A-Data, hard disk Solid State da 128 GB

cavolo ora si fa interessante la cosa, ma usciranno anche versioni più grandi per pc secondo voi?

cerco risposte

Scusate, sono nuovo e vorrei capire cosa limita il riuso prolungato delle celle della memoria di cui si parla qui. E' detto che sono basate su porte Nand ( o Nor ?) che commutano da una condizione ad un'altra, che a me pare analoga a quanto succede in una CPU, che però non ha limiti reali nel tempo, cioè qualche 10^6 operazioni. Quante baggianatee ho detto? Grazie

Qui si parlava della durata di queste memorie:

http://www.hwupgrade.it/news/storage/19264.html


"...Appurati però i vantaggi finora esposti delle soluzioni a memoria statica e generalmente compresi dall'utenza, rimane il problema del numero militato di scritture, finora poco affrontato. Nessun imbarazzo da parte di Mr. Samsung, che evidentemente si aspettava la domanda. In passato ogni cella poteva essere "scritta" fino ad un massimo di 1000 volte, un valore non sufficiente a garantire l'affidabilità per utilizzi come disco di sistema. Allo stato attuale una SLC, single-level cell, può tollerare fino a 100.000 scritture. Questo dato non deve essere paragonato al MTBF dei dischi rigidi, in quanto il valore è per singola cella, non per forza interessata od ogni accesso al disco solid state.

Sfruttando invece celle MLC, Multi-level cell flash, il valore scende a 10.000 scritture, in ogni caso ritenute più che sufficienti. Mr. Barnetson spiega come i dischi allo stato solido utilizzino una tecnica di scrittura definita "wear leveling", che permette di distribuire uniformemente le scritture su tutte le celle, per evitare appunto che alcune vengano più utilizzate di altre e possano così massimizzare la vita media di tutta l'unità.

Viene portato l'esempio di una scrittura media di circa 120 MB all'ora; su un disco di 32 GB la tecnologia wear leveling farebbe in modo di impiegare ben 267 ore di utilizzo per scrivere ognuna delle singole celle. 267 ore di utilizzo quindi per fare aumentare l'ipotetico contatore di scritture massime di una singola unità. Tale contatore ha come limite massimo 100.000 per celle SCL e 10.000 per celle MLC. Servono dunque più di 26 milioni di ore per giungere a quota 100.000 scritture, e oltre 2,6 milioni di ore, in caso di celle MLC.

I primi modelli di dischi solid state sfrutteranno celle SLC, che verranno poi col tempo rimpiazzate da quelle MLC. Le prospettive dunque sembrano molto buone; ricordiamo in ogni caso che il futuro prevederà la coesistenza delle tecnologie solid state e a piatti rotanti, il secondo ottimizzato per garantire grandi capienze, il primo per prestazioni e affidabilità del sistema."

Sono convinto che la strada tracciata sia quella giusta e cmq non si torna indietro.
Bisogna solo attendere gli anni necessari alla diffusione e all'abbassamento generale dei prezzi per poter finalmente eliminare la palla al piede degli Hard Disk meccanici, sopravvissuti per troppo tempo all'evoluzione tecnologica.

concordo, gli hd tradizionali è ora che cessino di esistere anche perchè le loro prestazioni non sono affatto migliorate, specialmente rispetto agli altri componenti dei computer, e sono sempre più il vero collo di bottiglia del sistema. considerando il continuo miglioramento delle memorie statiche credo proprio che nei prossimi anni ne vedremo delle belle!

icoborg:
win xp embedded e' un XP profondamente modificato;
questo non toglie che si possa creare una piattaforma simile al classico XP da cui in definitiva deriva, ma farlo diventare una WS non e' un lavoro semplice, come non e' stato far dimagrire XP per compiti specifici...
credo che ci sia un limite per il discoram su cui scaricare l'immagine dell'OS (e si, perche' prima bisogna scaricarla tutta sul disco ram e poi avviarla da questo, un processo piu' lungo di un normale avvio);
credo che il limite sia fissato in 512MB, anche se so' che ci sono driver per ramdisk anche da 4GB.
sul vecchio win98 l'ho fatto, su XP ci sto' provando da un po', e per ora sto' cercando di mischiare i file di avvio di embedded con quelli di XP classico.

in effetti la tecnologia wear leveling e' annessa ad un solid disk di ultima generazione come il samsung a 32GB, ma siccome Vista potra' far uso di normali pendrive USB che opereranno come una caches dati, e' presumibile che il servizio che si occupera' di questa operazione avra' una logica comparabile, visto che difficilmente sara' integrata sulle pendrive.

bisogna solo vedere se sia abilitabile anche su una card usata come disco di sistema.

eventualmente si potra' optare per un rai di CF veloci per caches di cospiqua capacita', coadiuvate da un disco meccanico (anche se sembra dovranno uscire a breve questo tipo di dischi, con caches flash da 128MB).

Scusate se insisto, ma a me, e forse a qualcun altro, interessa conoscere il fenomeno fisico che limita il numero di scritture per le celle di memoria SLC o MLC. Non le considerazioni in merito al miglioramento dichiarato da Samsung, ma quello che è alla base dello stesso (miglioramento..).
Attendo fiducioso, asssieme agli altri curiosi.

Era ora, non se ne poteva + di piatti che girano e testine, poi i bud sector non esisteranno+ ..... o funziona o si rompe stop. .
Ho paura che i comuni mortali dovranno aspettare almeno 2-3 anni prima di poterli acquistare a prezzo umano.

il fenomeno e' dovuto alla migrazione di meteriale, che a lungo andare produce un foro negli elementi conduttori ; in effetti la cella di memoria e' come un transistor con due gate, control e floating, in cui il secondo e' completamente isolato e posizionato tra' control e substrato; se e' presente una carica elettrica, in quanto il floating gate e' in pratica un condensatore, osia elemento metallico tra' strati isolanti, si ha l'effetto di un aumento della soglia di elettricita da applicare per aprire il contatto tra sopra e sotto il floating gate.
carica e scarica del floating gate provoca a lungo andare la migrazione fisica del materiale conduttore, provocando un foro che isola completamente il floating gate dal resto del transistor; a quel punto la cella diventa inutile, in quanto e' il floating gate che contiene la carica come un condensatore, percio l'informazione 0 o 1.
c'e' da dire che se una CPU a 0.65nm necessita di 1.3v per funzionare, l'energia applicata ad una cella da 0.55nm e' di oltre 3v; e' per questo che esiste il fenomeno della migrazione fisica del materiale conduttore.
comunque nel forum ci dovrebbe essere qualcuno che ti sappia spiegare esattamente cosa avviene e come funziona.