[Thread Ufficiale] Aspettando ZEN

[Ren]

Originariamente inviato da paolo.oliva2

Facendo un esempio, il mio 5500U necessita di 1,155V per 3GHz

Mi sono dimenticato di scrivere che lo stock voltage è appunto 1.140-1.155 ed il grafico tiene conto del under-volting su cpu scelta.

cmq ecco il resto del articolo, dove ci sono altri grafici interessanti.

http://www.anandtech.com/show/5763/u...-on-ivy-bridge

[paolo.oliva2]

post doppio, sorry

[paolo.oliva2]

Originariamente inviato da Ren

Mi sono dimenticato di scrivere che lo stock voltage è appunto 1.140-1.155 ed il grafico tiene conto del under-volting su cpu scelta.

cmq ecco il resto del articolo, dove ci sono altri grafici interessanti.

http://www.anandtech.com/show/5763/u...-on-ivy-bridge

Bisogna tenere conto anche di altre cose.
Intel, a parte il 6700K offerto a 4GHz, ha un range di frequenza sui 3GHz/3,5GHz. E' ovvio che Intel ricerchi l'affinamento silicio su questo range di frequenza, quindi non ci è possibile capire perfettamente quanto lo scaling del 14nm Intel Vcore/frequenza dipenda da un limite fisico o da un limite affinamento per determinate frequenze inquadrato da Intel.

Oltre a questo, un altro esempio è che un 8350/8370, con Vcore ottimizzati, possa equivalere per TDP/frequenza un 6700K. Mi sembra ovvio che la risposta non sia che il 32nm SOI equivalga il 14nm Intel, ma perchè sono architetture differenti con frequenze/TDP differenti.

Se GF avesse il 14nm Intel (ipotizzo), credo che comunque a parità di TDP l'architettura AMD (che sia XV che Zen) concederebbe comunque una frequenza superiore alla controparte Intel, e ovviamente l'affinamento GF avrebbe frequenze diverse su cui incentrare lo sforzo.

[el-mejo]

Originariamente inviato da gridracedriver

così come dicevano che l'ipc sarebbe stato del +20% sul phenom se per quello quando in realtà se spegnevi un integer per modulo era lo stesso ipc

a questo punto data la scelta dell'smt e a vedere il core nel complesso colli grossolani non ci dovrebbero essere e sono uscite pure notizie a riguardo mesi fa era fine 2015 o prima ancora, resta da vedere se il debug è passato liscio o meno, ma toppare nell'ipc mi sembra l'ultimo dei problemi in effetti

sul discorso tdp/silicio, ho paura che i 95watt per X8 non li vedremo affatto, più probabile i 125 o addirittura i 140, ma è una mia supposizione non ci sono news a riguardo.

per il discorso apu, amd ha dichiarato apertamente di tornare a concorrere nel settore server e che conta, per tanto gli sforzi principali sono incentrati su x86 da almeno 8~16 core a salire

per la famosa apu hpc per me se ne riparlerà nel H2-2017, quindi Q3-Q4 e non prima, tieni presente che sarà un die monolitico più grande del x86 liscio, con tutto ciò che ne consegue in termini di rese, ecc

I 14nm se non sbaglio sono i primi FinFet di Samsung, inizialmente saranno grezzi come rese e prestazioni ma si affineranno durante il loro ciclo vitale.

Probabilmente sarà come con i 45nm e i Phenom II:

Gennaio 2009 : Phenom II x4 940 @ 3ghz / 125w tdp (su Am2+)

Agosto 2009: Phenom II X4 965 @ 3,4ghz /140w tdp

Novembre 2009: Phenom II X4 965 @ 3,4ghz /125w tdp

Aprile 2010 : Phenom II X6 1090T @ 3,2ghz / 125w tdp

Gennaio 2011: Phenom II X4 975 Black Edition @ 3,6ghz /125w tdp


Imho la vera bomba non sarà Zen ma Zen+, sopratutto se produranno e commercializzeranno un Die 12+12 nativo su un 14nm rodato!

[tuttodigitale]

Originariamente inviato da gridracedriver

per la famosa apu hpc per me se ne riparlerà nel H2-2017, quindi Q3-Q4 e non prima, tieni presente che sarà un die monolitico più grande del x86 liscio, con tutto ciò che ne consegue in termini di rese, ecc

Tra tutti i modelli hai preso proprio quello che potrebbe fare a meno del die monolitico, per la presenza obbligatoria dell'interposer..
io sapevo, che potrebbe essere comercializzato nel q1....

Originariamente inviato da gridracedriver

sul discorso tdp/silicio, ho paura che i 95watt per X8 non li vedremo affatto, più probabile i 125 o addirittura i 140, ma è una mia supposizione non ci sono news a riguardo.

sei controcorrente con gli ultimi rumors che vogliono il debutto del x8 95W ad Ottobre.

Spero che ti sbagli.

[Mister D]

Originariamente inviato da el-mejo

I 14nm se non sbaglio sono i primi FinFet di Samsung, inizialmente saranno grezzi come rese e prestazioni ma si affineranno durante il loro ciclo vitale.

Probabilmente sarà come con i 45nm e i Phenom II:

Gennaio 2009 : Phenom II x4 940 @ 3ghz / 125w tdp (su Am2+)

Agosto 2009: Phenom II X4 965 @ 3,4ghz /140w tdp

Novembre 2009: Phenom II X4 965 @ 3,4ghz /125w tdp

Aprile 2010 : Phenom II X6 1090T @ 3,2ghz / 125w tdp

Gennaio 2011: Phenom II X4 975 Black Edition @ 3,6ghz /125w tdp


Imho la vera bomba non sarà Zen ma Zen+, sopratutto se produranno e commercializzeranno un Die 12+12 nativo su un 14nm rodato!

Non penso proprio che il processo bulk finfet abbia lo stesso miglioramento del SOI che ha sempre avuto il CTI (continuum transistor improvement) come tanta decantata capacità intrinseca. Anche vedendo intel il bulk nasce con delle caratteristiche e se mai devi poi farne proprio un altro step produttivo. Il soi anche all'interno delle stesso step migliora, tanto che gli ultimi esemplari di FX 8350 tengono quasi le stesse tensioni degli fx8320e/fx8370e/fx8370 con silicio con più layer metallici.
Però spero di essere contraddetto da qualcuno o dai fatti

[digieffe]

Originariamente inviato da gridracedriver

sul discorso tdp/silicio, ho paura che i 95watt per X8 non li vedremo affatto, più probabile i 125 o addirittura i 140, ma è una mia supposizione non ci sono news a riguardo.

2 conti dozzinali:
prendendo XV da 28w@3ghz e pareggiando 1 modulo ad 1 core di Zen,
abbiamo che un 8 core Zen a 28nm@3ghz consuma senza L3 112w, diciamo pure 125w tutto compreso.

ora con un processo produttivo avanti di 2 nodi (da 28 a 14nm, ma due nodi pessimi tanto da rendere per uno) + il finfet, il consumo si abbatte, a frequenze vicino alle ottimali, almeno al 70%, che di 125 è 87,5w.

Zen X8 3ghz in 95w c'è tutto.

il problema è quando triplica il consumo da 3 a 3,5ghz!!!

[tuttodigitale]

Più postate dati relativi a Carrizo e più sono convinto che ZEN farà il botto. State alimentando indirettamente le mie aspettative

[tuttodigitale]

Originariamente inviato da gridracedriver

riprendendo i conti di @tuttodigitale sulla perdita del wattmetro

avresti dovuto usare le formule che ti ho fornito. Questi dati devi considerarle Perle (== CAZZATE). In settimana (o stasera chi lo sa) rifaccio i calcoli.

PS Ho il sospetto che tu lo faccia apposta, a rimarcare i miei errori (detto da me, fa ridere )

Adesso lo sanno tutti che non sono un genio . Mi hai smascherato

[el-mejo]

Originariamente inviato da Mister D

Non penso proprio che il processo bulk finfet abbia lo stesso miglioramento del SOI che ha sempre avuto il CTI (continuum transistor improvement) come tanta decantata capacità intrinseca. Anche vedendo intel il bulk nasce con delle caratteristiche e se mai devi poi farne proprio un altro step produttivo. Il soi anche all'interno delle stesso step migliora, tanto che gli ultimi esemplari di FX 8350 tengono quasi le stesse tensioni degli fx8320e/fx8370e/fx8370 con silicio con più layer metallici.
Però spero di essere contraddetto da qualcuno o dai fatti

Non c'erano stati affinamenti sui 22nm da Haswell a Haswell refresh (4770k vs 4790k), al netto del miglioramento dell'HIS e del tdp leggermente aumentato?

E restando sul bulk, seppur non finfet, anche il chip Thaiti dalla prima 7970 alla r9 280x ha avuto miglioramenti, seppur non eclatanti.

E riguardo i layer metallici degli fx8320e/fx8370e/fx8370 avete altre info a riguardo? E perchè quei mentecatti non hanno pubblicizzato questa cosa?
Passino le versioni da 95w, ma il 8370 l'ho sempre visto come una presa in giro con il 8350 a 30€ in meno...

[tuttodigitale]

Originariamente inviato da gridracedriver

ho usato le tue formule e mi veniva 52.5w
P=(2*i_delta*i_idle + i_delta^2)*R , con R=90

controlla la R, è da li che ho scoperto che c'era qualcosa che non andava, poi ho preso il mio bel pezzo di carta e ho realizzato, che sono troppo vecchio per elaborare senza l'aiuto dell'inchiostro.

La formula è questa: R= P/(2*i_delta*i_idle + i_delta^2) con P=61 (per calcolarti la i_delta dovresti prendere quale riferimento la i_full del fx8350 stock)

[tuttodigitale]

Originariamente inviato da gridracedriver

ho usato le tue formule e mi viene 50.47w usando p.full 179w e p.idle 70w, da li ho ricavato le varie "I"
P=(2*i_delta*i_idle + i_delta^2)*R , con R=90
allora sono andato per logica e l'ho moltiplicato per 0.495 come se da qualche parte ci fosse questo fattore di troppo rispetto agli altri P.perse

neanche a farla apposta, hai dimezzato la resistenza applicando le formule che ti ho fornito. Ho il sospetto che gli errori si siano annullati che botta di

Originariamente inviato da gridracedriver

la P.persa scala allo stesso modo e quindi per nulla in modo lineare ma esponenziale

mi pare normale, la potenza dissipata per effetto joule è pari al quadrato della corrente...

ho spedito mp

PS ma nel manuale del wattmetro per caso non è riportato il valore della resistenza interna?....

[Mister D]

Originariamente inviato da el-mejo;43525039[B

]Non c'erano stati affinamenti sui 22nm da Haswell a Haswell refresh (4770k vs 4790k), al netto del miglioramento dell'HIS e del tdp leggermente aumentato?[/b]

E restando sul bulk, seppur non finfet, anche il chip Thaiti dalla prima 7970 alla r9 280x ha avuto miglioramenti, seppur non eclatanti.

E riguardo i layer metallici degli fx8320e/fx8370e/fx8370 avete altre info a riguardo? E perchè quei mentecatti non hanno pubblicizzato questa cosa?
Passino le versioni da 95w, ma il 8370 l'ho sempre visto come una presa in giro con il 8350 a 30€ in meno...

Prova a rileggere, pensavo di essere stato chiaro. Il SOI con il CTI porta miglioramenti anche se il silicio non subisce step o modifiche: vedi gli ultimi FX8350 che reggono meglio le frequenze con meno vcore fino quasi ad avvicinarsi ai king vishera (quei tre). Considera che mi pare Isomen abbia un fx8370 o fx8370E che regge i 4 Ghz con 1,16volt. Prova te un fx8350 o fx8320 a vedere se parte con quella tensione. Per dire che effettivamente qualcosa di nuovo nel silicio devono averlo fatto.
Per i layer metallici in più l'avevo letto su bitandchips e la fonte era estera, non mi ricordo se era un forum di oc o no.
Anche il passaggio tra phenomII 965 c3 e 975/980 sempre c3 (non è cambiato nulla apparentemente) però ha garantito qualche centinaia di MHz in più senza step. I phenomII x6 invece avevano step E0 (con le bollicine d'aria by IBM) altrimenti con il cavolo che ci regalavano un X6 con quelle frequenze e quel tdp

Per il bulk invece haswell - haswell refresh è proprio una bella revisione con step nuovo di silicio sia per aumentare le frequenze in oc e no (+ pasta del capitano raffinata + condensatori migliorati nel package cpu) sia per aumentare le rese dello stesso pp. Se prendi invece uno stesso modello appartenente ad uno stesso step vedrai che i risultati sono sempre gli stessi e anzi alcune volte leggendo sui thread intel ho pure visto di diversi utenti che lamentavano che i primi esemplari andavano pure meglio degli ultimi, a riprova che il silicio bulk per me non ha il CTI.

Anche per le gpu vale lo stesso, il silicio tra 7970, r9 280x, r9 290x e r9 390x è cambiato, non solo come step ma mi sembra anche come tipo (non mi chiedere quali delle sigle di tutti quei 28 di TMSC perché non lo so e non lo voglio mettere a memoria )

Per me quindi il bulk richiede proprio uno step successivo (che non vuol dire passaggio a nodo più avanzato) per introdurre miglioramenti affinamenti mentre il SOI anche a parità di step con il tempo migliorava le proprietà elettriche detto CTI.

EDIT:
http://www.xtremesystems.org/forums/...-told-me/page3

[bjt2]

Originariamente inviato da gridracedriver

allora, test 8320e 1.14v 3.7ghz

idle= 90->65 watt HUMonitor 33w
occt= 208->179 watt HUMonitor 74w
cb15= 178->148 watt HUMonitor 60w

differenze idle-occt= 114 watt
differenze idle-cb15= 83 watt

riprendendo i conti di @tuttodigitale sulla perdita del wattmetro



abbiamo che:

test------3.7GHz 1,14V----4GHz 1,25V
occt------0,495A-----------0,664A
P.Persa--25,0W------------39,7W

delta idle-load occt
totale-----118w-------------146w
cpu--------93w-------------106,3w

per @bjt2: +14.3% di efficienza da [email protected] a [email protected] in OCCT
devo arrivare a +25% giusto? proverò a scendere a 3.5ghz con 1.10v o poco più

...se non ho sbagliato il calcolo della perdita dovuto al wattmetro

Se i calcoli non sono errati vuol dire che l'impennata di frequenza non comporta un aumento di potenza cubica, ma inferiore, anche a quella quadratica!

Dimostrazione: per un +8% di frequenza serve un +14.3 di potenza. Per la relazione quadratica, a un +8% di frequenza corrisponderebbe a poco meno del +17% di incremento di potenza.

Com'è possibile? Ricordiamo che i transistors hanno una tensione di soglia Vt che è più o meno costante, mentre quello che deve aumentare all'aumentare della frequenza è la parte in più oltre la soglia. Qui siamo in un punto di funzionamento in cui le componenti esponenziali non sono ancora esplose, tanto è vero che le cpu che avete salgono ben oltre i 4 GHz, e quindi l'incremento è addirittura inferiore al quadrato, ma ovviamente superiore al fattore lineare, perchè avete dovuto incrementare il Vcore...

Arrivare al 25% a questo punto è una curiosità giusto per vedere quanto siamo sotto al punto critico.
Quello che è importante è che un processo più avanzato ha una Vt minore, una transconduttanza maggiore e quindi a parità di FO4 e frequenza richiede una tensione inferiore, cosa che allontana ulteriormente il punto di esplosione delle correnti.

Se Zen ha lo stesso FO4 di BD, prevedo che arrivi a 4GHz attorno a 1V, max 1.1V (considerando che in stock si prendono dei margini sulle tensioni), con una potenza assorbita per un X8 circa pari a questa di 4 moduli, forse un po' meno se la CPU che è stata usata come confronto non ha l'HDL... Insomma... I margini per un Zen x8 4GHz 95W @1.05V ci sono. Se non sarà 95W e/o sarà meno di 4Ghz potrà essere per vari motivi:
1) processo ancora non maturo e/o che non guadagna il 50% rispetto al 32nm SOI
e/o
2) numero di transistors di Zen superiore a quello di un modulo BD
e/o
3) FO4 superiore a quello di BD

[Mister D]

Originariamente inviato da bjt2

Se i calcoli non sono errati vuol dire che l'impennata di frequenza non comporta un aumento di potenza cubica, ma inferiore, anche a quella quadratica!

Dimostrazione: per un +8% di frequenza serve un +14.3 di potenza. Per la relazione quadratica, a un +8% di frequenza corrisponderebbe a poco meno del +17% di incremento di potenza.

Com'è possibile? Ricordiamo che i transistors hanno una tensione di soglia Vt che è più o meno costante, mentre quello che deve aumentare all'aumentare della frequenza è la parte in più oltre la soglia. Qui siamo in un punto di funzionamento in cui le componenti esponenziali non sono ancora esplose, tanto è vero che le cpu che avete salgono ben oltre i 4 GHz, e quindi l'incremento è addirittura inferiore al quadrato, ma ovviamente superiore al fattore lineare, perchè avete dovuto incrementare il Vcore...

Arrivare al 25% a questo punto è una curiosità giusto per vedere quanto siamo sotto al punto critico.
Quello che è importante è che un processo più avanzato ha una Vt minore, una transconduttanza maggiore e quindi a parità di FO4 e frequenza richiede una tensione inferiore, cosa che allontana ulteriormente il punto di esplosione delle correnti.

Se Zen ha lo stesso FO4 di BD, prevedo che arrivi a 4GHz attorno a 1V, max 1.1V (considerando che in stock si prendono dei margini sulle tensioni), con una potenza assorbita per un X8 circa pari a questa di 4 moduli, forse un po' meno se la CPU che è stata usata come confronto non ha l'HDL... Insomma... I margini per un Zen x8 4GHz 95W @1.05V ci sono. Se non sarà 95W e/o sarà meno di 4Ghz potrà essere per vari motivi:
1) processo ancora non maturo e/o che non guadagna il 50% rispetto al 32nm SOI
e/o
2) numero di transistors di Zen superiore a quello di un modulo BD
e/o
3) FO4 superiore a quello di BD

E con questi ragionamenti direi proprio che ci siamo giocati un andamento lineare dei prossimi 6 mesi che ci attendono per l'arrivo di Zen
Sento già il rumore di tastiere, Paolo che costruisce altre due camere sotto terra per ampliare il raffreddamento per i futuri Zen Insomma sento proprio le urla delle scimmie che reclamano nuove cpu

[digieffe]

Originariamente inviato da bjt2

Se i calcoli non sono errati vuol dire che l'impennata di frequenza non comporta un aumento di potenza cubica, ma inferiore, anche a quella quadratica!

Dimostrazione: per un +8% di frequenza serve un +14.3 di potenza. Per la relazione quadratica, a un +8% di frequenza corrisponderebbe a poco meno del +17% di incremento di potenza.

Com'è possibile? Ricordiamo che i transistors hanno una tensione di soglia Vt che è più o meno costante, mentre quello che deve aumentare all'aumentare della frequenza è la parte in più oltre la soglia. Qui siamo in un punto di funzionamento in cui le componenti esponenziali non sono ancora esplose, tanto è vero che le cpu che avete salgono ben oltre i 4 GHz, e quindi l'incremento è addirittura inferiore al quadrato, ma ovviamente superiore al fattore lineare, perchè avete dovuto incrementare il Vcore...

Arrivare al 25% a questo punto è una curiosità giusto per vedere quanto siamo sotto al punto critico.
Quello che è importante è che un processo più avanzato ha una Vt minore, una transconduttanza maggiore e quindi a parità di FO4 e frequenza richiede una tensione inferiore, cosa che allontana ulteriormente il punto di esplosione delle correnti.

Se Zen ha lo stesso FO4 di BD, prevedo che arrivi a 4GHz attorno a 1V, max 1.1V (considerando che in stock si prendono dei margini sulle tensioni), con una potenza assorbita per un X8 circa pari a questa di 4 moduli, forse un po' meno se la CPU che è stata usata come confronto non ha l'HDL... Insomma... I margini per un Zen x8 4GHz 95W @1.05V ci sono. Se non sarà 95W e/o sarà meno di 4Ghz potrà essere per vari motivi:
1) processo ancora non maturo e/o che non guadagna il 50% rispetto al 32nm SOI
e/o
2) numero di transistors di Zen superiore a quello di un modulo BD
e/o
3) FO4 superiore a quello di BD

ogni guadagno oltre il 30% sarà buono, ma tieni conto che il salto effettivo è solo di un nodo quindi - ~30%

[bjt2]

Originariamente inviato da Mister D

E con questi ragionamenti direi proprio che ci siamo giocati un andamento lineare dei prossimi 6 mesi che ci attendono per l'arrivo di Zen
Sento già il rumore di tastiere, Paolo che costruisce altre due camere sotto terra per ampliare il raffreddamento per i futuri Zen Insomma sento proprio le urla delle scimmie che reclamano nuove cpu

La condizione ESSENZIALE per avere Zen x8 a 95W è che i 4GHz si raggiungano a 1,05 MAX 1,1Volt. Perchè oltre ovviamente vorrebbe dire che il processo produttivo non è tanto migliore, oppure Zen è molto più complesso di BD (FO4 o numero di transistor).

Per avere Zen a 4Ghz con 1.05V si deve avere che la Vt del processo 14nm FF DEVE essere più bassa del 32nm SOI di ALMENO 0,15V e che la transconduttanza differenziale sia più alta, credo di almeno un 50% o in alternativa che la Vt sia inferiore di 0,2V, ma con transconduttanza uguale. Infatti con Vt inferiore di 0,2V invece di 1,25V per 4Ghz come la CPU di cui sopra, ne servono 1,25-0,2=1,05V... ovviamente se la transconduttanza differenziale è superiore, allora servono anche meno volt per 4Ghz, rispetto alla differenza di Vt, perchè a parità di Vcore un transistor può erogare più corrente. Questo a parità di capacità parassite. Non so se il processo FF ha capacità parassite inferiori (meglio: serve meno corrente)

[bjt2]

Originariamente inviato da digieffe

ogni guadagno oltre il 30% sarà buono, ma tieni conto che il salto effettivo è solo di un nodo quindi - ~30%

Se aggiungi un 15% dell'HDL arrivi al 50%...

Comunque se quello che ricordo di aver letto è giusto, ossia che il 14nmFF ha una Vt di 0,2V inferiore a quella di altri processi bulk, allora IMHO il guadagno è più del 30%... Se non altro perchè con tensioni più basse il leakage è inferiore...

[digieffe]

Originariamente inviato da bjt2

Se aggiungi un 15% dell'HDL arrivi al 50%...

Comunque se quello che ricordo di aver letto è giusto, ossia che il 14nmFF ha una Vt di 0,2V inferiore a quella di altri processi bulk, allora IMHO il guadagno è più del 30%... Se non altro perchè con tensioni più basse il leakage è inferiore...

pensavo che tu partissi dal 28nm bulk invece parti dal 32soi...

allora ~1,5 nodi = ~ -41% da aggiungere il -15% e si arriva a -50%

ma attenzione ricordiamoci come le hdl fanno esplodere i consumi oltre i 3 ghz
speriamo che le hdl impiegate siano fatte in modo diverso, altrimenti, forse, potrebbe essere meglio senza

[Mister D]

Originariamente inviato da bjt2

La condizione ESSENZIALE per avere Zen x8 a 95W è che i 4GHz si raggiungano a 1,05 MAX 1,1Volt. Perchè oltre ovviamente vorrebbe dire che il processo produttivo non è tanto migliore, oppure Zen è molto più complesso di BD (FO4 o numero di transistor).

Per avere Zen a 4Ghz con 1.05V si deve avere che la Vt del processo 14nm FF DEVE essere più bassa del 32nm SOI di ALMENO 0,15V e che la transconduttanza differenziale sia più alta, credo di almeno un 50% o in alternativa che la Vt sia inferiore di 0,2V, ma con transconduttanza uguale. Infatti con Vt inferiore di 0,2V invece di 1,25V per 4Ghz come la CPU di cui sopra, ne servono 1,25-0,2=1,05V... ovviamente se la transconduttanza differenziale è superiore, allora servono anche meno volt per 4Ghz, rispetto alla differenza di Vt, perchè a parità di Vcore un transistor può erogare più corrente. Questo a parità di capacità parassite. Non so se il processo FF ha capacità parassite inferiori (meglio: serve meno corrente)

All'epoca (quando si parlava dei futuri pp finfet) mi sono visto un paper di IBM con diversi studi (con alette dappertutto, non solo 2 o 3 superfici alzando source e drain ma anche sotto il gate) e mi pare che il finfet fosse fatto proprio per diminuire le capacità parassite (o forse era il leakage o tutti e due). Dovrei riguardarci, l'ho salvato da qualche parte
EDIT: trovato. Più tardi lo carico da qualche parte.
FinFet: Challenges or Opportunities
Parasitic resistance: a raised source/drain structure can be used to reduce the parasitic resistance.
However, the overlap capacitance is increased.

Prasitic resistance is the main adverse factor which prevents finfets’ application, which leads to lower speed and high noise.

e ancora:
FinFet: big advantages

1. Having excellent control of short channel effects in submicron regime and making transistors still scalable. Due to this reason, the small- length transistor can have a larger intrinsic gain compared to the bulk counterpart.
2. Much Lower off-state current compared to bulk counterpart.
3 . Promising matching behavior.