,5'' (esempio super a caso con questo Intel 330 Series da 120GB).

[ChioSa]

Salve a tutti, mi consigliate un ssd 2.5 con DRAM? Avevo pensato al Samsung 870 EVO da 500gb? Eventuali alternative? Grazie

[Nicodemo Timoteo Taddeo]

Originariamente inviato da ChioSa

Salve a tutti, mi consigliate un ssd 2.5 con DRAM? Avevo pensato al Samsung 870 EVO da 500gb? Eventuali alternative? Grazie

Hai pensato bene con il Samsung, fino a qualche mese fa come alternativa si dava il Crucial MX500 ma ora è stata cessata la produzione, si trovano ancora in giro ma c'è il rischio di spendere troppo o di farti arrivare qualche esemplare difettoso o ricondizionato per svuotare i magazzini...

[@Liupen]

Non avevo letto bene.
Una ventina di chip Bics 8 penso sia il limite degli ssd in formato 2,5”.
Sinceramente penso che siano troppi TB persino per un data center, rischiare di perderli tutti insieme per una rottura accidentale, ne un accesso multiplo su tanta memoria per un solo controller possa rendere questi ssd particolarmente utili.
Questi SSD sono utili solo in contesti molto specifici (es. archiviazione fredda ad alta densità con ridondanza esterna), non adatti a workload dinamici o DC x AI

[DOC-BROWN]

Originariamente inviato da Nicodemo Timoteo Taddeo

Hai pensato bene con il Samsung, fino a qualche mese fa come alternativa si dava il Crucial MX500 ma ora è stata cessata la produzione, si trovano ancora in giro ma c'è il rischio di spendere troppo o di farti arrivare qualche esemplare difettoso o ricondizionato per svuotare i magazzini...

cioe' .... un colosso come la CRUCIAL ,ha chiuso ?

[Black (Wooden Law)]

Originariamente inviato da DOC-BROWN

cioe' .... un colosso come la CRUCIAL ,ha chiuso ?

Non ha chiuso, semplicemente ha fermato la produzione dell'MX500 essendo SATA III (obsoleto ormai).

[DOC-BROWN]

Originariamente inviato da Black (Wooden Law)

Non ha chiuso, semplicemente ha fermato la produzione dell'MX500 essendo SATA III (obsoleto ormai).

appunto mi pare strano ! sono rimasto mi sa indietro , SATA III obloleto ...

quindi ora cosa sono ?

[Black (Wooden Law)]

Originariamente inviato da DOC-BROWN

appunto mi pare strano ! sono rimasto mi sa indietro , SATA III obloleto ...

quindi ora cosa sono ?

Eh ora gli SSD attuali sono quelli NVMe PCIe, non più SATA III. Ora i SATA III vengono comprati soltanto per vecchi sistemi incompatibili con M.2 PCIe NVMe.

[Black (Wooden Law)]

@Liupen ma le BiCS9 non dovevano saltare? https://www.techpowerup.com/339276/k...gb-tlc-devices.

Le nuove BiCS FLASH 512 Gb TLC di nona generazione, sviluppate con un processo di impilamento a 120 layer basato sulla tecnologia BiCS FLASH di quinta generazione e sulla tecnologia CMOS avanzata, presentano significativi miglioramenti delle prestazioni rispetto agli attuali prodotti BiCS FLASH di Kioxia con la stessa capacità di 512 Gb.

A parte il fatto che 512Gb sono pochi rispetto alle BiCS8 che sono da 1Tb (TLC), ha senso che i gate totali di ogni deck siano 120 perché le BiCS8 hanno 241 gate in totale e quindi 120,5 gate per ogni deck (e ci sono due deck per ogni array NAND flash). Poi di questi 241 gate totali soltanto 218 sono utili alla memorizzazione dei dati e questi calcoli coincidono con quello che dice Block&Files in questo articolo delle BiCS10:

La generazione BiCS 9 di Kioxia e SanDisk utilizzerà una nuova tecnologia di interfaccia NAND nel suo strato logico CMOS accoppiata all'attuale package di celle NAND a 218 layer per ottenere prestazioni più elevate e un consumo energetico inferiore.

Comunque densità inferiori = più die all'interno dell'SSD con maggior interleaving e maggiori performance come sai anche tu, quindi questo potrebbe essere positivo. Però la frase "presentano significativi miglioramenti delle prestazioni rispetto agli attuali prodotti BiCS FLASH di Kioxia con la stessa capacità di 512 Gb" mi fa ridere perché gli unici attuali prodotti da 512Gb sono le BiCS6 e grazie al cacchio che hanno performance superiori le BiCS9, c'è una generazione intera di NAND flash in mezzo...

Non so neanche cosa intenda TPU con "tecnologia BiCS FLASH di quinta generazione" ma vabbè.