Moduli memoria Mushkin PC133: Basic, Rev 2 e Rev 3

Moduli memoria Mushkin PC133: Basic, Rev 2 e Rev 3

Recensione dei moduli memoria Mushkin Basic, High Performance Rev 2 e High Performance Rev 3; analisi delle prestazioni velocistiche e dcella tolleranza all'impiego a frequenze di bus fortemente fuori specifica.

di pubblicato il nel canale Memorie
 

Introduzione

La recente introduzione sul mercato dei moduli memoria DDR-SDRAM ha portato ad una radicale e repentina riduzione dei costi delle memorie SDRAM PC133; tale fenomeno permette, al momento attuale, l'acquisto di moduli memoria di elevata qualità a costi che sino a qualche mese fa erano considerati impensabili. Mushkin è un produttore americano di moduli memoria noto per aver prodotto modelli ottimizzati per l'impiego a frequenze di bus fuori specifica, rivolti in modo particolare all'impiego in sistemi overcloccati. Da alcune settimane è possibile acquistare questi moduli memoria anche in Italia, presso Zetabyte (che ha fornito i sample utilizzati in questa recensione).

In prova in queste pagine sono tre modelli differenti per costruzione e costo: il modello Basic è quello più economico della serie Mushkin e viene proposto come valida alternativa ai moduli no name commercializzati dalla maggioranza dei rivenditori. Il modello High Performance Rev 2 è un modulo PC133 CAS 2 adatto all'impiego in sistemi ad elevate prestazioni, mentre il modello Rev 3 rappresenta un'evoluzione di quest'ultimo ed è certificato per l'impiego con frequenze di bus di 150 Mhz (PC150). Oltre ai tre moduli Mushkin è stato ritestato il modulo memoria Infineon PC133, recensito a questo indirizzo.

Prima di iniziare l'analisi delle prestazioni dei moduli memoria Mushkin è necessario premettere la seguente analisi, presa dalla recensione del modulo memoria Infineon PC133, che mostra il principio che regola il funzionamento dei moduli memoria

Qual è il principio di funzionamento della memoria di sistema?

La memoria può essere vista come una matrice di celle, ognuna delle quali è una cella di memoria; ogni cella viene identificata con coordinate di riga e colonna. La sigla CAS sta per Column Address Strobe, mentre quella RAS sta per Row Address Strobe: a questi parametri viene associata una latenza, cioè una misura del tempo richiesto (in cicli di clock) per accedere ad una determinata riga e/o colonna della matrice composta dalle celle di memoria; la CAS Latency indica, pertanto, il numero di cicli di clock richiesti dalla memoria SDRAM per processare una richiesta verso una colonna di celle; la RAS Latency, invece, indica il numero di cicli di clock richiesti dalla memoria SDRAM per processare una richiesta verso una riga di celle. Ovviamente, a valori di latenza inferiori, a parità di frequenza di funzionamento della scheda madre, corrispondono prestazioni velocistiche superiori.

Come funziona il processo di lettura dei dati della memoria di sistema? Il chipset della scheda madre accede alla riga della matrice dei dati della memoria immettendo un indirizzo di riga nei pin di indirizzamento del segnale della memoria, attivando così facendo il segnale RAS. Dopo alcuni cicli di clock di attesa (indicati come RAS-To-CAS Delay), l'indirizzo di colonna della cella di memoria viene immesso nei pin di indirizzamento del segnale di memoria e il segnale CAS attivato, così che il chipset acceda alla colonna nella quale è posta la cella di dati che si vuole leggere. Quindi, dopo alcuni cicli di clock che vengono indicati come CAS Latency, il dato viene portato sul pin della Ram e da questo preso dal chipset.

Questa spiegazione fa immediatamente capire come al ridursi della latenza aumenteranno le prestazioni velocistiche del sistema nell'accedere ai dati della memoria, in quanto minore sarà il tempo complessivamente richiesto.

Il tempo d'accesso della memoria è uno dei parametri più usati, anche se meglio sarebbe dire abusati, per riportare le prestazioni velocistiche di un modulo; le sigle riportate sui chip, infatti, vengono generalmente prese quale indicazione del tempo d'accesso del modulo memoria. In realtà, esistono due differenti tempi d'accesso: il primo è il Cycle Time ed è quello che, generalmente, viene riportato sui chip memoria. Il secondo, invece, è l'Access Time, ha un valore più basso e spesso viene indicato sui chip memoria da alcuni produttori così da indurre che quello specifico chip abbia un Cycle Time più basso. L'Access Time indica il tempo, in millisecondi, richiesto dalla memoria per fornire un dato contenuto in una delle celle, dal momento in cui il chipset immette un indirizzo di riga nei pin di indirizzamento del segnale della memoria a quello nel quale il dato contenuto nella cella di memoria è disponibile al chipset; il Cycle Time, invece, è il tempo che è necessario attendere prima di due successive richieste di lettura di dati contenuti in celle della memoria

Da un punto di vista prettamente matematico, la massima frequenza alla quale una memoria può operare è data dall'inverso del cycle time dei moduli che essa impiega, pertanto:

Tempo d'accesso

Frequenza massima

12ns

83 Mhz

10ns

100 Mhz

8ns

125 Mhz

7.5ns

133 Mhz

7ns

143 Mhz

6ns

167 Mhz

5ns

200 Mhz

Un modulo PC133 dovrà, pertanto, avere cycle time dei chip pari almeno a 7.5ns, se non più basso.

 
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