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28-02-2007, 08:06 | #1 |
www.hwupgrade.it
Iscritto dal: Jul 2001
Messaggi: 75175
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Link alla notizia: http://www.hwupgrade.it/news/cpu/20284.html
Il colosso di Santa Clara annuncia una serie di piani di investimento per la realizzazione di nuovi stabilimenti produttivi o aggiornamento di stabilimenti esistenti Click sul link per visualizzare la notizia. |
28-02-2007, 08:16 | #2 |
Senior Member
Iscritto dal: May 2006
Città: Prato
Messaggi: 1222
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intel se la sta giocando ottimamente, in ogni caso la concorrenza giova sempre a favore nostro
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28-02-2007, 09:49 | #3 |
Senior Member
Iscritto dal: Jan 2002
Messaggi: 847
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A dire il vero la struttura HIGH-K (dove K nel sistema internazionale è la costante dielettrica che noi chiamiamo epsilon) serve per avere, a parità di dimensione verticale con un dielettrico SiO2 di Silicio, un maggiore isolamento tra gate e canale.
L'elettrodo di gate in metallo è invece una tappa forzata perchè il gate attuale fatto in silicio non attacca sul materiali diversi dal silicio e ossidi derivanti, e l'High-K usato è Hafnio (piuttosto che tantalio, zirconio, ecc..). |
28-02-2007, 10:20 | #4 |
Senior Member
Iscritto dal: Jan 2007
Messaggi: 3573
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...e intanto amd ancora si scervella tra 90 e 65 nm.... ) boh! contenta lei, alla peggio per vendere finirà col ribassare ancora
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28-02-2007, 10:33 | #5 |
Senior Member
Iscritto dal: Jan 2002
Messaggi: 847
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Beh, all'utente finale solitamente non cambia molto la diminuzione di lunghezza di canale..
Evidentemente al momento gli costa di più diminuire le dimensioni che guadagnare spazio sul wafer. E magari stanno anche passando giorni di fuoco a risolvere le molteplici problematiche. |
01-03-2007, 01:24 | #6 |
Senior Member
Iscritto dal: Mar 2006
Messaggi: 404
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X Bulfio
Molto interessante, mi sapresti indicare link per approfondire le tecnologie (magari anche la Soi di amd/ibm) di realizzazione dei chip moderni?
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01-03-2007, 10:53 | #7 |
Junior Member
Iscritto dal: May 2005
Messaggi: 5
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high-k
>>A dire il vero la struttura HIGH-K serve per avere, a parità di dimensione verticale con un dielettrico SiO2 di Silicio, un maggiore isolamento tra gate e canale.
Questo non significa che diminuisce le dispersioni? se il mos è in saturazione il canale si forma e si hanno i portatori di carica, altrimenti se è off nel canale non ci sono portatori.Questo high-k probabilmente intensifica l'effetto di campo essendo come hai detto tu,una struttura che incrementa le capacità dielettriche; anche se non rispetto all'SiO2, il quale è solo un isolante tra Gate Source e Drain (e bulk), ma rispetto ad Si che costituisce il substrato ed anche il dielettrico tra metal di Gate e canale. >>L'elettrodo di gate in metallo è invece una tappa forzata perchè il gate attuale fatto in silicio non attacca sul materiali diversi dal silicio e ossidi derivanti, e l'High-K usato è Hafnio (piuttosto che tantalio, zirconio, ecc..). L'elettrodo di gate, come anche Source e Drain non sono sempre realizzati in metallo (Al)? Forse c'è confusione tra la "sacca" drogata di Gate realizzata nel substrato ed il metal che la mette in contatto con la circuiteria. La sacca è chiaramente di silicio ma drogato, quindi non credo si faccia di metallo. Se invece intendevi il metal depositato, le zone drogate e ricoperte di ossido, sono in contatto con uno strato di metal che le rende accessibili, quindi non vedo la novità nell'usare il silicio. Poi forse ho capito male. |
01-03-2007, 11:58 | #8 |
Member
Iscritto dal: May 2005
Messaggi: 236
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In realtà sembra che AMD esca con i 45nm nel 2008, non credo nel primo trimestre, ma in ogni caso nel 2008. Speriamo bene
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05-03-2007, 14:36 | #9 | ||
Senior Member
Iscritto dal: Jan 2002
Messaggi: 847
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Mi ero dimenticato questo thread
@Evanghelion001 Purtroppo non ne ho idea, io ho fatto un esame apposta all'università assai interessante, in cui si spiegava tutto ciò e anche di più. Potresti provare su Google Scholar, magari trovi qualche documento. Quote:
Il problema è che, essendo i campi elettrici davvero elevati (siamo quasi al limite superiore), la cariche non vanno solo da source a drain, ma passano nell'ossido e vanno nel gate. Continuando così, l'ossido si buca e il transistore smette di funzionare. L'high-K va a sistemare (o almeno ci prova) questo fenomeno in ragione del fatto che, se si vogliono scalare le dimensioni orizzontali, si devono scalare le dimensioni verticali. Quote:
Le metallizzazioni sono un'altra cosa, che non c'entra con il mos in sè in quanto servono solo per connessioni.
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Mauro |
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