SSD, tre unità sopra i 100GB di capienza

SSD, tre unità sopra i 100GB di capienza

Con questa analisi siamo andati a valutare le prestazioni di tre unità a stato solido caratterizzate da una capacità di 100GB o superiore. Tre soluzioni di tre altrettanti produttori, con controller differenti, per riuscire a capire meglio come orientarsi in quello che sta diventando un segmento di mercato sempre più popolato e articolato

di Gabriele Burgazzi pubblicato il 01 Settembre 2010 nel canale Storage
 

Introduzione

Il mercato delle unità SSD si contraddistingue per essere uno dei più attivi al momento sullo scenario tecnologico, e come tale nel corso degli ultimi anni ha subito importanti e sostanziali modifiche. Nel corso dell'ultimo appuntamento ci siamo soffermati su alcuni degli elementi che hanno limitato la diffusione delle unità a stato solido, unitamente al costo per GB ancora troppo elevato. Il progresso tecnologico e lo sviluppo di controller di memoria sempre più sofisticati ha ovviato a buona parte delle problematiche. I produttori si sono così concentrati sullo sviluppo del processo produttivo: fino a pochi anni fa le memorie di tipo NAND erano prodotte a 90 nanometri, oggi invece sono presenti soluzioni sviluppate a 34 e anche a 25 nanometri. La maggior parte dei produttori oggi, come ad esempio Micron, Intel o Samsung si appoggiano ad un processo produttivo a 34 nanometri mentre altri produttori come Toshiba hanno invece sviluppato un processo produttivo a 32 nanometri: in generale, la maggior parte delle soluzioni di ultima generazione sono prodotte con queste due tecnologie. Solo di recente Intel ha comunicato di aver avviato la produzione a 25 nanometri.

Più piccolo è il processo produttivo, maggiore è il numero di dati che possono essere contenuti all'interno di uno stesso chip NAND: a 25 nanometri le celle dati all'interno del silicio sono circa 3000 volte più sottili di un capello umano. Più si rimpicciolisce il processo produttivo, però più si assottigliano le "pareti" che dividono le celle dati: questo comporta un aumento dell'interferenza elettronica, con conseguente aumento della rumorosità del segnale e quindi degli errori. Per poter eliminare gli errori in fase di scrittura e lettura, i produttori includono la tecnologia ECC nelle memorie NAND: più alto è il tasso di errore maggiore è la quantità di ECC necessaria. La necessità quindi di contenere al massimo il tasso di errore rappresenta una delle sfide che impegnerà i produttori nello sviluppo delle future generazioni.

Diverso tempo fa avevamo riportato questa notizia, citando come Anobit, una startup Israeliana dedicata allo sviluppo di SSD abbia comunicato lo sviluppo di una tecnologia denominata Memory Signal Processing, capace di migliorare l'affidabilità delle unità SSD sviluppate con memorie di tipo MLC. Questo tipo di tecnologia, introdotta per migliorare la pulizia del segnale rappresenta uno step fondamentale per riuscire a garantire l'affidabilità delle unità a stato solido di tipo MLC sempre più popolate, soprattutto in considerazione dei nuovi processi produttivi che saranno presto introdotti.

Il grafico riportato, pubblicato nel 2009 dalla Morgan Stanley Research, mostra l'evoluzione dei requisiti ECC in corrispondenza dell'aumento di densità delle celle. L'Error Correction Code viene tipicamente utilizzato per correggere gli errori e mantenere l'affidabilità dei prodotti basati su memoria di tipo NAND: lo schema mostra come, in relazione al cambiamento di processo produttivo sia necessario avere un ECC più avanzato, e si palesi la necessità di trovare un metodo alternativo al normale ECC. Ecco quindi dove parte dello sviluppo delle future generazioni di dispositivi a stato solido sarà incentrato.

Con l'analisi di oggi andremo a saggiare il comportamento di tre proposte a stato solido caratterizzate dalla capacità di 128GB e presenti in commercio da qualche tempo, di A-data, Kingston e Patriot.

Per tutti coloro che fossero interessati ad avere una visione di ampio respiro sull'attuale situazione del mercato SSD rimandiamo a questo articolo, pubblicato oggi.