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#1 |
www.hwupgrade.it
Iscritto dal: Jul 2001
Messaggi: 75173
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Link alla notizia: http://www.hwupgrade.it/news/cpu/ibm...tri_25017.html
Big Blue ha annunciato di aver compiuto importanti passi avanti nell'implementazione delle tecnologie high-k/metal gate per il processo produttivo a 32nm Click sul link per visualizzare la notizia. |
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#2 |
Senior Member
Iscritto dal: Feb 2004
Città: perugia
Messaggi: 8021
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che bello tra non molto avremo chip quasi freddi
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#3 |
Moderatore
Iscritto dal: Nov 2006
Messaggi: 21690
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+ che freddi ancora + veloci
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"WS" (p280,cx750m,4790k+212evo,z97pro,4x8GB ddr3 1600c11,GTX760-DC2OC,MZ-7TE500, WD20EFRX) Desktop (three hundred,650gq,3800x+nh-u14s ,x570 arous elite,2x16GB ddr4 3200c16, rx5600xt pulse P5 1TB)+NB: Lenovo p53 i7-9750H,64GB DDR4,2x1TB SSD, T1000 |
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#4 |
Senior Member
Iscritto dal: Aug 2006
Città: altamura
Messaggi: 309
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Ottimo!! Per la serie il mio è più piccolo.
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#5 |
Senior Member
Iscritto dal: Apr 2003
Città: Roma
Messaggi: 1997
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Fra poco avremo CPU grandi 4-5 mm.
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That was a love song. This is a love song too. It's called: Rocking Hole - Yeah, yeah, yeah. [Last.fm] ~ [Okiwii.net] ~ [Anobii] ~ [Facebook] |
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#6 | |
Moderatore
Iscritto dal: Nov 2006
Messaggi: 21690
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Quote:
Incrementi prestazionali del 35% circa rispetto a circuiterie a 45 nanometri che funzionanti alla medesima tensione operativa. Quindi a parità di voltaggio (e quindi a ~ parità di consumo) andrà il 35% + veloce il problema sarà che i,l calore verrà dissipato in una zona + piccola quindi sarà + concentrato
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"WS" (p280,cx750m,4790k+212evo,z97pro,4x8GB ddr3 1600c11,GTX760-DC2OC,MZ-7TE500, WD20EFRX) Desktop (three hundred,650gq,3800x+nh-u14s ,x570 arous elite,2x16GB ddr4 3200c16, rx5600xt pulse P5 1TB)+NB: Lenovo p53 i7-9750H,64GB DDR4,2x1TB SSD, T1000 |
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#7 |
Senior Member
Iscritto dal: Dec 2003
Messaggi: 3567
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quando uscirà il primo 32nm sarà il momento di bruciare questo conroe 65nm
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#8 |
Senior Member
Iscritto dal: Sep 2005
Messaggi: 2223
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faranno la ps3 slim...
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Stay Hungry, Stay Foolish. |
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#9 |
Senior Member
Iscritto dal: Dec 2000
Città: Frosinone
Messaggi: 384
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x tutti
Si sa del limite assoluto oltre il quale
bisognerà cambiare tecnologia ? No perchè lo vedo sempre più vicino. |
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#10 |
Senior Member
Iscritto dal: Jul 2006
Messaggi: 4801
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cavolo + veloci del 35% è un bel po'!!!!
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#11 |
Member
Iscritto dal: Jun 2005
Messaggi: 169
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complimenti all' IBM quando intel ha proposto la sua tecnologia hi-k aumentò del 20% le prestazioni IBM sembra aver fatto meglio: 35%
non so se sono paragonabili visto che intel la propose nel passaggio 65nm->45 nm mentre IBM nel passaggio 45nm->32nm AMD potrà usufruire di queste tecnologie?? |
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#12 |
Senior Member
Iscritto dal: Sep 2001
Città: Caltanissetta
Messaggi: 898
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Grandissima IBM e partners..
ricerca e sviluppo.. = innovazione.. = evoluzione.. Chissà dove si arriverà.. riusciranno i nostri eroi ad abbattere il muro dei 20 Nanometri? E tra quando? Qlk anno fa questi numeri erano fantascienza. |
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#13 |
Member
Iscritto dal: Jun 2005
Messaggi: 169
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@ Zem
fino a qualche anno fa era proprio 32 nm ma ogni volta portano più in basso questo limite l' attuale non lo so cmq penso che riescono ad arrivare a 22nm mi pare di aver letto quacosa del genere qualcuno può confermare |
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#14 |
Senior Member
Iscritto dal: Oct 2004
Messaggi: 12310
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L'ultimo limite "detto" dovrebbe essere 18 nm ma secondo nn sarà neanche questo. è difficile stabilirlo, cn glianni la tecnologia cambia, migliora e magari si trova il modo di superare certi problemi......oppure ne nascono di nuovi del tutto inaspettati.
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"Non capisco quelli che dicono che per avere successo devono soffrire. Ma che so', scemi?" Intel Core 2 Quad Q9450 @ 2.66 Ghz, Asus P5K-VM, Ram 4 GB A-Data + 2 GB Kingmax 800 Mhz, Gigabyte GeForce GT 710 2 GB GDDR5 passiva (GV-N710D5SL-2GL), SSD Crucial BX500 CT120BX500SSD1 120 GB, Monitor LCD Samsung S22C300 21.5'', router D-Link DVA-5592 |
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#15 |
Junior Member
Iscritto dal: Jan 2008
Città: Pisa
Messaggi: 1
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Il limite con le tecnologie attuali è proprio 32nm (dipende dalla lunghezza d'onda della sorgente ultravioletta utilizzata per esporre i wafer e dall'effetto di diffrazione di un'onda che passa per una fenditura piccola). Ci sono vari trucchi per ovviare a questo, per esempio eseguire l'esposizione in acqua, che ha un indice di rifrazione più elevato dell'aria.
Cmq per passare ai 22nm ci vorranno macchinari completamente nuovi, e quindi il passaggio sarà più complicato e costoso (ad esempio nuove sorgenti con lunghezze d'onda più corte <200nm), però so che intel nella sua roadmap ha già parlato di 22nm tra 4 anni, e 16nm per il 2015. |
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#16 |
Senior Member
Iscritto dal: Sep 2005
Messaggi: 2223
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13nm non era il limite del silicio?
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Stay Hungry, Stay Foolish. |
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#17 |
Senior Member
Iscritto dal: Sep 2004
Città: Mesero (MI)
Messaggi: 6005
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Confermo anche io i 32nm...
chi legge quotidianamente Hardware Upgrade o Tom's se n'è parlato spesso in diversi articoli. In ogni caso si sanno già quali macchine utilizzare o misure adatte per superare questo limite...solo che, come ha detto Simo87, non basterà un semplice upgrade dei macchinari per la produzione come accade oggi...ma bisognerà che i produttori costruiscano FAB del tutto nuove o che "rivoluzioni" quelle già esistenti... se in questi anni si è passato velocemnte da un processo produttivo all'altro, nel futuro ci sarà un lieve rallentamento, con un cambio di passaggio probabilmente ogni 2-3 anni. |
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#18 |
Senior Member
Iscritto dal: Dec 2005
Città: Milano, di nuovo....
Messaggi: 1390
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La lunghezza del legame tra due atomi è mediamente di 0.15/0.19nm, al di sotto non potranno certo andare, e dubito che ci si possano avvicinare molto.
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if a key opens lots of locks, it's a master key. If a lock is opened by lots of keys, it's a shitty lock
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#19 | |
Senior Member
Iscritto dal: Dec 2000
Città: Frosinone
Messaggi: 384
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x Pikitano
Quote:
Bhe allora conviene avvicinarsi a questo limite, visto che bisogna, a parte investire su nuove fab ma sopratutto ,aspettare di più per avere una miniaturizzazione più spinta ? |
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#20 |
Junior Member
Iscritto dal: Dec 2007
Messaggi: 25
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Si tratta anche di vedere, per come è pensata la tecnologia MOS, la minima lunghezza di canale raggiungibile (tra source e drain). Nei mos a canale corto si hanno seri problemi di saturazione della velocità di trascinamento (drift) per la quale la corrente nel mos diminuisce in maniera sensibile.
Ho letto anche di una certa tecnologia che sta sviluppando intel chiamata Tri Gate Transistor (ovvero 3 transistors che sfruttano uno stesso gate) che potrebbe rivoluzionare il tutto, ovvero incrementare ancor più la densità di transistori sul wafer di silicio ricorrendo ad una tecnologià tridimensionale (e non più planare). Staremo a vedere se in futuro riusciranno ancora a stare dietro alla prima legge di Moore! ![]() |
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