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15-11-2017, 14:17 | #6321 | |
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Speriamo, ora voglio vedere come si comporta.
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MSI mi ha un po' deluso da questo punto di vista.
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AMD Ryzen7 1700 - MSI X370 Gaming Pro Carbon - Corsair Vengeance RGB - MSI GTX-1080 Armor OC - LG 27UD68 - Corsair RM650i - Sharkoon M25-W - Samsung 850 evo - Western Digital Caviar Green 2TB |
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15-11-2017, 14:53 | #6322 |
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Il vcldo ce l'ho io nella b350 tomahawk msi. In overclock pagina principale dovresti averla come voce è vicino al voltaggio ram se non ricordo male. Il proctodt e nei parametri avanzati della ram
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16-11-2017, 11:24 | #6323 |
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Qualcuno ha provato a undervoltare un r5 1600 a frequenza stock 3200mhz? A che vcore siete arrivati stabili?
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16-11-2017, 11:31 | #6324 |
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0,9v mi pare
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16-11-2017, 11:33 | #6325 |
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16-11-2017, 11:36 | #6326 |
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Fai 2 ore di occt
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https://valid.x86.fr/bah48i |
16-11-2017, 11:52 | #6327 |
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occt in entrambe le modalità, prime95 in entrambe le modalità e aida64 con tutti i sottosistemi selezionati
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16-11-2017, 15:55 | #6328 | |
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Quote:
I settaggi ora sono ad AUTO e la RAM sembra stabile a 3200 con 1,38V (non sono sceso di più per pigrizia). Piuttosto sono poco convinto dei timings:
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16-11-2017, 16:20 | #6329 |
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massimo raggiunto in stabilità r5 1600 @3200mhz vcore 0.936 (-0.162), purtroppo ho fatto confusione con hwinfo e ho perso lo screen prima della fine del test.
Temp max di circa 40° dopo 2 ore può andar bene ad aria con un dark rock pro 3? non ho montato il dissy stock e non ho idea delle performance. ecco screen QUI |
16-11-2017, 17:27 | #6330 | |
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Quote:
Impressionante però vedere un 6 core 12 thread con un consumo massimo di 30W sotto occt a 3,2 GHz!
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AMD Ryzen R7 5800X + Arctic Freezer II 280mm, Asus ROG B550I Gaming, 2x16GB Crucial BallistiX 3200@3733MHz, AMD Radeon 6800, Sabrent Rocket 4.0 1TB + Crucial MX500 500GB + WD Blue 2TB 2,5", Corsair SF750, SSupd Meshlicious, LG 27GL850 - mITX - Trattative - [GUIDA] all'overclock dell'AMD K10 - [GUIDA] all'overclock di AMD Ryzen |
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16-11-2017, 17:43 | #6331 |
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il vcore lo vedi settato sotto nella mainboard, comunque immaginavo avrebbe fatto confuzione lo screen di hwinfo.....purtroppo quello è stato fatto a test terminato, quindi consumi e temperature sono quasi in idle.
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16-11-2017, 18:52 | #6332 |
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Ragazzi lo scrivo anche qua:
Il bios 1201 per la X370-Prime Pro sembra essere realmente più stabile sul vcore. Sono passato da 1.368v LLC3 con errore di OCCT dopo 40 minuti (superando invece 2 ore realbench) con il bios 0902/1001... A 1.362v LLC3 senza errori ad OCCT 2h, realbench max ram 2 h, prime blend/custom max ram 6h, 1000% memtest-hci e 4h memtest84. Quindi RockSolid! (ho messo screen in vari post indietro). Adesso sto provando 1.357v LLC3 (sempre @4050mhz) e ho già superato 2 ore OCCT e 10 run di IBT AVX Max ram. Stanotte faccio memtest 1000% e se lo supero domani mattina faccio 6 ore di prime95 blend/custom max ram. Infine realbench 2 ore e 4 ore di memtest64, che dovrei superare (se supero i 2 precedenti). Se si dovesse confermare stabile, è un super passo avanti!! Ho cambiato solo il vcore, resto tutto uguale!
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Mobo: Asus X-370 Prime Pro, CPU: Ryzen 7 1700 4.05Ghz 1.350v LLC3 + Corsair H80i V2, Ram: G.Skill Trident Z 16Gb 3333Mhz CL14, S.V.: Gigabyte GTX 660 OC 2GB, SSD: 250Gb 850 Evo Rapid Mode + 120GB Kingston V300 Now, HDD: 1TB WD Black. Case: Fractal Define R5 White Window. - CPU-Z Validator |
16-11-2017, 19:43 | #6333 |
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Figurati, non dovevi neanche chiedere scusa. Pensavo solo di fare un piacere. Penso che le tue ram siano b-die, se si puoi usare come base i timing di the stilt come riferimento di partenza. Altro non so
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16-11-2017, 20:35 | #6334 | |
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Domani mi vado a cercare i timings e li provo (prevedo nottata ).
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16-11-2017, 22:19 | #6335 |
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Vedo che chi segue il thread attivamente finalmente inizia a fare oc testati come si deve lato cpu e mem 8)
Come ho già scritto, molti di questi oc dovranno essere corretti all'avvicinarsi dell'estate per via delle temperature ambiebtali maggiori. Ricordatevi sempre che le temp maggiori vogliono piú vcore, piú vcore significa piú temp... é un circolo vizioso. quindi quando le temp aumenteranno, meglio cedere qualche mhz . ultima nota, una rilevazione software occasionalmente sopra i 100gradi durante i bench (sui vrm) puó essere solo un errore temporaneo. Vero é che la stragrande maggioranza dei vrm regge oltre i 110. ma il resto dei componenti li intorno: no. per questo bisogna iniziare a consigliare a chi vuole fare oc duraturo di scegliere la giusta scheda madre con un comparto vrm robusto. purtroppo molte b350 sotto questo punto di vista sono carenti, sopratutto se si sorpassa 1.38v. l'importante é monitorare ( anche usando un termometro ad infrarossi da pochi euro, che non sarà precisissimo ma che un'idea la dà) il proprio hardware ed al limite per chi proprio non vuoke rinunciare, munirsi di una ventola da piazzare diretta sopra i vrm (occhio che alcune posizioni delle ventole non danno risultati, bisogna provare). Insomma l'oc non é per tutte le configurazioni o le tasche.
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16-11-2017, 22:52 | #6336 | |
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Cioè, perchè una temperatura ambientale più alta dovrebbe richiedere più vcore? Ho provato a cercare ma non ho trovato nulla in merito.
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17-11-2017, 02:18 | #6337 |
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è dovuto a come il silicio reagisce alle temperature.
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17-11-2017, 08:35 | #6338 |
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Esatto!
Quello che cita anche sponge è l'effetto della temperatura sulle correnti di dispersione (in inglese leakage current). Queste correnti sono INDESIDERATE perché si creano quando un elettrone "salta" dalla propria pista a quelle vicine e crea instabilità perché non porta più l'informazione che in transistor veicola. Dalla chimica generale si sa che più alta è la temperatura più le molecole possiedono agitazione molecolare. Questo è valido anche per il silicio ergo più aumenta la temperatura più aumentano le correnti di dispersione. Per questo per salire di frequenza ad un certo punto ci sono i cosiddetti muri: in pratica i transistor non riescono più a commutare bene a causa del leakage che aumenta esponenzialmente e il ricorso all'aumento di potenziale (vcore) per tenere ferme le cariche sulle piste non sortisce più nessun effetto. Anzi aumenta a sua volta il calore che aumenta a sua volta la temp che a sua volta aumenta il leakage. Arrivati a questo punto si deve aumentare il potere dissipante: -aria -liquido (custom) - phase change (cambio di fase, si usa il calore latente di un fluido per togliere più velocemente il calore) - azoto - elio Aumentando il potere dissipante faccio fare dei salti alla mia curva leakage / temperatura, potendo così continuare la corsa all'aumento della frequenza via aumento del potenziale elettrico (tensione cpu o vcore). Qua un riferimento: https://en.wikipedia.org/wiki/Leakage_(electronics) EDIT: aggiungo per i più volenterosi di sapere: https://www.google.it/url?sa=t&rct=j...4g__b-8eUrGycn è un articolo accademico sull'influenza delle temperatura sul leakage. A pagina 22 cito: "Subthreshold leakage current Isub is exponentially dependent on temperature, as shown in Fig. 2.5; a common rule of thumb is that leakage current doubles for every 10C increase in temperature [12]. When VGS ¼ 0, Isub may be represented by the Shockley diode model" Poi altro articolo su temp e tensione (vdd) sui 90 nm e 65 nm: https://pdfs.semanticscholar.org/605...47989fb1e3.pdf Notate come il comportamento peggiora a nanometrie più spinte e a tensioni più elevate oltre che a temperature più alte. Questo perché, come spiega il trafiletto su wiki, il leakage è inversamente proporzionale allo spessore della regione isolante nei transistor ed ecco perché nel tempo si sono usate tecniche diverse (SOI, strained silicon, low-k dielettric, ecc ecc) per ridurre queste correnti. PS: mi scuso per aver semplificato il discorso ma così è facilmente "digeribile" Ultima modifica di Mister D : 17-11-2017 alle 08:47. |
17-11-2017, 08:58 | #6339 | ||
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17-11-2017, 09:14 | #6340 |
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