Intel, spuntano le specifiche delle unità SSD di terza generazione

La nuova generazione di unità a stato solido di Intel è forse una delle più attese dal mercato: il rinnovato processo produttivo a 25 nanometri, implementato su larga scala, insieme ad un migliore controller rappresentano due elementi fondamentali per la sempre più massiva diffusione su larga scala delle unità SSD.

Internamente conosciuto con il nome in codice di Postville refresh (le unità X25-M G2 erano identificate come Postville), i nuovi modelli saranno commercializzati con il classico nome di X25-M come fatto fino ad ora. Nonostante le unità manterrano quindi il nome che le ha caratterizzate sin dalla loro introduzione sul mercato (2008) il nuovo refresh comporta importanti cambiamenti e migliorie.

In primo luogo troviamo l'impiego di chip di memoria sviluppati a 25 nanometri di tipo IMFT: in termini pratici questa miglioria consente di poter andare a raddoppiare la capacità di un singolo chip rispetto all'attuale tecnologia, con importanti benefici sotto il profilo del costo finale. Nonostante Intel ha già cominciato da tempo la distribuzione ai propri partner di sample di unità con celle di memoria a 25 nanometri, ma sono ancora necessarie importanti implementazioni al processo produttivo per ottenere moduli NAND a 25 nanometri di qualità. La terza generazione di unità SSD dovrebbe comunque arrivare nel corso dell'ultimo trimestre dell'anno. I modelli saranno molto probabilmente caratterizzati da un taglio che varierà dai 40GB ai 600GB. A seguire riportiamo in tabella le caratteristiche tecniche della nuova famiglia di unità a stato solido:

Qualora questi numeri venissero confermati, appare evidente come le nuove unità sviluppate da Intel possano, finalmente, raggiungere quel livello prestazionale che i prodotti progettati con controller SandForce SF-1200 sono capaci di garantire. Si tratta comunque di informazioni che al momento non sono confermate in alcun modo e che potrebbero essere soggette a variazioni. Le nuove unità, grazie soprattutto all'impiego di memorie NAND a 25 nanometri saranno, o almeno ci auguriamo che sia così, estremamente competitive anche sotto il profilo del costo.

Tra le prime informazioni emergono anche alcuni dettagli circa l'impiego di un modulo DRAM da parte delle nuove unità: nelle prime due generazioni Intel aveva evitato l'utilizzo di questo componente. Intel ha preferito, in passato, non sfruttare DRAM per la locazione di dati temporanei adducendo motivi legati alla possibile perdita di tali informazioni. Nella nuova generazione di unità a stato solido spunta però la funzionalità "power safe write cache" che suona come l'implementazione di un modulo DRAM esterno per gestire una cache dati.

In aggiunta alle soluzioni X25-M destinate al mondo consumer, il refresh attuato da Intel prevede anche una ventata di aria fresca per i modelli destinati al segmento enterprise del mercato. I nuovi modelli X25-E arriveranno nel primo trimestre del 2011 e saranno caratterizzati dal nome in codice Lyndonville. Queste nuove unità saranno le prime sviluppate da Intel per il mondo Enterprise a fare uso di memorie di tipo MLC: non si tratta delle stesse memorie impiegate per il mondo consumer, ma di versioni modificate capaci di garantire una maggiore longevità. Questa la tabella delle caratteristiche tecniche che caratterizzerà le nuove proposte della famiglia enterprise:

Se Intel ha quindi pronte ai blocchi di partenza di una serie di novità sia sul fronte chip di memoria sia sul fronte controller, non è però l'unica. Anche SandForce e Indilinx, due tra le società più attive sul segmento SSD, sono però pronte a presentare nuovi controller. Insomma, le premesse per un 2011 interessante per il mercato delle unità a stato solido ci sono tutte, ora non rimane che attendere.