Hynix Semiconductor ha annunciato di aver ottenuto la convalida da parte di Intel per i chip DDR3 DRAM da 2Gb prodotti impiegando il processo a 40 nanometri. Hynix ha reso noto di aver già avviato la produzione in volumi di questi chip e si aspetta inoltre che entro la fine dell'anno venga concessa da Intel la convalida anche per i prodotti RDIMM.

Oltre ai nuovi chip DDR3 da 2Gbit, Intel ha inoltre convalidato moduli SO-DIMM DDR3 da 4GB e moduli Unbuffered DIMM DDR3 da 2GB, in grado di operare a frequenze di 1333MHz e tensione di 1,5V. Secondo quanto dichiarato da Hynix i chip sono in grado di arrivare fino ai 1867MHz di frequenza operativa ed una larghezza di banda di 3,7Gbps.

Passando al processo produttivo a 40 nanometri la produttività di chip DDR3 da 2Gb, afferma Hynix, è incrementata di oltre il 60% rispetto alla produzione condotta con le tecnologie di processo a 50nm. Il consumo energetico verrebbe inoltre ridotto del 40% rispetto ai chip con processo a 50 nanometri.

JB Kim, CMO di Hynix, ha dichiarato: "L'attuale densità è rapidamente passata da 1Gb a 2Gb per i mercati server ad elevate prestazioni. Ci aspettiamo di poter garantire le migliori caratteristiche sia per le soluzioni da 1Gb sia per le soluzioni da 2Gb".