IBM, nuovo record di velocità del silicio: 500 GHz

IBM, in collaborazione con il Georgia Institute of Technology, ha realizzato un prototipo funzionante di chip basato su tecnologia SiGe (Silicio-Germanio) operante alla spaventosa velocità di circa 500 GHz, pur con qualche distinguo da fare. Tale frequenza, in assoluto elevatissima, è stata raggiunta facendo operare il chip alla temperatura di 4,5°K, ovvero -268.65° centigradi.

Siamo ovviamente di fronte ad una situazione limite che difficilmente troverà applicazione pratica in situazioni normali, sfruttata più che altro per battere il record precedente. Ciononostante, il suddetto chip opera a temperatura ambiente alla frequenza di ben 350 GHz, molto meno che a 4,5°K ma circa un centinaio di volte più velocemente rispetto ai miglior chip attualmente in commercio.

I risultati conseguiti da IBM sono frutto di più di 40 anni di studi, che hanno portato negli anni passati alla scoperta di molte nuove vie per i chip basati sul silicio. E' il caso infatti dei chip ad alta velocità in SiGe (Silicio-Germanio), tecnologia IBM che consente importanti miglioramenti in termini di frequenza operativa, tensione, rumore e alimentazione, in particolare nei moderni dispositivi portatili wireless (fonte: IBM).

L'applicazione pratica di tali chip saranno ovviamente i "soliti" settori eletti, come quello delle comunicazioni commerciali, l'ambito aerospaziale e quello militare. Ciò non esclude in ogni caso l' utilizzo di tale tecnologia in massa, una volta raggiunto un costo compatibile con il mercato. Prime applicazioni pratiche? Alcune voci parlano di circa due anni di attesa, un futuro nemmeno troppo lontano.

Ulteriori notizie ed informazioni sono reperibili sul sito EETimes, in lingua inglese.

Approfondimenti sulla tecnologia SiGe: IBM SiGe BiCMOS e SiGe