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Recensione Nothing Phone (4a) Pro: finalmente in alluminio, ma dal design sempre unico
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Old 22-05-2012, 07:01   #1
Redazione di Hardware Upg
www.hwupgrade.it
 
Iscritto dal: Jul 2001
Messaggi: 75166
Link alla notizia: http://www.businessmagazine.it/news/...ive_42222.html

L'Università di Londra sviluppa una tecnologia di memoria resistiva utilizzando ossido di silicio, in grado di operare a temperatura e pressione ambiente

Click sul link per visualizzare la notizia.
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Old 22-05-2012, 11:03   #2
birmarco
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L'Avatar di birmarco
 
Iscritto dal: Mar 2008
Città: Milano; 9 Vendite concluse -> Wilde; emmepi; Homerj81; cos1950; mariotanza; Benia; grigor; alekia; ARG0
Messaggi: 11160
RAM che non si cancellano... sarebbe il massimo anche solo per quello. Addio tempi di boot, consumo energetico ridotto al minimo soprattutto nei pda
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Old 22-05-2012, 11:31   #3
supertigrotto
Senior Member
 
Iscritto dal: Aug 2006
Città: Valdagno
Messaggi: 6401
buffalo ha appena lanciato un ssd

Che al posto della ram come cache usa la reram....
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Old 22-05-2012, 18:34   #4
megawati
Senior Member
 
L'Avatar di megawati
 
Iscritto dal: Mar 2002
Messaggi: 256
L'articolo dice che sono molto più veloci delle FLASH ram, non delle normali RAM DDR e tantomeno della cache RAM statica, quindi scordatevi di vederle soppiantate da queste :-)

Comunque saranno un GROSSO salto in avanti rispetto alle flash, senza dubbio.
megawati è offline   Rispondi citando il messaggio o parte di esso
Old 22-05-2012, 19:34   #5
LMCH
Senior Member
 
Iscritto dal: Jan 2007
Messaggi: 6565
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Originariamente inviato da megawati Guarda i messaggi
L'articolo dice che sono molto più veloci delle FLASH ram, non delle normali RAM DDR e tantomeno della cache RAM statica, quindi scordatevi di vederle soppiantate da queste :-)

Comunque saranno un GROSSO salto in avanti rispetto alle flash, senza dubbio.
Senza contare che già con le tecnologie attuali possono arrivare tranquillamente fino a 3nm, nel senso che senza dover usare nuovi materiali, senza dover riprogettare i componenti delle celle di memoria, con un "semplice" shrinking si possono produrre celle con feature size di 3nm.

Infatti il vero problema nel produrle a quella scala d'integrazione saranno i diodi ed i transistor (che vengono usati nella circuiteria di indirizzamento e scrittura/lettura delle celle).

In ogni caso è una buona notizia, attualmente siamo a 22..20nm, con le ReRam si apre la possibilità di un incremento teorico di 36 volte della densità delle memorie allo stato solido.
LMCH è offline   Rispondi citando il messaggio o parte di esso
Old 22-05-2012, 19:40   #6
calabar
Senior Member
 
L'Avatar di calabar
 
Iscritto dal: Oct 2001
Messaggi: 14739
Quote:
Originariamente inviato da megawati Guarda i messaggi
L'articolo dice che sono molto più veloci delle FLASH ram, non delle normali RAM DDR e tantomeno della cache RAM statica, quindi scordatevi di vederle soppiantate da queste :-)
E riguardo alle RAM, invece, hai qualche numero di confronto?
calabar è offline   Rispondi citando il messaggio o parte di esso
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