IBM annuncia passi avanti per il processo a 32 nanometri

[coschizza]

Originariamente inviato da Zem

Si sa del limite assoluto oltre il quale
bisognerà cambiare tecnologia ?
No perchè lo vedo sempre più vicino.

per parlare solo a grandi linee dell'argomento dovremmo scrivere una libro quindi ti passo direttamente un documento ufficiale tratto dal sito

http://www.itrs.net/Links/2007ITRS/Home2007.htm

il documento ini dettaglio è:

http://www.itrs.net/Links/2007ITRS/2...ithography.pdf

riassumento i dati (che comunque sono puramente teorici perche se vai a leggere i report annuali si ritoccano anno dopo anno) vedi che i limiti teorici sono

25nm nel 2015

e nell'analisi a lungo termine

11nm nel 2022

poi dipende dal tipo di circuito in analisi perche le memorie e le cpu hanno delle roadmap un po diverse come tempistiche

non vivremo abbastanza a lungo per vedere un vero limite (noi), tra cambio di litografie e materiali ne abbianmo ancora da scoprire di soluzioni

[kralin]

Originariamente inviato da coschizza

per parlare solo a grandi linee dell'argomento dovremmo scrivere una libro quindi ti passo direttamente un documento ufficiale tratto dal sito

http://www.itrs.net/Links/2007ITRS/Home2007.htm

il documento ini dettaglio è:

http://www.itrs.net/Links/2007ITRS/2...ithography.pdf

riassumento i dati (che comunque sono puramente teorici perche se vai a leggere i report annuali si ritoccano anno dopo anno) vedi che i limiti teorici sono

25nm nel 2015

e nell'analisi a lungo termine

11nm nel 2022

poi dipende dal tipo di circuito in analisi perche le memorie e le cpu hanno delle roadmap un po diverse come tempistiche

non vivremo abbastanza a lungo per vedere un vero limite (noi), tra cambio di litografie e materiali ne abbianmo ancora da scoprire di soluzioni

parla per te... sgrat....sgrat...

[X1l10on88]

I limiti su cui vi crogiolate ora si limitano a considerare materiali presenti sulla terra...

[SkedO]

Il limite massimo è quello dato dai processi di stampa del silcio.. dopodichè credo si possa davvero parlare di "cambio di tecnologia"..

Prova a dare un'occhiata a questo link, è davvero interessante a mio avviso..

http://www.privacy.it/hofmann20010924.html

[PsYcHo 23]

tanto x fare il punto della situazione: tra 1 pochino salteranno fuori processori con bus di comunicazione ottico copaci di incrementare di circa 100 volte le prestazioni,unito alla scoperta di 1 nuovo materiale ke nn risente dell'aumentare della temperatura e incrementa la tensione supportata dal materiale di circa 5 volte,poi mettiamoci le memorie a cambiamento di fase ancora in fase di ottimizzazione ma già operative(circa 1000 volte + performanti delle attuali memorie ddr2),e condiamo il tutto con 1 hd con nuova tecnologia rivoluzionaria citata 2 gg fà che unisce le velocità delle memorie flash e il maggior contenimento dei dati... a tutto questo aggiungete il fatto ke sarà possibile costruire tridimensionalmente dei transistor come citava kata_jamaica e confermo xkè ho letto qualcosa di simile qualke giorno fà! ora fatevi 2 calcoli su ke astronave girerà il vostro starcraft2 tra 10 anni.....

[PsYcHo 23]

http://www.tomshw.it/news.php?newsid=13743
ah scusate questo l'ho appena letto....aggiungetelo al resto....

[BlueKnight]

Originariamente inviato da PsYcHo 23

tanto x fare il punto della situazione: tra 1 pochino salteranno fuori processori con bus di comunicazione ottico copaci di incrementare di circa 100 volte le prestazioni,unito alla scoperta di 1 nuovo materiale ke nn risente dell'aumentare della temperatura e incrementa la tensione supportata dal materiale di circa 5 volte,poi mettiamoci le memorie a cambiamento di fase ancora in fase di ottimizzazione ma già operative(circa 1000 volte + performanti delle attuali memorie ddr2),e condiamo il tutto con 1 hd con nuova tecnologia rivoluzionaria citata 2 gg fà che unisce le velocità delle memorie flash e il maggior contenimento dei dati... a tutto questo aggiungete il fatto ke sarà possibile costruire tridimensionalmente dei transistor come citava kata_jamaica e confermo xkè ho letto qualcosa di simile qualke giorno fà! ora fatevi 2 calcoli su ke astronave girerà il vostro starcraft2 tra 10 anni.....

Tra l'altro non volei deluderti..ma Starcraft 2 dovrebbe uscire al più tardi nel 2009, quindi ci giocherò al massimo su un Nehalem.

[TheAlchemist]

Originariamente inviato da Zem

Si sa del limite assoluto oltre il quale
bisognerà cambiare tecnologia ?
No perchè lo vedo sempre più vicino.

Vedi, c'è un limite ultimo imposto da un certo numero di atomi che ti permette di definire il "silicio", ad esempio, ancora silicio. Prima si diceva che servisse una pila di 16 layer atomici, ora un certo Rodriguez (non ricordo se si scrive così, ma è uno dei più esperti nanotecnologi al mondo) afferma che si può definire "silicio" anche una pila di 13 layer atomici.
Ad ogni modo, dipende tutto da ciò che è chiamato "modulo di Young". Ecco perché si cercano ora materiali ad alto k. Tali materiali riducono di molto l'effetto tunnel quantistico che si ha inevitabilmente per larghezze di canale così piccole, perché è tale effetto ad essere il fattore limitante a causa delle correnti di dispersioni attraverso l'ossido di gate.

[ViniVeri]

Il passaggio 45 --> 32 è importante. Quello 32 --> 28 mi sembra un tantino inutile, ma evidentemente non riuscivano ad andare ai 22nm immediatamente

[TheAlchemist]

Originariamente inviato da ViniVeri

Il passaggio 45 --> 32 è importante. Quello 32 --> 28 mi sembra un tantino inutile, ma evidentemente non riuscivano ad andare ai 22nm immediatamente

Non devi pensare ad un singolo MOS ma al fatto che in un microprocessore ce ne sono attorno all'ordine del miliardo, quindi aumenta in modo non proprio trascurabile il numero di devices a parità di area
Aumenta a tal punto da giustificare l'incremento prestazionale indicato nell'articolo

[ViniVeri]

Originariamente inviato da TheAlchemist

Non devi pensare ad un singolo MOS ma al fatto che in un microprocessore ce ne sono attorno all'ordine del miliardo, quindi aumenta in modo non proprio trascurabile il numero di devices a parità di area
Aumenta a tal punto da giustificare l'incremento prestazionale indicato nell'articolo

Sì, lo so, ma un passaggio da 32 a 28 avrà un incremento di produttività davvero basso (+ 15%), decisamente inferiore all'oltre 35% dello step 32 rispetto al 45nm.

[Zem]

Originariamente inviato da SkedO

Il limite massimo è quello dato dai processi di stampa del silcio.. dopodichè credo si possa davvero parlare di "cambio di tecnologia"..

Prova a dare un'occhiata a questo link, è davvero interessante a mio avviso..

http://www.privacy.it/hofmann20010924.html

Interessante.
Lo vedo meglio come approccio rispetto
a creare un transistor tridimensionale.
Con i nanotubi dai fogli di carbonio
si possono ricavare dispositivi e connessioni
senza avere nella miniaturizzazione
il problema di smaltire la temperatura.
Poi se non sbaglio è una tecnologia
a breve termine.
IBM sta cercando di fondere le due
tecnologie nanotubi e DNA intendo.
E' incredibile pensare che non si può
risolvere il problema del ''rappresentante
nella città'' con i processori attuali.

[ViniVeri]

Originariamente inviato da Zem

E' incredibile pensare che non si può
risolvere il problema del ''rappresentante
nella città'' con i processori attuali.

Come no? Col mio Garmin lo risolvo in pochi secondi

[Pincus82]

Vorrei sottolineare un po' di baggianate sparate a destra e a manca.
I problemi di canale corto non e' certo la saturazione della corrente di drift. Semplificando molto si puo' dire che che non riesci a spegnere completamente il dispositivo ed hai una corrente a tensione nulla (leakage) molto elevata con conseguente consumo di potenza inutile e rischio di malfunzionamenti.
Come ti viene in mente di parlare di dispositivi freddi? Se consideri la densita' di corrente che passa in questi dispositivi arriviamo ad una enorme densita' di potenza paragonabile a potentissime esplosioni.
Ultimo appunto, scendendo al di sotto dei 32nm probabilmente si fara' uso di diverse architetture del dispositivo come i FinFet o TriGateTransistor che e' UN transistor con TRE gates e non viceversa.
Informarsi prima di inserire commenti sarebbe una buona cosa.

[redy81]

Tecnicamente sono stati dimostrati FinFET sotto i 10nm funzionanti e, sempre in teoria, si dovrebbe poter scendere ancora qualcosa.
Rimane sempre il problema dei 60mV/dec che non è superabile, quindi la tensione di alimentazione scala fino ad un certo punto. Perchè poi non si riesce a spegnere in modo decente il dispositivo.
Quoto sulla velocità di saturazione, che non è un problema (anche perchè Vdsat ha il segno meno nel calcolo della Idsat...). Il problema, semmai, sono gli effetti quantistici e di canale corto come il DIBL e compagnia.
I dati dell'ITRS sono puramente industriali; li ritoccano in base a come si modficano le capacità di produzione; se uno guarda i report del 1990, vede che nel '95 si sarebbe dovuto raggiungere il limite.
Anche sugli HighK vedo un po' di confusione : questi materiali (che si usano per fare l'ossido di gate) hanno una costante dielettrica alta, quindi è possibile usare uno spessore maggiore ed avere lo stesso il controllo del canale.
Il futuro prossimo sarà dei dispositivi multigate: FinFET, Triple gate, P-gate, Omega-Gate, GAA.

Comunque, che ci fossero problemi di integrazione era chiarissimo all'uscita dei processori multi core: non si riusciva a scalare le prestazioni come prima, allora è stato più semplice mettere più core in un chip...

[Zem]

Originariamente inviato da redy81

Tecnicamente sono stati dimostrati FinFET sotto i 10nm funzionanti e, sempre in teoria, si dovrebbe poter scendere ancora qualcosa.
Rimane sempre il problema dei 60mV/dec che non è superabile, quindi la tensione di alimentazione scala fino ad un certo punto. Perchè poi non si riesce a spegnere in modo decente il dispositivo.
Quoto sulla velocità di saturazione, che non è un problema (anche perchè Vdsat ha il segno meno nel calcolo della Idsat...). Il problema, semmai, sono gli effetti quantistici e di canale corto come il DIBL e compagnia.
I dati dell'ITRS sono puramente industriali; li ritoccano in base a come si modficano le capacità di produzione; se uno guarda i report del 1990, vede che nel '95 si sarebbe dovuto raggiungere il limite.
Anche sugli HighK vedo un po' di confusione : questi materiali (che si usano per fare l'ossido di gate) hanno una costante dielettrica alta, quindi è possibile usare uno spessore maggiore ed avere lo stesso il controllo del canale.
Il futuro prossimo sarà dei dispositivi multigate: FinFET, Triple gate, P-gate, Omega-Gate, GAA.

Comunque, che ci fossero problemi di integrazione era chiarissimo all'uscita dei processori multi core: non si riusciva a scalare le prestazioni come prima, allora è stato più semplice mettere più core in un chip...

Adesso è chiaro.
Stanno prendendo tempo con i multicore.
Non ce la fanno a scendere in tempi brevi
se non cambiando tecnologia.
Il problema resta il solito sopratutto per
la fascia desktop.
Come li sfrutteranno tutti questi core ?
Sono fortunati solo i server.