Hybrid Memory Cube, concept DRAM da 128GB al secondo

Il keynote di chiusura, tenuto dal CTO Justin Rattner, ha offerto l'occasione di vedere alcuni dei progetti in cui Intel è impegnata per il futuro del computing. Fra le diverse novità, alcune anche legate alla programmazione, segnaliamo il concecpt Hybrid Memory Cube, che innalza l'efficienza energetica di oltre 7 volte rispetto alle tecnologie attuali.

La bandwidth raggiunta dal prototipo, perfettamente funzionante e mostrato sul palco, raggiunge l'impressionante valore di 128GB al secondo di bandwidth, 12 volte superiore a quella garantita dai moduli DDR3-1333 4GB ECC presi a riferimento. Si può notare inoltre come il VDD, Voltage Drain Drain, sia contenuto in 1,2V, contro 1,5 dei moduli appena citati e i 3,3V della SDRAM PC133. Si noti inoltre il bassissimo valore di energia per bit, contenuto in soli 8pj.

Hybrid Memory Cube utilizza una configurazione dei chip di memoria a layer sovrapporti, che vanno a formare come un cubo. A connettere fra loro i chip troviamo una nuova interfaccia di memoria ad alta efficienza che innalza gli standard del consumo di energia per bit. Il concept DRAM mostrato è stato sviluppato da Micron in collaborazione con Intel, e sembra che il nuovo approccio al design porti parecchi benefici.

La prova pratica svolta sul palco ha mostrato un valore di bandwidth pari a 121GB al secondo, contro i 128 dichiarati. Non possiamo certo parlare di "fail", visto che stiamo parlando di livelli di banda veramente elevati, ottenuti fra l'altro con voltaggi molto bassi e una tecnologia già funzionante. Si tratta di anticipazioni che non dovrebbero tardare molto a fare il proprio ingresso nei prodotti commerciali, sebbene non siano state fornite indicazioni in merito.