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#41 |
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xchè la risposta è sbagliata?
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#42 | |
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i dispositivi di potenza, non solo il bjt, sono usati soprattutto in circuiti di potenza, solitamente convertitori...in questi circuiti funzionano più che altro da interruttori, quindi in pratica devono essere in grado di bloccare grosse tensioni quando sono spenti, anche dell'ordine di 1000 V. |
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#43 |
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Senior Member
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è assurdo che tu mi abbia corretto, e poi abbia sbagliato a scrivere...
a parte quello, Is è la corrente inversa di giunzione (equivalente) : che dipende da temperatura, area di superficie e concentrazione di drogante... mi fa strano che tu non abbia risposto con questa banalissima frase, se è vero che ti sei sviluppato tutte le espressioni del caso... quello è il fattore comune a tutti i contributi di corrente nelle leggi del bjt poi c'è l'esponenziale, che è il contributo dominante, ma non l'unico... il termine Is*e^Veb è il contributo domininante della corrente di emettitore per un Bjt di tipo Pnp in polarizzazione normale diretta, da esso dipendono le correnti di collettore e base attraverso due parametri, af e Bf rispettivamente... ignorando questo quando vai a studiare un circuito a bjt non ci capisci una fava a livello complessivo, ergo diventa improbabile affrontare le configurazioni elementari del bjt, figuriamoci parlare di banda passante impedenza di ingresso e impedenza di uscita.. quando mi chiederai "perchè hai usato questa configurazione?" la risposta sarà arabo.. |
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#44 | |
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Senior Member
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mi sono limitato a dare una risposta generica, del resto non mi pare che abbiamo definito una simbologia quindi quell'Is x me potrebbe indicare qualsiasi cosa!Considera che io non ho studiato la teoria dal Sedra. Ad ogni modo mi rendo conto che è molto difficile discutere di questi argomenti senza convenzioni, immagini e formule. Studierò meglio il Sedra ed esporrò successivamente i miei dubbi Grazie a tutti.
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#45 | ||
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non era un'insulto...
inizialmente sbagliando ho scritto Is^Veb quando hai quotato il mio post, nel quote era riportato (correttamente) Is*e^Veb se non l'hai editato tu non so chi l'abbia fatto... mah... solo successivamente ho corretto il mio post originale... Quote:
Quote:
ancora meglio il muller kamins in particolare: il modello per larghi segnali, a pagina 348 il modello per piccoli segnali a pagina 354 |
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#46 | |
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Senior Member
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nn mi ero neanche accorto che tu avessi sbagliato...figurati quanto peso ho dato alla mia risposta. E' questo il problema del non parlarsi a 4 occhi, ci si fraintende e nn ci si corregge sul momento!
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#47 | |
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a quel punto vedrai che il modello di ebers-moll definisce 4 parametri da cui si ricavano guadagno diretto e inverso e quindi ti viene immediatamente la teoria sugli amplificatori... |
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#48 | |
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Senior Member
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Allora, mi sono rivisto tutte la fisica del transistor e ripassato le equazioni del caso. Scrivo qui per cercare conferma e per fissare le idee. Con riferimento al Sedra, sezione 5.3.1, pagine 410\11\12\13 (pdf: 220 221): Dato il circuito in figura 5.26a per un qualsiasi altro ipotetico dispositivo si avrebbe che la tensione Vce (Voutput) risulterebbe essere indipendente dalla tensione Vbe (Vinput). In realtà questo non si verifica in quanto la tensione Vbe controlla la corrente ic mediante una relazione esponenziale (effetto transistor). Questo implica che una piccola variazione ( o meglio oscillazione) in Vbe si traduca in una oscillazione molto più marcata ( amplificata di un fattore Av) della tensione Vce. Tale variazione è rappresentata dalla pendenza della tangente alla curva Vo\Vi nella regione in cui il t. è polarizzato in maniera attiva diretta.Tale pendenza è frutto del termine esponenziale. E' questa la corretta interpretazione? Grazie. Dario.
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#49 |
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#50 | |
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scusa per il ritardo... ho visto solo ora il post;
Quote:
noi abbiamo per le mani un dispositivo, ciò che ci interessa, è vedere cosa possiamo fargli fare: la prima cosa da esaminare è la configurazione del transistor. quello in figura è in configurazione ad emettitore comune, e pertanto si suppone che la corrente di uscita sia nulla. ( nell'esame delle configurazioni vedrai che tra il terminale di uscita e il carico viene interposto un condensatore che blocca la componente continua.) individuata la configurazione si procede individuando le conseguenze che discendono dalla configurazione: ovvero si cerca di capire chi sono Vb Vc e Ve, e quindi si calcolano Vce Vbe e Vbc perchè da esse dipende la regione di funzionamento del transistor. a questo punto si valuta, per prima cosa, cosa succede in continua: l'ipotesi di corrente di uscita nulla implica che tutta la corrente di collettore circoli attraverso la resistenza Rc, e pertanto tale corrente determina una caduta di tensione ai capi della resistenza in esame. quindi : Vout = Vc-(Ic*Rc) dato che maggiore è la corrente di uscita, minore è la tensione di uscita, se aumenta la tensione ( e la corrente,ricordati di Rpigrega), in ingresso, diminuisce la tensione di uscita. infatti se in ingresso c'è corrente nulla o, equivalentemente, tensione nulla, la corrente di collettore sarà nulla quindi Vout = Vc, quando invece la tensione di ingresso aumenta la corrente di collettore aumenta e quindi la tensione diminuisce, avvicinandosi asintoticamente a zero. da qui si ottiene la caratteristica ingresso uscita, che ovviamente ha pendenza negativa, e confrontando quest'ultima con le condizioni di polarizzazione delle due giunzioni si individuano le regioni della caratteristica associate al polarizzazione diretta, quella inversa, la saturazione e l'interdizione, segnando i punti di passaggio, individuando cioè i valori di Vi e di Vout, assunti in corrispondenza del limite tra due regioni. alla fine si esamina il comportamento alle variazioni, ( ed eventualmente si "scindono" medie frequenze ed alte frequenze, ma lo vedrai più avanti ): per prima cosa dobbiamo ricordare che il dispositivo è non lineare, quindi per studiare il sistema, dobbiamo cercare una regione in cui il comportamento del dispositivo sia lineare, che è dato da quei punti per cui la caratteristica può essere approssimata con la sua tangente. abbiamo due modi di descrivere il fenomeno, quello simi-libro: nelle regioni di saturazione ed interdizione la tangente è orizzontale, quindi finchè il dispositivo è in quello stato, piccoli scostamenti del segnale in ingresso non si riflettono sull'uscita, che puntualmente non ci fa capire una mazza, tipica dei testi italiani, e quella "in soldoni": poichè il dispositivo è interdetto e la tensione di ingresso è lontana dalla tensione di soglia, che è la tensione che separa lo stato attivo da quello interdetto, delle piccole oscillazioni dell'ingresso non sono suficienti a polarizzare le giunzioni e a far passare corrente, quindi la tensione di uscita non varia: mettendo tutto insieme otteniamo che: se ci spostiamo lungo l'asse delle ascisse, di poco, rispetto alla tensione di partenza, sulla caratteristica ci muoviamo su un tratto orizzontale, che va a coincidere con la tangente, se riportiamo sull'asse delle ordinate, i valori di tensione, del punto che scorre sulla caratteristica, vediamo che tale proiezione non si muove, cioè la tensione di uscita non varia. senza dilungarmi, osservi da te che se applichiamo una forte tensione continua in ingresso, e portiamo il dispositivo in saturazione, la cosa si ripete in modo perfettamente identico. cosa succede invece nella regione attiva? in questo caso poichè la caratteristica è quasi verticale e coincide per un tratto piuttosto esteso con la sua tangente, vediamo che la caratteristica è, in prima approssimazione, lineare, cioè avremo che l'uscita sarà proporzionale all'ingresso, e la costante di proporzionalità è data dal coefficiente angolare della tangente (che poi non è che una derivata.) se quindi applichiamo una tensione in ingresso, che ci porti al centro del tratto verticale, possiamo individuare tale tensione spiccando la normale all'asse delle ascisse che intersechi la caratteristica nel punto voluto. vediamo che applicando quella tensione costante, in uscita avremo una corrispondente tensione costante: abbiamo polarizzato il transistor per farlo lavorare nella regione attiva, il punto associato alla tensione di ingresso e di uscita si chiama punto di lavoro e lo identifichiamo con Q. detto questo va da se che se facciamo variare in misura limitata , (ricordiamoci che stiamo esaminando il comportamento alle variazioni) , la tensione in ingresso, il dispositivo presenta, come volevamo, una tensione di uscita proporzionale all'ingresso, di più la costante di proporzionalità, in modulo, è molto grande, cioè scostamenti in ingresso piccoli permettono di avere in uscita escursioni molto grandi.. questo rappresenta potenzialmente un problema: cosa succede se in ingresso abbiamo escursioni grandi? il punto rappresentativo si allontana troppo dal punto di lavoro e usciamo dall'ipotesi di piccole oscillazioni, la prima approssimazione va a farsi friggere e abbiamo una cosa poco gradita: la distorsione... per questo dobbiamo abbassare la pendenza, vedrai più avanti come si fa, oppure dobbiamo limitare l'ampiezza del segnale di ingresso... altra cosa: se abbiamo un segnale che, in ingresso si scosta sempre verso l'alto rispetto al punto di lavoro oppure sempre verso il basso, andremo a sfruttare soltanto una parte della caratteristica incontrando prematuramente la distorsione, ad esempio, per ovviare al problema spostiamo il punto di lavoro in questo modo portiamo il range di tensioni in uscita, sempre a cavallo del tratto lineare, in modo da sfruttare al meglio il transistor: come dove si sposta il punto di lavoro per escursioni verso l'alto? ma in alto ovviamente, dobbiamo cioè abbassare la tensione di polarizzazione, in modo che la tensione di uscita sia libera di scendere senza incontrare la regione di saturazione... il resto te lo lascio per casa... è tutto, o almeno credo... PS. ma sta roba non era già scritta sul sedra? PPS. nota il differente punto di vista tra la mia descrizione e la tua, il grafico non è "conseguenza" di un fenomeno, ma una rappresentazione del fenomeno, i vari aspetti del grafico descrivono le relazioni tra grandezze: questa chiave di lettura è necessaria per capire tali grafici, altrimenti più avanti diventerai scemo, per interpretare diagrammi più complessi, quindi devi sempre chiederti cosa rappresentano i vari elementi del grafico.. quindi evita di pensare al condizionale Ultima modifica di hibone : 17-11-2008 alle 23:55. |
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Senior Member
Iscritto dal: Feb 2003
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hibone, sei impeccabile come ti avrò gia detto più volte, però, se mi consenti mi pare che tu manchi di empatia, usando il termine in senso improprio.
Cioè se leggi bene quello che io ho scritto è un riassunto (infinitamente meno accurato) di questa tua frase: "cosa succede invece nella regione attiva? in questo caso poichè la caratteristica è quasi verticale e coincide per un tratto piuttosto esteso con la sua tangente, vediamo che la caratteristica è, in prima approssimazione, lineare, cioè avremo che l'uscita sarà proporzionale all'ingresso, e la costante di proporzionalità è data dal coefficiente angolare della tangente (che poi non è che una derivata.) se quindi applichiamo una tensione in ingresso, che ci porti al centro del tratto verticale, possiamo individuare tale tensione spiccando la normale all'asse delle ascisse che intersechi la caratteristica nel punto voluto. vediamo che applicando quella tensione costante, in uscita avremo una corrispondente tensione costante: abbiamo polarizzato il transistor per farlo lavorare nella regione attiva, il punto associato alla tensione di ingresso e di uscita si chiama punto di lavoro e lo identifichiamo con Q. detto questo va da se che se facciamo variare in misura limitata , (ricordiamoci che stiamo esaminando il comportamento alle variazioni) , la tensione in ingresso, il dispositivo presenta, come volevamo, una tensione di uscita proporzionale all'ingresso, di più la costante di proporzionalità, in modulo, è molto grande, cioè scostamenti in ingresso piccoli permettono di avere in uscita escursioni molto grandi.. " Forse ho lasciato intendere che il fenomeno è conseguenza del grafico ma se noti la questione del grafico l'ho messa dopo aver fatto le considerazioni sull'equzione cercando di mettere in evidenza il fatto che una tensione agisce sulla caduta di potenziale ai capi di un'altra resistenza regolando la corrente che in questa fluisce. Il grafico è semplicemente una conseguenza del fenomeno che VA CAPITO. Il grafico ti da una rappresentazione intuitiva, da dove deriva il grafico te lo devi spiegare da te guardando ai dettagli. In verità tu ti sei proccupato di specificare una cosa che io avevo barbaramente omesso, e cioè che in quel tratto la caratteristica è lineare e dunque lineare è la proporzionalità tra Vin e Vout. Insomma Hibone io e te non ci si capisce Questo non mi impedisce di ringraziarti comuque per la disponibiltà Comuque la critica che mi hai giustamente rivolto sui punti di vista differenti dovresti in realtà farla all'autore del testo: Infatti se noti il testo introduce gli amplificatori proprio con quel grafico li! (vedi sezioni 1.4, 1.5) Cioè non ti dice subito da dove esce il grafico! e ti dirò di più il mio frettolosissimo prof tutte queste considerazioni che mi sto andando a fare io non le ha minimamente accennate, ma presto farà un esonero con tanto di crcuiti da risolvere e simulazione in p-spice. inoltre sono io che ai miei colleghi di corso sto facendo presente che esiste il Sedra a risolvere i nostri problemi. Pensa che ci ha spiegato p quali sono i problemi che determinano a basse freq i condensatori di disaccoppiamento ma non ci ha spiegato perchè si mettono! La questione sulla necessità di polarizzare bene il transistor e di scegliersi un punto di lavoro idoneo è chiara e limpida. ciò che mi interessa è che ora ho capito grazie a queste semplici 2 paginette è perchè dato quel circuito, posso raccogliere un segnale adeguatamente amplificato. certe volte, causa la mia tendenza ad "approssimare", mi pare che tu mi prenda x un minchione
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"E' dall'alto che ci dividono, è là in alto che inventano il pericolo ! " Ultima modifica di dario fgx : 18-11-2008 alle 12:34. |
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dato che l'impianto generale della spiegazione mette in luce quello che uno ha capito, se la descrizione viene impostata male il prof immediatamente ti secca. aggiungo una cosa, nel post precedente ho voluto affrontare l'analisi del transistor in modo sistematico, quello è l'approccio che si usa nello studio di un circuito elettonico, l'esplicitazione di tale metodo la trovi anche sul sedra, dopo aver affrontato amplificatori differenziali etc... Quote:
cosa?non per essere pedante, ma parlando a questo modo ad un prof ti tagli le gambe... Quote:
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alle volte può anche essere un cattivo prof... questo va messo in conto... che libri ha consigliato? Quote:
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dall'approssimazione al pressappochismo il passo è breve, per questo preferisco descrivere una cosa in maniera chiara, anche a rischio di essere pedante. elementi che io do per scontati potrebbero nn esserlo, e in un argomento delicato, come un esame, soprattutto se complesso, la chiarezza è tutto... |
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#53 |
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Nuova Domanda
assodate tutte queste belle cose.
Ora vorrei cercare di capire una cosa. Noi abbiamo schematizzato il transistor introducendo un generatore di corrente (con riferimento a pagina 401 figura 5.20, pdf:215) Inoltre nella equazione 5.50 ( pag 410) ed in ciò che segue diciamo che la corrente Ic la controlliamo con Vbe. Ma dunque tale corrente prescinde dalla resistenza di collettore? Con riferimento all'equazione 5.34 di pag 390(derivante dal modello di E.M.) vediamo che fintanto che manteniamo la giunzione collettore\base inversamente polarizzata il secondo termine a destra della 5.34 è trascurabile. Dunque, riferendoci ancora al circuito di figura 5.26a, se noi mettessimo Vcc ad un potenziale molto alto (ad esempio 30v) potremmo scegliere Rc molto grande ma avere ancora il collettore più alto della base di almeno 0.4v, per certi valori di corrente Ic magari gli stessi di prima, dunque avere il transistor che non entra in saturazione comunque. però in questo modo avremmo la stessa Ic su una Rc molto grande? E' corretto? E' di utilità pratica?
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#54 |
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oops postato assime!
rispondo dopo all'altro post.
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#55 | ||||
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se ti riferisci alla figura 5.26, è chiaro che la corrente di collettore non dipende dalla resistenza di collettore. Quote:
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Ammesso, e non concesso, che il transistor sia in grado si sopportare tensioni e correnti arbitrariamente grandi sui 3 rami, e che quindi non si bruci prima di saturare: Cosa mi impedisce di applicare in ingresso una tensione pari a Vcc? Cosa mi impedisce d avere Vc = 0? La corrente Ic, è vincolata a Rc dalla sola legge di ohm... Vcc-Vc = Rc*Ic Quote:
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#56 | |||
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#57 | ||
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prima di cominciare, in merito a questo post c'è nulla da dire?
http://www.hwupgrade.it/forum/showpo...2&postcount=52 Ro non è la resistenza di collettore, ma la resistenza di uscita, serve a modellare l'effetto early, concettualmente è tutta un'alta cosa.. Quote:
il bjt è costituito di due giunzioni PN e dalla caratteristica del diodo vedi che finchè la tensione è sotto gli 0.6 volt il contributo di quell' "1" non è trascurabile... solo quando il punto di lavoro è sul tratto quasi lineare, in genere è possibile trascurarlo. Quote:
vedo che il masochismo non ti manca...ok buon divertimento... hai tutto il capitolo 14 del sedra |
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#58 |
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si ho capito cosa è r0, lasciamo stare questo argomento. effettivamente c'è qualcosa da dire su quel post, ma il ragionamento sarebbe vasto, forse perchè, da quel che mi pare di capire, tu hai vissuto in una università quando c'era un'ordinamento completamente da quello che c'è adesso (per mia sfortuna).Dunque tralasciando questa discussione e restando in topic tu hai scritto: " cosa? non per essere pedante, ma parlando a questo modo ad un prof ti tagli le gambe... " ,in riferimento alla mia frase: " una tensione agisce sulla caduta di potenziale ai capi di un'altra resistenza regolando la corrente che in questa fluisce. " Di fatto noi cambiamo il termine Rc*Ic controllando Ic mediante exp[Vbe\Vt] non vedo dove sia l'assurdità!?
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cosa?
vedo che il masochismo non ti manca...









