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#1 |
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www.hwupgrade.it
Iscritto dal: Jul 2001
Messaggi: 75166
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Link alla notizia: https://www.hwupgrade.it/news/cpu/ib...or_155340.html
IBM ha presentato il primo chip al mondo sotto il nanometro, con architettura a 0,7 nm e quasi 100 miliardi di transistor: fino al 70% di efficienza in più rispetto al nodo a 2 nm e produzione possibile entro i prossimi cinque anni Click sul link per visualizzare la notizia. |
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#2 |
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Senior Member
Iscritto dal: Nov 2002
Messaggi: 7187
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E brava IMB, zitta zitta innova sempre
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#3 |
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Senior Member
Iscritto dal: Sep 2001
Città: Saronno (VA)
Messaggi: 22863
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Sta cosa è spaventosa. Quelli di IBM sono dei mostri.
__________________
DEMON77 La mia galleria su Deviant Art: http://aby77.deviantart.com/gallery/?catpath=/ |
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#4 |
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Senior Member
Iscritto dal: Mar 2005
Città: Roma
Messaggi: 11232
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ma è ram oppure è un chip? no perche i circuiti delle memorie sono molto piu semplici da realizzare, infatti partono sempre da loro per le nuove litografie..
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#5 |
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Senior Member
Iscritto dal: Aug 2006
Città: Valdagno
Messaggi: 7023
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Eccola la risposta a chi chiedeva cosa fa IBM ,visto che sembra una azienda che non fa nulla, perché il reparto marketing/giornalisti non scrive articoli su di lei 10 volte al giorno.
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#6 |
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Senior Member
Iscritto dal: Jun 2005
Messaggi: 24141
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Immagine suggestiva!
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Stampanti multifunzione [Thread ufficiale - consigli per gli acquisti] |
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#7 |
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Senior Member
Iscritto dal: Aug 2005
Messaggi: 4736
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I cinesi
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#8 | |
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Senior Member
Iscritto dal: Jan 2007
Messaggi: 6835
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Quote:
Visto che i circuiti CMOS sono basati in gran parte su gruppi di coppie di gate NMOS+PMOS (opure NFET + CFET nei processi produttivi più densi), diventa molto semplice prendere un circuito CMOS con N gate FET e convertirlo in un circuito con circa N/2 CFET (quasi dimezzando l'area su chip). Le ram sono più "semplici", ma per le sdram (synchronous dynamic ram) serve una grossa capacitanza parassita e per ora non si scende al di sotto dei 10nm (equivalenti) per i gate sdram; le sram (static ram) "scalano meglio" ma dai 14nm..10nm in giù i gate delle celle sram non possono essere piccoli come quelli dei circuiti logici realizzabili con lo stesso processo produttivo. Nel caso della tecnologia nanostack (la "ricetta di IBM" per realizzare CFET su chip) anche se i gate "per sram" sono più grandi dei gate "per circuti logici", con lo stacking si ottiene un grande miglioramento anche per le sram. Questo perche mentre una sram "fatta con i FET" richiede 6 FET, una sram "fatta con i CFET" richiede 3 CFET (che occupano poco più dello spazio richiesto per 3 FET). |
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