Nuove tecnologie EDRAM per NVIDIA

NVIDIA e TSMC hanno annunciato di aver completato lo sviluppo congiunto di chip dotati di memoria embedded DRAM al proprio interno, costruiti utilizzando la tecnologia produttiva a 65 nanometri.

Al momento attuale NVIDIA utilizza, per alcune proprie soluzioni della serie GoForce, tecnologia produttiva a 90 nanometri sviluppata da TSMC con integrazione di memoria E-DRAM in propri chip. Il passaggio alla nuova tecnologia produttiva dovrebbe permettere al produttore americano di ottenere una diminuzione della superficie dei propri chip, oltre che un parallelo miglioramento dei consumi di funzionamento.

Le memorie embedded DRAM permettono di ottenere significative riduzioni dei consumi rispetto alle tradizionali memorie SDRAM, grazie ad alcune specifiche tecniche in esse implementate. Segnaliamo tra queste la modalità sleep mode e la possibilità di togliere del tutto l'alimentazione solo a parti specifiche della memoria integrata nel chip.

La tecnologia produttiva sviluppata da TSMC per questo genere di prodotti vede l'utilizzo di 10 strati metallici, con connessioni in rame di tipo low-k. Questa nuova tecnologia ha permesso a TSMC di ottenere celle di memoria che hanno superficie pari a 1/4 quella delle soluzioni SDRAM corrispondenti, con una densità di memorizzazione variabile dai 4 Mbits a 256Mbits.

NVIDIA non ha al momento attuale anticipato per quale serie di prodotti adotterà tale nuova tecnologia produttiva; è presumibile che il chip GoForce 5300, attualmente costruito con processo a 90 nanometri e dotato di memoria embedded DRAM da 2,25 Mbytes di capacità, possa essere il primo a beneficiare di questa nuova possibilità produttiva.