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#1 |
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www.hwupgrade.it
Iscritto dal: Jul 2001
Messaggi: 75166
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Link alla notizia: http://www.hwupgrade.it/news/apple/j...i-o_42519.html
I dispositivi di memoria stacked sono in grado di offrire bandwidth elevate a scapito della capienza effettiva. Il JEDEC ed i produttori si confrontano per definire uno standard Click sul link per visualizzare la notizia. |
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#2 |
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Senior Member
Iscritto dal: Sep 2005
Messaggi: 1988
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IMHO, utile solo nei server, sia questa tecnologia, sia quella in sviluppo presso Intel, micron e samsung: già oggi la banda delle DDR3 è ampiamente sufficiente in dual channel per tutti gli impieghi che non riguardino server.
Non bisogna dimenticarsi che: 1- Samsung entro qualche mese (3-4) comincerà la produzione di massa di DDR3 a 20nm, che vorrebbe dire moduli a voltaggi standard (1.5v) capaci di raggiungere i 2Ghz di frequenza senza problemi 2- Tra 12 mesi circa inizierà la vendità di moduli DDR4 (e relative piattaforme), che vorrà dire due cose: ancora maggiore frequenza e soprattutto introduzione della connessione punto a punto tra moduli e CPU, in parole povere 4 moduli montati=banda passante come quad-channel.
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Membro Hwup's Kiss Army |
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#3 | |
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Senior Member
Iscritto dal: Jan 2008
Messaggi: 11186
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#4 |
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Senior Member
Iscritto dal: May 2004
Messaggi: 8345
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#5 | ||
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Senior Member
Iscritto dal: Sep 2005
Messaggi: 1988
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Membro Hwup's Kiss Army |
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#6 | |
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Senior Member
Iscritto dal: May 2004
Messaggi: 8345
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Quote:
Ultima modifica di coschizza : 08-06-2012 alle 12:42. |
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#7 | |
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Member
Iscritto dal: Sep 2007
Messaggi: 265
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