[Thread Ufficiale] Aspettando Bulldozer *leggere prima pagina con attenzione*

[Spitfire84]

Originariamente inviato da capitan_crasy

Sinceramente parlando non posso postare tutto quello che sento, anche se arriva da un "canale" particolare; aspettiamo le notizie ufficiali...

un'ultima domanda a riguardo..non è lo stesso canale che forniva info confortanti sul core agena, vero?

[bjt2]

Originariamente inviato da paolo.oliva2

Per il discorso "compromesso" tra superficie die e grandezza transistor, questo primo film è "ottimizzato" per le frequenze del 32nm HKMG oppure, visto che in un secondo tempo c'è il low-k e le frequenze dovrebbero aumentare ulteriormente, si potrebbero essere tenuti più di manica larga?

Un'altra domanda... i 12 mesi occorsi al Thuban, sono imputabili più alle modifiche dell'architettura o allo step di silicio integrante il low-k? E di conseguenza... quanto potrebbere occorrere ad AMD per integrare il low-k? Prima dovrebbero produrre a volume per diversi mesi con il 32nm HKMG per arrivare ad un ottimo yield per poi passare al low-k, oppure potrebbero andare avanti con il low-k in parallelo?

Credo che i transistors non siano cambiati da prima e dopo il low-k... Il muro si è alzato semplicemente per il low-k...

[carlottoIIx6]

Originariamente inviato da capitan_crasy

I primi sample di Llano saranno distribuiti solamente del Q2 2011; ciò significa che AMD ha dovuto optare su un nuovo stepping per correggere qualcosa di "grosso"...

ma che vuol dire

liano production shipments expected in 1H 2011

??????????

non vuol dire che li producono in massa da gennaio???
se fosse così li potremmo vedere molto presto...

[floydbarber]

1H dovrebbe essere 1st Half cioè prima metà. Da gennaio a giugno è abbastanza vago. Mi sa che è più verso giugno

[^Robbie^]

Originariamente inviato da floydbarber

1H dovrebbe essere 1st Half cioè prima metà. Da gennaio a giugno è abbastanza vago. Mi sa che è più verso giugno

Magari se riescono a migliorare la resa produttiva entro fine anno potremmo anche sperare di vederli al CeBIT a marzo.

Byez!

[paolo.oliva2]

Originariamente inviato da ^Robbie^

Magari se riescono a migliorare la resa produttiva entro fine anno potremmo anche sperare di vederli al CeBIT a marzo.

Byez!

L'entrata in commercio secondo me è condizionato dal prezzo che AMD vorrebbe applicare. Se ad esempio avesse una resa del 50% (catastrofissima), teoricamente potrebbe semplicemente commercializzarlo domani ad un prezzo doppio.
Il fatto che AMD voglia aumentare la resa indica certamente che AMD punta a prezzi bassi.
Se il ritardo lo si vuole interpretare dannoso per AMD, siamo tutti d'accordo, se invece lo vediamo dal nostro punto di vista, aspettare 1-2-3 mesi ma pagarlo molto meno, a me non sembrerebbe un danno.
Non possiamo pensare che AMD stia tardando la produzione in volumi per 10€ in meno sul prezzo finale.
Infatti questa data così lunga, 6 mesi, secondo me rappresenta di per sé che potrebbe produrlo sia a fine anno ma a prezzi alti che a venire a prezzi più bassi.
Può darsi, ma ipotizzo, che AMD non possa proporre Llano ad un prezzo più alto perché si sovrapporrebbe ad un BD X4 + VGA a parte che nelle versioni base potrebbe essere molto competitivo e offrire comunque potenze ben maggiori, incasinandogli l'offerta dell'intera gamma.

[dark.halo]

Originariamente inviato da ^Robbie^

Magari se riescono a migliorare la resa produttiva entro fine anno potremmo anche sperare di vederli al CeBIT a marzo.

Byez!

Quoto in fondo hanno detto per l'estate.
Quindi puo essere che presenteranno tutto al Cebit (Llano e Bd). e probabilmente c'e li ritroveremo sugli scaffali in un tempo stimato di 40 giorni,per cui io vedrei propizio Bd a fine maggio e llano a fine giugno con un ritardo di un mese.

[paolo.oliva2]

Se interessa sto lavoro, si potrebbe sapere qualche cosa di più Qui

C'è un interessante discorso sulla L3 di BD e forse di Llano che si aggancia sui discorsi di MC-L3 veloci

http://www.amdzone.com/phpbb3/viewto...?f=52&p=190071 e seguenti.

...L3 is a perfect candidate for eDRAM... IBM uses it, AMD will... and its not only eDRAM, its also performance with transition to FinFET like structures for transistors, that will give much better performance on SOI...
So with eDRAM and more particularly with TRAM there goes a big chunk of advantage of going for smaller nodes... and with TRAM practically with no performance penalty and with better power...
So Intel goes for a very fast transition to 22nm!?... hmmm, NO WONDER, they must... everything seems to indicate that 32nm with TRAM can be almost the same size, and with SOI much better performant than on bulk. ( but stay tunned for the next L3 war, with Intel "bulk" ZRAM vs AMD SOI TRAM)

http://www.t-ram.com/images/data/tram_scale.jpg

http://www.t-ram.com/images/data/graph7_479.jpg

According to Gregg Bartlett, Senior Vice President of Technology and R&D at GLOBALFOUNDRIES, “We are pleased to be jointly developing T-RAM memory for 32nm and 22nm technologies. T-RAM’s embedded memory technology shows a great deal of potential for use in low-power, high-performance dense cache applications for advanced technology nodes.”

...Sam Nakib, President and CEO of T-RAM, added, “We are excited about working with GLOBALFOUNDRIES on the next generation embedded memory technology. T-RAM has successfully completed extensive development of the Thyristor-RAM technology and has delivered a fully manufacturable and robust memory solution with proven yield, reliability, and low-cost of integration in earlier technology nodes. We believe that GLOBALFOUNDRIES and their customers’ products provide a great opportunity to further develop and show-case T-RAM’s significant performance and economic advantages. T-RAM’s revolutionary Thyristor-RAM memory technology provides the highest combination of density and performance among all embedded memory technology candidates, and avoids the fundamental scalability challenges that face 6T-SRAM and other FET-based memory cells..

Nelle discussioni si ipotizza che Llano ritardi per questo motivo.

[dark.halo]

Originariamente inviato da paolo.oliva2

Se interessa sto lavoro, si potrebbe sapere qualche cosa di più Qui

C'è un interessante discorso sulla L3 di BD e forse di Llano.

http://www.amdzone.com/phpbb3/viewto...?f=52&p=190071 e seguenti.

...L3 is a perfect candidate for eDRAM... IBM uses it, AMD will... and its not only eDRAM, its also performance with transition to FinFET like structures for transistors, that will give much better performance on SOI...
So with eDRAM and more particularly with TRAM there goes a big chunk of advantage of going for smaller nodes... and with TRAM practically with no performance penalty and with better power...
So Intel goes for a very fast transition to 22nm!?... hmmm, NO WONDER, they must... everything seems to indicate that 32nm with TRAM can be almost the same size, and with SOI much better performant than on bulk. ( but stay tunned for the next L3 war, with Intel "bulk" ZRAM vs AMD SOI TRAM)

http://www.t-ram.com/images/data/tram_scale.jpg

http://www.t-ram.com/images/data/graph7_479.jpg

According to Gregg Bartlett, Senior Vice President of Technology and R&D at GLOBALFOUNDRIES, “We are pleased to be jointly developing T-RAM memory for 32nm and 22nm technologies. T-RAM’s embedded memory technology shows a great deal of potential for use in low-power, high-performance dense cache applications for advanced technology nodes.”

...Sam Nakib, President and CEO of T-RAM, added, “We are excited about working with GLOBALFOUNDRIES on the next generation embedded memory technology. T-RAM has successfully completed extensive development of the Thyristor-RAM technology and has delivered a fully manufacturable and robust memory solution with proven yield, reliability, and low-cost of integration in earlier technology nodes. We believe that GLOBALFOUNDRIES and their customers’ products provide a great opportunity to further develop and show-case T-RAM’s significant performance and economic advantages. T-RAM’s revolutionary Thyristor-RAM memory technology provides the highest combination of density and performance among all embedded memory technology candidates, and avoids the fundamental scalability challenges that face 6T-SRAM and other FET-based memory cells..

Nelle discussioni si ipotizza che Llano ritardi per questo motivo.

Ma llano non è dotato di L3

[paolo.oliva2]

Originariamente inviato da dark.halo

Ma llano non è dotato di L3

Però ha sia la L1 e L2.... Io ho riportato la discussione... comunque mi sembra un discorso serio... la terminologia tecnica non è che l'ho afferrata, ho solo capito che dovrebbe consumare meno, essere molto più veloce e anche rimanendo sul 32nm potrebbe confrontarsi sia per velocità che consumi e densità ad altre produzioni basate sul 22nm....

[Athlon 64 3000+]

Llano non avrà la L3,ma un 1MB di L2 per core.

[calabar]

Insomma, se prima si parlava di adozione da parte di AMD della ZRam, ora pare che la ZRam la adotterà Intel, mentre AMD adotterà la TRam.

Qualcuno ha un'idea dei vantaggi/svantaggi dell'una rispetto all'altra?

[dark.halo]

Originariamente inviato da calabar

Insomma, se prima si parlava di adozione da parte di AMD della ZRam, ora pare che la ZRam la adotterà Intel, mentre AMD adotterà la TRam.

Qualcuno ha un'idea dei vantaggi/svantaggi dell'una rispetto all'altra?

Intel non adotterà Z-ram per via del fatto che serve una tecnologia di processo SOI, mentre intel si ostina ad usare un bulk CMOS.

[calabar]

Quindi secondo te la frase riportata sopra da Paolo Oliva:
"but stay tunned for the next L3 war, with Intel "bulk" ZRAM vs AMD SOI TRAM"
non è rispondente alla realtà?

[paolo.oliva2]

Originariamente inviato da dark.halo

Intel non adotterà Z-ram per via del fatto che serve una tecnologia di processo SOI, mentre intel si ostina ad usare un bulk CMOS.

...See it this way... or Intel is able to crush "ALL" competition using then a much more effective monopoly situation... or soon or later Intel will have to outsource some if not all of its production... that is, or Intel will be able to shove us "ubber" inflated prices for current or mainstream chips... or if competition gains some ground... it will be forced to slow down the HUGE investment in FAB transitions because it will not have a correspondent return in chip selling...

Secondo me Intel ha tutto l'interesse a spostarsi al SOI ora che è in vantaggio di tempo... perché rischiare di arrivare alla situazione che un altro produttore possa avere un silicio valido costringendola a convertire non 2-3 FAB ma quasi l'intera produzione? A quel punto la spesa sarebbe enorme con relativi costi alti dei proci forse nemmeno giustificati dalla potenza.
TSMC ha i piedi su 2 staffe, semplicemente per il fatto che (se) Nvidia avesse dei prb, buona parte della produzione di TSMC andrebbe in fumo e avere un piede sia su AMD che Intel le darebbe garanzia per il futuro.

[dark.halo]

Originariamente inviato da calabar

Quindi secondo te la frase riportata sopra da Paolo Oliva:
"but stay tunned for the next L3 war, with Intel "bulk" ZRAM vs AMD SOI TRAM"
non è rispondente alla realtà?

Secondo me è il contrario, intel non avendo il SOI, deve per forza puntare sulle t-ram, come alla fine farà anche AMD.
Intel non punta sulle z-ram per una questione di costi vs prestazioni dato che dovrebbe passare al SOI,scelta che secondo me è sbagliata, infatti ad ogni riduzione di pp il leakage sale sempre di più in maniera per nulla lineare. Le z-ram sulla carta offrono densità maggiori con consumi minori, ma prestazioni uguali alle attuali sram, e per intel un costo improponibile,dato che deve cambiare tutti i macchinari e passare al SOI.
le t-ram invece si basano su un nuovo design di transistor a tre gate compatibili con le attuali tecniche produttive, basta solo aggiungere una maschera,e offrono approssimativamente gli stessi vantaggi delle z-ram ma ad un costo inferiore sia per intel che per AMD.
Ricapitolando per me sono solo speculazioni nel 2009 ero rimasto che AMD era al lavoro sulle 6t-ram (6 celle), ma qualcuno ha avanzato l'ipotesi che il ritardo del 32nm GF sia dovuto al passaggio a queste nuove memorie. Può essere in fondo i nuovi macchinari che adotterà GF adotteranno una nuova tecnica di litografia ad immersione con raggi uv al limite della loro lunghezza d'onda con maschere compatibili per la produzione di trasistor trigate già a 22nm, un bel colpo per Intel dato che il transistor trigate è il suo cavallo di battaglia per la riduzione delle correnti parassite e ne prevede il passaggio per i 16nm.
Qui lasciatemelo dire ma IBM ci cova

[paolo.oliva2]

Originariamente inviato da dark.halo

Secondo me è il contrario, intel non avendo il SOI, deve per forza puntare sulle t-ram, come alla fine farà anche AMD.
Intel non punta sulle z-ram per una questione di costi vs prestazioni dato che dovrebbe passare al SOI,scelta che secondo me è sbagliata, infatti ad ogni riduzione di pp il leakage sale sempre di più in maniera per nulla lineare. Le z-ram sulla carta offrono densità maggiori con consumi minori, ma prestazioni uguali alle attuali sram, e per intel un costo improponibile,dato che deve cambiare tutti i macchinari e passare al SOI.
le t-ram invece si basano su un nuovo design di transistor a tre gate compatibili con le attuali tecniche produttive, basta solo aggiungere una maschera,e offrono approssimativamente gli stessi vantaggi delle z-ram ma ad un costo inferiore sia per intel che per AMD.
Ricapitolando per me sono solo speculazioni nel 2009 ero rimasto che AMD era al lavoro sulle 6t-ram (6 celle), ma qualcuno ha avanzato l'ipotesi che il ritardo del 32nm GF sia dovuto al passaggio a queste nuove memorie. Può essere in fondo i nuovi macchinari che adotterà GF adotteranno una nuova tecnica di litografia ad immersione con raggi uv al limite della loro lunghezza d'onda con maschere compatibili per la produzione di trasistor trigate già a 22nm, un bel colpo per Intel dato che il transistor trigate è il suo cavallo di battaglia per la riduzione delle correnti parassite e ne prevede il passaggio per i 16nm.
Qui lasciatemelo dire ma IBM ci cova

IBM di sicuro la sua parte la fa, anche se indubbiamente il suo tornaconto l'ha.
In ogni caso, IBM sicuramente qualche patto con AMD l'ha fatto, cosa ssolutamente impensabile nei confronti Intel (ha dovuto ingoiare troppi rospi).

A seconda di come si posizioneranno i prodotti che AMD sfornerà nella prima metà del 2011, la situazione potrebbe cambiare drasticamente.
Più saranno competitivi ed economici, più il futuro AMD sarà roseo.

[cionci]

Originariamente inviato da paolo.oliva2

...See it this way... or Intel is able to crush "ALL" competition using then a much more effective monopoly situation... or soon or later Intel will have to outsource some if not all of its production... that is, or Intel will be able to shove us "ubber" inflated prices for current or mainstream chips... or if competition gains some ground... it will be forced to slow down the HUGE investment in FAB transitions because it will not have a correspondent return in chip selling...

Pura fantasia imho...
Intel è anche la prima fonderia al mondo. Quando non venderà abbastanza chip da compensare i costi, semplicemente si metterà a produrre per clienti esterni. Credo che già lo faccia, ma solo in minima parte.

Riguardo al SOI...Intel non è che ci può passare così...schioccando le dita. Il SOI è di IBM e deciderà IBM se darlo o meno ad Intel.
Intel ha una sua tecnologia proprietaria assimilabile al SOI: si chiama Advandced Depleted Substrate Transistor. Però credo che sia prevista solo a partire dai tri-gate.

[paolo.oliva2]

Originariamente inviato da cionci

Pura fantasia imho...
Intel è anche la prima fonderia al mondo. Quando non venderà abbastanza chip da compensare i costi, semplicemente si metterà a produrre per clienti esterni. Credo che già lo faccia, ma solo in minima parte.

Io mi sono limitato a postare il fatto della Eram, Tram & C., su AMD, poi c'era anche quello.
Concordo che l'ho preso da un sito filo-AMD , comunque non è il primo che leggo in rete.

Riguardo al SOI...Intel non è che ci può passare così...schioccando le dita. Il SOI è di IBM e deciderà IBM se darlo o meno ad Intel.
Intel ha una sua tecnologia proprietaria assimilabile al SOI: si chiama Advandced Depleted Substrate Transistor. Però credo che sia prevista solo a partire dai tri-gate.

Quindi non prima 3-4 anni, contando che il tri-gate in Intel è previsto nei 16nm.

[calabar]

Sicuro? In questo articoletto di qualche mese fa si parla del suo utilizzo già con Sandy Bridge.