Samsung HBM4E: fino a 3,25 TB/s di banda per le future GPU per l'intelligenza artificiale

Samsung Electronics ha illustrato i piani di sviluppo della memoria HBM4E. L'obiettivo è raggiungere una velocità di trasferimento pari a 13 Gbps per pin, per una larghezza di banda complessiva fino a 3,25 terabyte al secondo, più di due volte e mezzo quella della precedente HBM3E. Il tutto accompagnato da un raddoppio dell'efficienza energetica rispetto ai 3,9 picojoule per bit della HBM3E. La produzione di massa è attesa per il 2027, ma i primi sample sono già in fase di validazione.

L'evoluzione delle HBM4E è stata fortemente influenzata dalle richieste di NVIDIA, che ha spinto i principali produttori di memoria - Samsung, SK hynix e Micron - a incrementare le prestazioni delle HBM4 per supportare le esigenze delle GPU Rubin. La specifica ufficiale JEDEC per HBM4 prevede 8 Gbps per pin (pari a 2 TB/s), ma le richieste di NVIDIA hanno portato Samsung a spingersi fino a 11 Gbps.

La casa sudcoreana, inizialmente, aveva fissato un target di 8 Gbps per HBM4E, poi innalzato a 10 Gbps in occasione dell'ISSCC 2025, e infine ulteriormente aumentato dopo la richiesta di NVIDIA a 13 Gbps. Un analista del settore ha commentato che "dopo essere rimasta indietro nella corsa alla HBM3E, Samsung ha impostato fin dall'inizio lo sviluppo della HBM4 puntando a un netto vantaggio in termini di banda".

Durante lo stesso evento, Samsung ha presentato anche altri progressi tecnologici: la prossima generazione di DRAM mobile LPDDR6, con velocità di 10,7 Gbps per pin e un'efficienza migliorata del 20% rispetto alla LPDDR5X, e un aggiornamento sullo stato del processo a 2 nanometri (SF2). Quest'ultimo sarà impiegato nella produzione di Rebel Quad, chip AI sviluppato dalla startup coreana Rebellions, che integrerà una CPU ARM Neoverse V3 realizzata proprio con il processo all'avanguardia di Samsung, mentre la NPU sarà prodotta con processo SF4X a 4 nanometri.