NVIDIA, Samsung, SK hynix e Broadcom: a San Francisco accordi AI per 750 miliardi di dollari
A San Francisco, durante un summit AI guidato dal presidente sudcoreano Lee Jae-myung, Nvidia, Samsung, SK hynix e Broadcom hanno firmato accordi per oltre 750 miliardi di dollari. Al centro le forniture di memoria HBM, nuovi datacenter, produzione a 2 nanometri e packaging avanzato.
di Manolo De Agostini pubblicata il 26 Luglio 2026, alle 14:01 nel canale MercatoHBMBroadcomSK hynixSamsungNVIDIA
Un summit sull'intelligenza artificiale tenutosi venerdì a San Francisco, presieduto dal presidente sudcoreano Lee Jae-myung, si è trasformato nel giro di poche ore in un luogo di negoziazione senza precedenti nel settore dei semiconduttori.

Nel corso dell'evento, ospitato presso il venue "The Midway", sono stati siglati accordi di fornitura a lungo termine (LTA) e memorandum d'intesa (MOU) per un valore complessivo stimato in almeno 750 miliardi di dollari tra alcuni dei nomi più rilevanti della filiera globale dell'AI: NVIDIA, Samsung Electronics, SK hynix e Broadcom.
L'accordo NVIDIA-SK hynix: memoria HBM e datacenter da 2 gigawatt
Il primo dei due accordi principali riguarda NVIDIA e SK hynix, colosso sudcoreano della memoria e seconda azienda del paese per valore di mercato. L'intesa, che secondo le stime potrebbe valere fino a 500 miliardi di dollari nell'arco di più anni, prevede la costruzione di datacenter su larga scala la cui entrata in funzione è prevista per il 2027. Si tratta di un'espansione di quanto annunciato a inizio giugno.
Un elemento centrale dell'accordo è rappresentato dal contributo di SK Telecom, affiliata di SK hynix, che utilizzerà i sistemi Vera Rubin di NVIDIA per costruire un'infrastruttura cloud dedicata. L'obiettivo dichiarato è raggiungere una capacità energetica di 2 gigawatt, un dato che lascia intendere il dispiegamento di centinaia di migliaia di GPU.

Un punto qualificante dell'intesa riguarda inoltre la memoria ad alta larghezza di banda (HBM), componente indispensabile per le GPU e i sistemi NVIDIA, e attualmente al centro di una carenza globale legata alla crescita esponenziale della domanda generata dall'AI.
SK hynix è considerata dagli analisti il leader mondiale nella produzione di HBM. L'accordo include quella che NVIDIA definisce una "co-develop opportunity" sulla prossima generazione di memoria AI di SK hynix, finalizzata a garantire alla società di Santa Clara un approvvigionamento stabile del componente.
Raj Mirpuri, vicepresidente enterprise di NVIDIA, ha confermato in una conference call con la stampa che l'espansione della collaborazione permetterà di sviluppare congiuntamente la futura memoria AI di SK hynix, assicurando così la continuità delle forniture HBM.
NVIDIA ha inoltre annunciato un investimento separato da 1 miliardo di dollari in Naver, società cloud sudcoreana impegnata nella costruzione di datacenter basati su GPU NVIDIA. Il progetto, che prevede una capacità di 200 megawatt, dovrebbe offrire a clienti sudcoreani e internazionali la possibilità di assicurarsi capacità di calcolo AI prima del completamento dell'infrastruttura.
Va ricordato che SK hynix si è quotata al Nasdaq proprio all'inizio del mese, un passaggio funzionale al finanziamento dei propri piani infrastrutturali.
Samsung e Broadcom: 200 miliardi di dollari tra memoria e foundry
Parallelamente, Samsung Electronics ha reso noto un memorandum d'intesa con Broadcom per ampliare la collaborazione strategica nei settori della memoria e della produzione a contratto (foundry), a supporto della prossima generazione di infrastrutture AI. Le due aziende stimano che la collaborazione, che si estenderà fino al 2030, possa superare i 200 miliardi di dollari nell'arco dei prossimi cinque anni.

Sul fronte memoria, l'intesa riguarda la fornitura di soluzioni HBM di fascia alta destinate ad alimentare i futuri acceleratori AI di Broadcom. Sul fronte foundry, la collaborazione si concentra sui processi produttivi Samsung a 2 nanometri e inferiori, impiegati per i prodotti Broadcom, incluse le soluzioni Wireless Broadband Communications (WBC). È inoltre prevista un'estensione alle tecnologie di packaging avanzato basate sul processo a 2nm, comprese le architetture di integrazione 2.3D e 2.5D, pensate per abilitare silicio AI e per il networking più performante ed efficiente dal punto di vista energetico.
All'annuncio hanno preso parte Jinman Han, presidente e responsabile della divisione Foundry di Samsung Electronics, e Hock Tan, presidente e CEO di Broadcom, insieme a dirigenti di entrambe le società e rappresentanti del governo sudcoreano.
Young Hyun Jun, vicepresidente e CEO della divisione Device Solutions di Samsung, ha sottolineato come la domanda generata dall'intelligenza artificiale richiede un'integrazione sempre più stretta tra tecnologie di memoria, logica e packaging avanzato. Sulla stessa linea Charlie Kawwas, presidente della divisione Semiconductor Solutions Group di Broadcom, ha evidenziato l'importanza di una collaborazione più stretta lungo l'intera filiera dei semiconduttori man mano che le infrastrutture AI continuano a scalare.
La corsa sudcoreana al raddoppio della capacità di memoria
Gli accordi si inseriscono in una strategia più ampia perseguita dal governo sudcoreano, che punta a raddoppiare la capacità nazionale di produzione di memoria entro il 2030. Il presidente Lee ha citato a supporto di questo obiettivo i nuovi stabilimenti che Samsung e SK hynix stanno costruendo nelle aree di Gwangju e Jeolla, nel sud-ovest del paese. Nello specifico, il primo impianto P5 di Samsung dovrebbe entrare in funzione entro luglio 2027, mentre il secondo impianto P5 e un ulteriore stabilimento a Yongin inizieranno la produzione entro il 2029. Per SK hynix, la fabbrica Y1 di Yongin è attesa online a febbraio 2027, seguita dalla Y2 nella seconda metà del 2028.










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