SSD: thread generale e consigli per gli acquisti

[pitx]

Originariamente inviato da Black (Wooden Law)

Non ci ho pensato al fatto dell'adattatore, grazie Pitx, molto interessante come cosa in quanto sarebbe un'ottima scelta vista la qualità e il prezzo dell'MP600 Mini. Pensaci ARSENIO_LUPEN, un adattatore 2230-2242 costa solo 12 euro su Amazon e prenderesti un ottimo SSD con l'MP600 Mini (oltre al fatto che spenderesti anche di meno rispetto all'MP600 Micro).

Comunque il Sabrent Nano, purtroppo, è un DRAM-less PCIe 3.0 che usa un controller di fascia bassa facendo poco più di 2.000 MB/s, oltretutto ha una cifra sproposita su Amazon, se dovesse andare di un 2242 nativo tante vale l'MP600 Micro.

Ci sarebbe pure il VIPER VP4000 Mini 1TB M.2 2230 PCIe Gen4 x4 SSD VP4000M1TBM23 di Patriot Recensione di madshrimps

Ci sono sempre questi adattatori...



ZDE 2 pezzi M.2 NGFF NVMe SSD lunghezza adattatore 2230 fino a 2242

[Black (Wooden Law)]

Originariamente inviato da pitx

Ci sarebbe pure il VIPER VP4000 Mini 1TB M.2 2230 PCIe Gen4 x4 SSD VP4000M1TBM23 di Patriot Recensione di madshrimps

Peggiore dell’MP600 Mini ma comunque un SSD decente. Costa più di 30 € in meno, è questo il fatto, quindi può essere comunque una buona scelta tenendo conto del rapporto qualità-prezzo.

[ARSENIO_LUPEN]

È proprio un altro acquisto in più, in concomitanza si è rotto quello del notebook.
Per carità sarebbe ancora in garanzia, ma è da soli 256GB, comunque un modello almeno da 512 serve.

Grazie per i consigli, valuterò il da farsi, perché forse si riesce a rimuovere il supporto piccolo e sfruttare un SSD 2280 su un incisione prefatta, devo vedere come fissare il dado

[pitx]

Originariamente inviato da Black (Wooden Law)

Peggiore dell’MP600 Mini ma comunque un SSD decente. Costa più di 30 € in meno, è questo il fatto, quindi può essere comunque una buona scelta tenendo conto del rapporto qualità-prezzo.

Guarda che anche con l'adattatore...

[@Liupen]

Originariamente inviato da Black (Wooden Law)

Ho notato ora che nello spreadsheet c'è segnato SN7000 (con oltretutto le BiCS6). Magari ne abbiamo parlato in passato anche se dubito.

Non saprei..mi sembra di no. Magari hanno preannunciato e devono ancora correggere ora che è uscito.

Ufficiale è il modello 7100 https://shop.sandisk.com/it-it/produ...00T4X0E-00CJA0

Già nella lista dei dispositivi in fase di test NVMe è nominato così:

SanDisk PC SN7100S Firmware Version: 7608M001 NVMe SSD Gen4 2.0 NA M.2 NVM v21.0 October 15, 2024 www.westerndigital.com

[Black (Wooden Law)]

Samsung, sulla pagina indiana, lancia il 9100 PRO e poi cancella subito. Velocità da “14.800 MB/s e 13.400 MB/s”, penso (e mi auguro) che usi le NAND flash V9 TLC che sono da 286L. Oltre alle performance va visto anche consumo e temperature, se siamo sul livello dell’SM2508 e ha un MSRP decente confido che possiamo avere un campione per i Gen5.

[frafelix]

Sì, è appena uscita l'articolo su tom's
https://www.tomshw.it/hardware/samsu...pro-2025-02-25

[pitx]

Originariamente inviato da Black (Wooden Law)

Samsung, sulla pagina indiana, lancia il 9100 PRO e poi cancella subito. Velocità da “14.800 MB/s e 13.400 MB/s”, penso (e mi auguro) che usi le NAND flash V9 TLC che sono da 286L. Oltre alle performance va visto anche consumo e temperature, se siamo sul livello dell’SM2508 e ha un MSRP decente confido che possiamo avere un campione per i Gen5.

14,8GB/s in lettura e 13,4GB/s in scrittura...

[@Liupen]

Son dei deficienti o la cosa è voluta per creare aspettativa?

https://news.samsung.com/us/samsung-...0-performance/

Mi chiedo anche perchè "rubare" il nome ad un prodotto Micron..

Potevano continuare la linea... anzi già c'era l'ssd in commercio
https://www.pcgamer.com/software/win...are-hilarious/

[Black (Wooden Law)]

Cavolo, solo ora mi sono accorto dello stesso nome dell'SSD di Micron e cavolo @Liupen, mi hai fatto scoprire che anche 'sta volta non avremo le NAND flash V9 TLC ma le amate V8 TLC da 236L. TPU l'ha già messo nel DB con il controller "Samsung Presto" ossia un 5 core ARM Cortex-R8 (gli stessi dell'SM2508, solo che quest'ultimo ne ha 4 con in aggiunta un ARM Cortex-M0) con 8 canali da ben... 2.400 MT/s, proprio come le NAND flash! Quindi mentre gli altri produttori di SSD scelgono controller e NAND flash da più di 3.000 MT/s Samsung rimane ferma con i suoi amati 2.400 MT/s. La cache SLC ("Intelligent TurboWrite 2.0") sembra abbastanza piccola e il consumo mi sembra di vederlo sul livello di quello del Phison E26 se non anche più alto quindi mi aspetto anche alte temperature proprio come quest'ultimo ha.

Mi chiedo come facciano a saturare la banda del PCIe 5.0 con quelle NAND flash a quella velocità, però vabbè, l'I/O non fa per forza tutto, conta anche la velocità in MB/s per die (che in questo caso è di 164 MB/s).

[frafelix]

Mi sembra che samsung dopo il 950 pro non ne abbia azzeccata una sui top di gamma... Non che facciano schifo, ma non all'altezza dei precedenti!

[Black (Wooden Law)]

Originariamente inviato da frafelix

Mi sembra che samsung dopo il 950 pro non ne abbia azzeccata una sui top di gamma... Non che facciano schifo, ma non all'altezza dei precedenti!

Dal 950 PRO mi sembra esagerato, non penso che il 960 PRO fosse male ai tempi, ma non lo erano neanche il 970 EVO, 970 EVO Plus e 970 PRO (anzi, quelli erano il top PCIe 4.0), semplicemente dal 980 PRO è iniziato il declino. Il 980 era accettabile viste le performance e il prezzo.

[aled1974]

concordo, sembra un (bel) po' peggiorata nei suoi prodotti, quando con sata e nvme3 era probabilmente il miglior marchio sul mercato

ciao ciao

[frafelix]

Non erano male, ma non avevano qualcosa che li differenziava in positivo dagli altri come i modelli precedenti e nel frattempo si sono fatti raggiungere dai competitor. Anche adesso hanno tirato fuori un bel prodotto, ma dal costo eccessivo rapportato ai concorrenti che tra l'altro hanno tirato fuori buoni prodotti molti mesi fa. Vedi crucial con la serie T e tutti i vari modelli con il phision e26.
Ti dirò l'unico vantaggio potrebbe essere se scaldano meno uscendo così in ritardo rispetto agli altri, ma dobbiamo aspettare le prove sul campo

[Black (Wooden Law)]

Originariamente inviato da frafelix

Non erano male, ma non avevano qualcosa che li differenziava in positivo dagli altri come i modelli precedenti e nel frattempo si sono fatti raggiungere dai competitor. Anche adesso hanno tirato fuori un bel prodotto, ma dal costo eccessivo rapportato ai concorrenti che tra l'altro hanno tirato fuori buoni prodotti molti mesi fa. Vedi crucial con la serie T e tutti i vari modelli con il phision e26.
Ti dirò l'unico vantaggio potrebbe essere se scaldano meno uscendo così in ritardo rispetto agli altri, ma dobbiamo aspettare le prove sul campo

Mi trovi d'accordo su tutto, l'avevo scritto anche tempo fa che sta succedendo la stessa cosa con il 980 PRO: ci hanno messo troppo tempo per far uscire il modello nuovo a differenza dei competitor. Il 980 PRO ai tempi era al top, poi però dopo poco tempo sono usciti gli SSD con E18 che facevano 7 GB/s e l'hanno battuto.

[Black (Wooden Law)]

Samsung prevede l'uso della tecnologia wafer-to-wafer bonding (cioè quella di lavorare gli array delle NAND flash e la circuiteria periferica dei die su wafer diversi per poi unirli tramite legami chimici) dalle NAND flash V10 in su, usando ben quattro wafer. A quanto pare verrà aiutata da YMTC:
"Samsung's plan involves working with China's YMTC, which should offer a hybrid bonding patent for V10 NAND."
Qui la fonte.

[DOC-BROWN]

Originariamente inviato da Black (Wooden Law)

Samsung prevede l'uso della tecnologia wafer-to-wafer bonding (cioè quella di lavorare gli array delle NAND flash e la circuiteria periferica dei die su wafer diversi per poi unirli tramite legami chimici) dalle NAND flash V10 in su, usando ben quattro wafer. A quanto pare verrà aiutata da YMTC:
"Samsung's plan involves working with China's YMTC, which should offer a hybrid bonding patent for V10 NAND."
Qui la fonte.

quindi alla fine della fiera , i migliori tra le tante marche ... rimangono i samsung ?

[Black (Wooden Law)]

Originariamente inviato da DOC-BROWN

quindi alla fine della fiera , i migliori tra le tante marche ... rimangono i samsung ?

Non ho detto questo con quello che ho condiviso. In quel commento voglio far notare come Samsung si faccia aiutare da YMTC per le future NAND flash V10 (che dovrebbero essere da circa 400 layer) perché YMTC usa da molto più tempo la tecnologia wafer-to-wafer bonding mentre per Samsung sarà la prima volta con le V10. Penso che sia abbastanza sconcertante che YMTC sia passato da avere una cattiva reputazione della maggior parte delle persone ad aiutare Samsung nella produzione delle sue NAND flash, un produttore che c'è nel settore da decenni e che per anni ha prodotto le migliori memorie sul mercato (soprattutto in termini architetturali). Ovviamente, nonostante ciò, c'è sempre guerra tra i produttori di NAND flash visto che tutti quanti stanno formando un cartello per cercar di fermare YTMC (anche se apparentemente non sta andando come vogliono loro¹).

Per quanto riguarda la qualità delle NAND flash di Samsung, qui nel forum ne ho già parlato, per me Samsung sta perdendo lentamente colpi vista la velocità delle V9 QLC (sono da 40 MB/s per die mentre già altri produttori hanno fatto velocità del genere in passato con la stessa tecnologia) e il ritardo nel lanciare le V9 TLC. Che poi oddio, "ritardo" lo è perché lo dico io, magari è tutto pianificato che facciano uscire le V9 TLC per i prossimi modelli, però mi fa strano che mentre gli altri produttori lanciano sul mercato NAND flash da più di 270L Samsung sia ancora ferma con le 236L.

Parlando della durata delle memorie, invece, Samsung per anni è sempre stata al top e penso che lo sia tuttora visto che continua ad avere il miglior metodo di incisione, semplicemente è stata raggiunta da Micron che dalle 128L TLC in su ha deciso di usare la stessa architetture per celle NAND flash (ossia charge trap flash su un transistor TANOS con replacement gate), quindi ora, teoricamente, Micron ha risultati molto, molto simili a Samsung.

Se dovessi pensare ad un'opinione generale che riguarda l'andazzo dello sviluppo tecnologico forse direi: YMTC > SK hynix > Micron > Kioxia > Samsung ma giusto perché in questo momento YMTC è infermabile e SK hynix sta già producendo le più alte NAND flash di sempre (321L).

¹: https://www.digitimes.com/news/a2025...echnology.html.

[pitx]

Originariamente inviato da Black (Wooden Law)

Non ho detto questo con quello che ho condiviso. In quel commento voglio far notare come Samsung si faccia aiutare da YMTC per le future NAND flash V10 (che dovrebbero essere da circa 400 layer) perché YMTC usa da molto più tempo la tecnologia wafer-to-wafer bonding mentre per Samsung sarà la prima volta con le V10. Penso che sia abbastanza sconcertante che YMTC sia passato da avere una cattiva reputazione della maggior parte delle persone ad aiutare Samsung nella produzione delle sue NAND flash, un produttore che c'è nel settore da decenni e che per anni ha prodotto le migliori memorie sul mercato (soprattutto in termini architetturali). Ovviamente, nonostante ciò, c'è sempre guerra tra i produttori di NAND flash visto che tutti quanti stanno formando un cartello per cercar di fermare YTMC (anche se apparentemente non sta andando come vogliono loro¹).

Per quanto riguarda la qualità delle NAND flash di Samsung, qui nel forum ne ho già parlato, per me Samsung sta perdendo lentamente colpi vista la velocità delle V9 QLC (sono da 40 MB/s per die mentre già altri produttori hanno fatto velocità del genere in passato con la stessa tecnologia) e il ritardo nel lanciare le V9 TLC. Che poi oddio, "ritardo" lo è perché lo dico io, magari è tutto pianificato che facciano uscire le V9 TLC per i prossimi modelli, però mi fa strano che mentre gli altri produttori lanciano sul mercato NAND flash da più di 270L Samsung sia ancora ferma con le 236L.

Parlando della durata delle memorie, invece, Samsung per anni è sempre stata al top e penso che lo sia tuttora visto che continua ad avere il miglior metodo di incisione, semplicemente è stata raggiunta da Micron che dalle 128L TLC in su ha deciso di usare la stessa architetture per celle NAND flash (ossia charge trap flash su un transistor TANOS con replacement gate), quindi ora, teoricamente, Micron ha risultati molto, molto simili a Samsung.

Se dovessi pensare ad un'opinione generale che riguarda l'andazzo dello sviluppo tecnologico forse direi: YMTC > SK hynix > Micron > Kioxia > Samsung ma giusto perché in questo momento YMTC è infermabile e SK hynix sta già producendo le più alte NAND flash di sempre (321L).

¹: https://www.digitimes.com/news/a2025...echnology.html.

Fonte: qui

Samsung Electronics ha firmato un accordo di licenza con la cinese Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC) per utilizzare la sua tecnologia brevettata hybrid bonding nella produzione di flash NAND di prossima generazione. Gli analisti dicono che la rara mossa di una società sudcoreana di concedere in licenza la tecnologia cinese probabilmente mira a prevenire potenziali controversie sui brevetti.

NAND flash, un tipo di chip di memoria che conserva i dati senza alimentazione, è dominato da società sudcoreane Samsung e SK Hynix, che insieme controllano più della metà del mercato globale. Samsung guida il settore con una quota del 35,2% a partire dal terzo trimestre del 2024, seguita da SK Hynix (20,6%), dalla giapponese Kioxia (15,1%) e dalla statunitense Micron (14,2%), secondo TrendForce. Samsung attualmente produce NAND a 286 strati, mentre SK Hynix offre chip a 321 strati. Sebbene YMTC rimanga un giocatore minore per quota di mercato, ha aumentato la produzione di 294 strati E, rapidamente colmando il divario tecnologico con i suoi rivali sudcoreani.

Secondo fonti del settore, Samsung e YMTC hanno recentemente finalizzato un accordo per la tecnologia 3D NAND hybrid bonding. Questo metodo lega i wafer direttamente senza urti, riducendo l'altezza del chip e migliorando le velocità di elaborazione dei dati. Mentre l'attuale tecnologia NAND supporta l'impilamento fino a 300 livelli, l'ulteriore ridimensionamento deve affrontare limitazioni fisiche. I conteggi di strati più alti consentono chip di maggiore capacità e i principali produttori dovrebbero adottare un legame ibrido per NAND superiore a 400 strati.

YMTC ha aperto la strada all'uso del legame ibrido nella produzione NAND, assicurando i brevetti chiave nella fase iniziale.

I funzionari del settore suggeriscono che l'accordo di licenza di Samsung include un accordo di licenza incrociata, che consente a entrambe le società di utilizzare le rispettive tecnologie brevettate. La mossa segue la causa del 2024 di YMTC contro Micron in un tribunale degli Stati Uniti, relativa alla violazione di brevetti NAND.

"Evitare inutili contenziosi è spesso la motivazione dietro tali accordi di licenza incrociata, anche se la tecnologia brevettata non viene immediatamente utilizzata”, ha detto un funzionario del settore.

[Black (Wooden Law)]

Originariamente inviato da pitx

Fonte: qui

Samsung Electronics ha firmato un accordo di licenza con la cinese Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC) per utilizzare la sua tecnologia brevettata hybrid bonding nella produzione di flash NAND di prossima generazione. Gli analisti dicono che la rara mossa di una società sudcoreana di concedere in licenza la tecnologia cinese probabilmente mira a prevenire potenziali controversie sui brevetti.

NAND flash, un tipo di chip di memoria che conserva i dati senza alimentazione, è dominato da società sudcoreane Samsung e SK Hynix, che insieme controllano più della metà del mercato globale. Samsung guida il settore con una quota del 35,2% a partire dal terzo trimestre del 2024, seguita da SK Hynix (20,6%), dalla giapponese Kioxia (15,1%) e dalla statunitense Micron (14,2%), secondo TrendForce. Samsung attualmente produce NAND a 286 strati, mentre SK Hynix offre chip a 321 strati. Sebbene YMTC rimanga un giocatore minore per quota di mercato, ha aumentato la produzione di 294 strati E, rapidamente colmando il divario tecnologico con i suoi rivali sudcoreani.

Secondo fonti del settore, Samsung e YMTC hanno recentemente finalizzato un accordo per la tecnologia 3D NAND hybrid bonding. Questo metodo lega i wafer direttamente senza urti, riducendo l'altezza del chip e migliorando le velocità di elaborazione dei dati. Mentre l'attuale tecnologia NAND supporta l'impilamento fino a 300 livelli, l'ulteriore ridimensionamento deve affrontare limitazioni fisiche. I conteggi di strati più alti consentono chip di maggiore capacità e i principali produttori dovrebbero adottare un legame ibrido per NAND superiore a 400 strati.

YMTC ha aperto la strada all'uso del legame ibrido nella produzione NAND, assicurando i brevetti chiave nella fase iniziale.

I funzionari del settore suggeriscono che l'accordo di licenza di Samsung include un accordo di licenza incrociata, che consente a entrambe le società di utilizzare le rispettive tecnologie brevettate. La mossa segue la causa del 2024 di YMTC contro Micron in un tribunale degli Stati Uniti, relativa alla violazione di brevetti NAND.

"Evitare inutili contenziosi è spesso la motivazione dietro tali accordi di licenza incrociata, anche se la tecnologia brevettata non viene immediatamente utilizzata”, ha detto un funzionario del settore.

Interessante, visto il casino che è successo tra Micron e YMTC direi che firmare un accordo di licenza sia la scelta giusta.