Toshiba e SanDisk: memorie a 20nm nel 2010

Toshiba e SanDisk hanno recentemente annunciato la strategia per l'avvio della produzione in volumi di soluzioni NAND Flash realizzate con processo produttivo a 20 nanometri. La produzione e le consegne avverranno nel corso della seconda metà del 2010. Parallelamente alla migrazione del processo produttivo, lo stabilimento di SanDisk e Toshiba situato a Yokkaichi incrementerà la capacità di produzione mensile arrivando a circa 200 mila wafer.

Toshiba ha da poco avviato la produzione dei chip a 32nm di tipo 3bpc (3-bit per cell); secondo l'azienda giapponese la produzione 32 nanometri andrà a costituire più del 50% della produzione complessiva dello stabilimento di Yokkaichi entro la fine del 2009.

La concorrenza, rappresentata principalmente dalla joint-venture Intel - Micron Technology, dovrebbe introdurre il processo produttivo da 20 nanometri entro la fine del 2009. La produzione dei chip NAND flash da 32Gbit utilizzando il processo 3bpc a 34nm è invece programmato per prendere il via presso gli stabilimenti IM Flash Technologies.

Anche Samsung è molto attiva su questo fronte. Il colosso coreano sta portando avanti una serie di operazioni ristrutturazione alla fabbrica di Austin, in Texas, in modo tale da poter rendere la produzione compatibile con l'impiego di wafer da 12 pollici per produrre un maggior volume di chip NAND flash per la seconda metà del 2010. Attualmente Samsung produce memorie NAND utilizzando il processo a 42nm.