Da Toshiba conferme per le memorie 3D NAND Quadruple Level Cell (QLC)

Anche se in Toshiba continuano le problematiche per la cessione della divisione memorie, il gigante giapponese non ferma lo sviluppo delle nuove tecnologie: tra le più recenti e promettenti troviamo le memorie 3D NAND QLC (Quadruple Level Cell).

Per questi nuovi chip arrivano delle conferme che fanno ben sperare, i 3D NAND QLC puntano ad offrire maggiore densità di memoria piuttosto che un ulteriore step in performance; tra gli obiettivi all'orizzonte il principale è sicuramente quello di riuscire a garantire un significativo e contenuto rapporto €/GB così da contenere i costi ed offrire ad esempio SSD con capacità vicine a quelle degli attuali hard disk meccanici.

Alla base di questa recente tecnologia c'è l'adozione di 4 bit per ogni cella disposte per un numero totale di 64 layer: grazie a questi nuovi limiti Toshiba sarà in grado di raggiungere capacità pari a 768GB per ogni die, superando di gran lunga quanto fino ad oggi disponibile con le memorie 3D TLC (Triple Level Cell) che possono raggiungere i 512GB per singolo die.

Fin qui solo lati positivi, tuttavia, con l'aumentare del numero di livelli per cella nascono vari problemi che gli sviluppatori sono chiamati a contenere e fronteggiare legati alle prestazioni ma soprattutto alla durata dei componenti; un maggior numero di livelli per cella richiede di aumentare i gradini di tensione da applicare: nella storia si sono succedute memorie SLC a due gradini di tensione, MLC con quattro, TLC con otto, ed infine le recenti QLC basate su 16 gradini, nel seguito una tabella riepilogativa che confronta la struttura delle varie tipologie di chip NAND.

Una cella sottoposta a differenti tensioni è soggetta ad un maggiore "lavoro" dando origine ad una più alta probabilità di generare errori ed in particolare un accorciamento della vita utile dei chip: Toshiba però è riuscita a fissare e raggiungere l'obiettivo di circa 1.000 cicli di scrittura e cancellazione su una memoria 3D NAND QLC, valore molto vicino a quello delle attuali TLC.

Agli inizi della tecnologia QLC i produttori avevano previsto un numero di cicli compreso tra i 100 e i 150, ciò significa che questa nuovo standard di memorie è già maturo e ben predisposto, non ci resta che aspettare il loro perfezionamento e la loro produzione.

Toshiba ha già iniziato il campionamento dei suoi dispositivi di memoria NAND 3D QLC agli inizi di questo mese, tutto ciò porta a pensare che l'inizio della produzione di massa potrà avvenire tra la fine del 2018 e gli inizio del 2019: sicuramente non prestissimo però almeno abbiamo già modo di sapere come avverrà l'evoluzione dei dispositivi di storage a stato solido i quali quindi non punteranno sull'aumento delle performance, già soddisfacenti, ma più sulla capacità massima, la quale si sa non è mai abbastanza.