SSD: thread generale e consigli per gli acquisti

[andreag8]

Per prima cosa grazie a chi ha mantenuto e mantiene aggiornato il thread.

Cerco SSD da 2/4TB.
Domanda: a parità di prezzo meglio Samsung 990 Pro o WD Black SN850X? (Si ho letto la prima pagina )
Come mai non viene consigliato il Samsung?

[Black (Wooden Law)]

Originariamente inviato da andreag8

Per prima cosa grazie a chi ha mantenuto e mantiene aggiornato il thread.

Cerco SSD da 2/4TB.
Domanda: a parità di prezzo meglio Samsung 990 Pro o WD Black SN850X? (Si ho letto la prima pagina )
Come mai non viene consigliato il Samsung?

Meglio l’SN850X IMHO, semplicemente per le migliori performance (anche se di poco). Con il 990 PRO hai un drive più duraturo sulla carta ma anche qui di poco¹ vista l’ottima qualità dell’SN850X, quindi per me SN850X tutta la vita dato il prezzo più basso (specialmente nel taglio da 4TB).

¹: aggiungo, oltretutto, che con una probabilità del 99% non andrai mai a rompere un 990 PRO o un SN850X per le scritture, specialmente a tagli così grandi dove la durata in termini di scritture assolute viene amplificata.

[Black (Wooden Law)]

@Liupen solo oggi ho avuto il tempo sia di spulciarmi per bene il tuo PDF (ben fatto ovviamente, complimenti) che di elaborare una risposta. Quando l'hai postato gli ho soltanto dato un'occhiata molto velocemente e gli altri giorni ero impegnato quindi purtroppo non ho potuto risponderti subito, mi scuso infatti del ritardo della risposta che ti sto dando.

Suddivido il tuo PDF in tre parti:
1. esistenza delle V2 MLC;
2. confronto tra "Samsung 2nd Gen 86Gbit 40nm MLC V-NAND" e "K9ADGD8S0A";
3. V2 MLC nel sample di AnandTech.

Prima parte
Sulla prima parte non ho nulla da dirti, mi sono scappate quelle immagini che provano l'esistenza delle V2 MLC. Non avendo nulla da contestare passo direttamente alle altre due parti:

Seconda parte
Prima di dirti il perché del confronto che hai fatto tra "Samsung 2nd Gen 86Gbit 40nm MLC V-NAND" e "K9ADGD8S0A" è sbagliato ti voglio far notare che il NAND flash decoder che hai preso per questo PDF è del 2009 (o perlomeno nel 2009 ci è stato l'ultimo aggiornamento) e in quell'anno le NAND flash 3D di Samsung erano ben lontane dall'essere commercializzate. Questo non vuol dire che tutte le informazioni che contiene sono errate, perché come puoi ben vedere nel decoder delle NAND flash di Samsung dello spreadsheet cinese (che ritengo essere di gran lunga migliore visto che l'ultimo aggiornamento dello spreadsheet risale al 2024) alcuni parametri sono giusti, semplicemente alcune cose non hanno molto senso.

La prima cosa che non ha senso è la quarta unità del S/N, "Density". Perché si ferma a massimo 512Gb se abbiamo tagli fino a 16.384Gb secondo lo spreadsheet cinese? come hai ottenuto che "SG" corrisponde a 1.365Gb (anche se nello spreadsheet cinese sotto la categoria "V2 pMLC Density" c'è scritto 1.376Gb ma bene o male sono la stessa cosa) se non c'è in quel decoder?

Seconda cosa: sesta unità, "Technology". Come hai ottenuto che "Y" corrisponde a Toggle 2.0 se lì non c'è scritto niente? La prima versione di Toggle è uscita nel 2007 ma in quel decoder sembra che non esiste.

Terza cosa che non ha senso: decima unità, "Generation". Sappiamo che le NAND flash 3D di Samsung si dividono da V1 a V9 per ora (anche se le V9 non sono ancora state commercializzate), cos'è prima, seconda, terza, quarta, quinta, sesta, venticinquesima e ventiseiesima generazione? cosa mi rappresentano? Assolutamente nulla, perlomeno dette così. Nel package "K9USGY8S7M" la "M" corrisponde a "1st generation", ma prima generazione di cosa? prima generazione di NAND flash 3D? No, perché nello spreadsheet cinese la "M" corrisponde alle pMLC V2 32L e perché come già detto prima nel 2009 le NAND flash 3D di Samsung non esistevano.

Nello spreadsheet cinese ci sono una tonnellata di caselle in più che si dividono in SLC, MLC, TLC e QLC con alcune sottocategorie come "pSLC", "pMLC", "SDR" e "DDR", ecc. Magari quel "Generation" ha senso per le NAND flash planari che avevano diversi nodi e quindi diverse generazioni (sappiamo che Samsung è arrivata fino a 14 nm con le NAND flash 2D ma che è partita con un nodo di 90 nm, quindi ci sono state un sacco di generazioni in mezzo) ma sicuramente non per le NAND flash 3D che arrivano fino a V9 e basta (delle V10 si è fatto un accenno su quanti layer avrà e basta).

Quarta e ultima cosa che non ha senso: "NAND Flash Code Information(2/3)" quindi tutte le unità da 11 a 18. Prima cosa non hanno senso le 18 unità totali visto che le NAND flash 3D usate sull'850 PRO (ma anche su tutti gli altri SSD Samsung con NAND flash 3D) hanno 15 caratteri contando anche il trattino, poi c'è il problema della mancanza di informazioni che quel decoder ha rispetto allo spreadsheet cinese.
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Ora, parlando effettivamente del confronto "Samsung 2nd Gen 86Gbit 40nm MLC V-NAND" e "K9ADGD8S0A" ti dico che c'è qualcosa che non torna con le fonti e che smentiscono le tue conclusioni, ossia che il primo die ha una dimensione di 87,4 mm² mentre il secondo una dimensione di 68,9 mm² comportando al fatto che i die non sono uguali.

Il problema alla base è che tanti articoli non hanno distinto la differenza tra la dimensione del die e la dimensione dell'array NAND flash (cosa che adesso non capita più visto che si parla sempre di dimensione del die e basta). Con "dimensione del die" si intende tutto ciò che si trova all'interno del die: tutti i piani, il pager buffer, il circuito periferico e tutto il resto mentre con "dimensione dell'array NAND flash" si intende soltanto la dimensione di un piano, o perlomeno questo è quello intende Jeongdong Choe nell'articolo di EE Times:

L'area del die 32L V-NAND è di 84,3 mm²

E

L'area dell'array della memoria NAND è aumentato da 48,9 mm² a 68,7 mm² che è il 40,3% più largo.

So che Samsung nel suo ISSCC dice "die size" ma a questo punto deve sbagliarsi, o semplicemente ha scritto "die size" quanto intende dire la dimensione di un piano. So che Samsung è Samsung ma letteralmente Jeongdong Choe ha scoperchiato un package per prendere le misure, non posso fidarmi meno di lui sinceramente...

Oltretutto, il die "K9ADGD8S0A" (trovato all'interno del package "K9HQGY8S5M e K9LPGY8S1M" dove S5M si trova fino all'850 PRO 1TB) secondo lo spreadsheet cinese è TLC V2 ed è stato trovato nell'850 PRO da 128GB da TechInsights. Se veramente le dimensioni del die fossero diverse e non ci fosse la possibilità di emulare "K9ADGD8S0A" in pMLC vorrebbe dire che questo die non esisterebbe nell'850 PRO ma nell'850 EVO perché sarebbe rimasto TLC a vita.

Terza parte
Parlando dell'ultima parte, anche qui non ho molto da dire. Il package di AnandTech è interamente "K9UMGB8S7A" ossia che tutti gli 8 package hanno questo S/N e non c'è un mix come per i tagli più piccoli. La "U" come terzo carattere afferma che le NAND flash sono puramente MLC, vero, e questo ce lo conferma proprio lo spreadsheet cinese, ma questa cosa che il sample di AnandTech abbia le V2 MLC concorda sempre con lo spreadsheet cinese che include queste NAND flash (lui le include per il controller MEX ma è probabile che tra tutte queste versioni di package qualcosa sia scappato) nella casella dell'850 PRO.

Conclusioni
1. secondo l'articolo di EE Times fatto da Jeongdong Choe sia il die "Samsung 2nd Gen 86Gbit 40nm MLC V-NAND" che "K9ADGD8S0A" hanno la stessa dimensione dell'array NAND flash di 68,7 mm²;
2. tutti i package dell'850 PRO che finiscono con "S5M" e "S1M" contengono all'interno il die "K9UMGB8S7A" che secondo lo spreadsheet cinese (decoder più aggiornato finora) è V2 TLC, ciò vuol dire che tutti gli 850 PRO con questo package e questo die hanno NAND flash pMLC;
3. AnandTech e lo spreadsheet cinese confermano il fatto che alcuni modelli (teoricamente quelli più recenti) hanno NAND flash MLC native (sempre V2 ovviamente);
4. non sappiamo qual è il die all'interno del package "K9USGY8S7M" che è condiviso con il package "K9HQGY8S5M" ma secondo lo spreadsheet cinese "SG" è una densità delle NAND flash pMLC e "M" è una generazione del die sempre pMLC. Tenendo conto che non ha senso senso usare metà package con die MLC nativi e metà package con die pMLC, direi che anche i package "K9USGY8S7M" al loro interno contengono die pMLC.

[andreag8]

Originariamente inviato da Black (Wooden Law)

Meglio l’SN850X IMHO, semplicemente per le migliori performance (anche se di poco). Con il 990 PRO hai un drive più duraturo sulla carta ma anche qui di poco¹ vista l’ottima qualità dell’SN850X, quindi per me SN850X tutta la vita dato il prezzo più basso (specialmente nel taglio da 4TB).

Il prezzo non è determinante nel mio caso, dato che per il momento sto valutando quelli di seconda mano e lì i prezzi sono pressoché identici.

Due domande:
Il 990 Pro non viene consigliato in prima pagina perché ha un rapporto prezzo/prestazioni inferiore ad altri modelli o c'è qualche altro motivo?
Per quanto riguarda il software di gestione che forniscono i produttori c'è differenza tra Samsung e WD? Personalmente ho esperienza solo con il Magician.

[unnilennium]

Premettendo che non sono esperto, però i driver Samsung al netto dell'hype non sono più i più prestazionali, quindi anche a parità di prezzo a parte i soliti youtuber, non vengono consigliati. I software di gestione sono simili tra loro, la cosa più importante è l'aggiornamento eventuale del firmware, per il resto che ci sia o meno poco cambia... Detto questo, se ti piace Samsung vai tranquillo. Io comunque ho un wd nel notebook e funziona molto bene, niente da dire.

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[Black (Wooden Law)]

Originariamente inviato da andreag8

Il 990 Pro non viene consigliato in prima pagina perché ha un rapporto prezzo/prestazioni inferiore ad altri modelli o c'è qualche altro motivo?

Sì e anche per le performance leggermente migliori (secondo me). Primariamente l’SN850X ha una cache SLC molto più grande (600GB vs. 240GB) e poi secondariamente fa qualcosa in più sia in lettura sequenziale (600 MB/s, poco, molto poco) che in scrittura randomica (~20.000 IOPS in più). La cosa che potresti notare di più è sicuramente la cache SLC più grande in un trasferimento di file, gli altri due punti poco e nulla.

Originariamente inviato da andreag8

Per quanto riguarda il software di gestione che forniscono i produttori c'è differenza tra Samsung e WD? Personalmente ho esperienza solo con il Magician.

Non lo so, non ho esperienza con nessuno dei sue software ma non ho mai sentito lamentele né di Magician né del software di WD.

Originariamente inviato da unnilennium

Premettendo che non sono esperto, però i driver Samsung al netto dell'hype non sono più i più prestazionali, quindi anche a parità di prezzo a parte i soliti youtuber, non vengono consigliati. I software di gestione sono simili tra loro, la cosa più importante è l'aggiornamento eventuale del firmware, per il resto che ci sia o meno poco cambia... Detto questo, se ti piace Samsung vai tranquillo. Io comunque ho un wd nel notebook e funziona molto bene, niente da dire.

Concordo.

[@Liupen]

Al lavoro ho letto veloce e non vedevo l'ora che fosse dopo cena per sedermi al pc e scrivere.

Originariamente inviato da Black (Wooden Law)

Conclusioni
1. secondo l'articolo di EE Times fatto da Jeongdong Choe sia il die "Samsung 2nd Gen 86Gbit 40nm MLC V-NAND" che "K9ADGD8S0A" hanno la stessa dimensione dell'array NAND flash di 68,7 mm²;
2. tutti i package dell'850 PRO che finiscono con "S5M" e "S1M" contengono all'interno il die "K9UMGB8S7A" che secondo lo spreadsheet cinese (decoder più aggiornato finora) è V2 TLC, ciò vuol dire che tutti gli 850 PRO con questo package e questo die hanno NAND flash pMLC;
3. AnandTech e lo spreadsheet cinese confermano il fatto che alcuni modelli (teoricamente quelli più recenti) hanno NAND flash MLC native (sempre V2 ovviamente);
4. non sappiamo qual è il die all'interno del package "K9USGY8S7M" che è condiviso con il package "K9HQGY8S5M" ma secondo lo spreadsheet cinese "SG" è una densità delle NAND flash pMLC e "M" è una generazione del die sempre pMLC. Tenendo conto che non ha senso senso usare metà package con die MLC nativi e metà package con die pMLC, direi che anche i package "K9USGY8S7M" al loro interno contengono die pMLC.

Ok, ho capito che di quel DB cinese ne hai fatto una specie di bibbia.


Iniziamo dalle tue conclusioni:

Scrivi: 1. secondo l'articolo di EE Times fatto da Jeongdong Choe sia il die "Samsung 2nd Gen 86Gbit 40nm MLC V-NAND" che "K9ADGD8S0A" hanno la stessa dimensione dell'array NAND flash di 68,7 mm²;

Era meglio che riportassi anche la fonte. Vediamo se riesco a comprendere.

Stiamo parlando che il (ora esistente ) V-Nand V2 32L MLC 2-bit con die da 86 Gbit ha la stessa dimensione in nanometriquadrati (quindi area occupata) della V-Nand V2 32L MLC 3-bit da 128 Gbit?

No, sbagli... che poi è sbagliato dire che uno sbaglia, ci stiamo semplicemente confrontando su dati che si trovano sul web, per cui uno può vedere o accorgersi di qualcosa che sfugge ad un altro, quindi senza fretta Black, l'importante è far chiarezza.

Andrew Walker quì https://www.3dincites.com/2014/12/sa...ssly-marching/ e riportato a pag. 12 del mio pdf
commenta i dati di analisi SEM di Techinsights (io non ho accesso diretto all'analisi, serve l'abbonamento) e scrive:

Ma diamo prima un'occhiata a ciò che Techinsights ha fornito. La Figura 2 mostra il die con una barra di misurazione che ci permette di ottenere quanto segue: dimensione del die = 87,4 mm²; efficienza dell'array = 66%.

FIGURA 2 – Foto del die della V-NAND di seconda generazione a 32 strati e 86 Gbit di Samsung (per gentile concessione di Techinsights).
Figura 2: Foto del die della V-NAND di seconda generazione a 32 strati e 86 Gbit di Samsung (per gentile concessione di Techinsights ).

Mettiamo che sia questo https://borecraft.com/PDF/Technical%...b_3b_VNAND.pdf (gennaio 2016)
e questo https://www.eetimes.com/samsungs-3d-...oogle_vignette (giugno 2016)

il documento/i su cui ti basi

A 128 Gb 3b/cell V-NAND Flash Memory With 1 Gb/s I/O Rate - analizza la V2 MLC a 3-bit e già nell'abstract riporta la dimensione che citi 68,7 mm²
Idem Jeongdong Choe nell'altro scritto dove si comparano le precedenti 3-bit 32L con addirittura le V3 (48L) per cui:
V2 TLC = 84,3 mm²
V3 TLC = 99,8 mm² , con un aumento del 17,3% dovuto alla maggiore lunghezza del die

Aggiungo, per completezza di informazione che da un documento ISSCC 2014 " Memoria Flash NAND verticale MLC tridimensionale da 128 Gb con strati impilati a 24 WL e programmazione ad alta velocità da 50 MB/s ", la prima versione 24L è di 133 mm².


Sembra che ogni tecnologia porti ad una dimensione d'area diversa.

La risposta alla fine è che la stessa dimensione dell'array NAND flash di 68,7 mm² c'è l'hanno le V-Nand 32L da 128Gbit sia 2-bit che a 3-bit perchè frutto dello stesso processo produttivo.


Scrivi: 2. tutti i package dell'850 PRO che finiscono con "S5M" e "S1M" contengono all'interno il die "K9UMGB8S7A" che secondo lo spreadsheet cinese (decoder più aggiornato finora) è V2 TLC, ciò vuol dire che tutti gli 850 PRO con questo package e questo die hanno NAND flash pMLC;

Crediamo ai cinesi, che ti devo dire!!

Uno stack è composto di die, e il die è fatto in quel modo, se Samsung lo cataloga:
K9UMGB8S7A sono i die dentro il Samsung 850 2TB analizzati a pag. 18 del mio pdf

Come vedi è una seconda versione delle V2 32L fatte con die da 128Gbit
Come detto da Anandtech quì: https://www.anandtech.com/show/9451/...evo-ssd-review
Oltre al nuovo controller MHX, c'è un'altra modifica hardware: il codice prodotto NAND suggerisce che l'850 Pro da 2 TB utilizza die da 128 Gbit invece di quelli da 86 Gbit presenti nelle altre capacità.


Questa versione da 128Gbit (che, tanto per riallacciarsi al tuo precedente punto 1, ha area uguale a 84,3 mm²) compone un package uguale a quello della versione a 3-bit (come leggi dall'articolo di Anandtech). Uguali, stessa superficie e numero di die e capienza dello stack pari a 2Tbit (vedi il 4° e 5° carattere UGUALE del NAND Flash
Code Information Samsung).
Solo che il chip sul 850 PRO è a 2-bit. Il chip sul 850 EVO e a 3-bit
Tutti e due gli ssd hanno 8 chip (8 package)
OK?

Cosa vuol dire questo?

Vuol dire che non basta prendere il chip presente sull'850 EVO e dire al controller di emulare le nand in 2-bit, perchè così facendo dovrei, per raggiungere i 2TB di ssd), mettere almeno 3 chip in più sul pcb. Questo perchè un die da 128Gbit 3-bit emulato pMLC conterrebbe (-33%) SOLO 86 Gbit e non basterebbero:
16 die per stack = 86 Gbit x 16 = 1376 Gbit
8 stack per ssd = 8 x 1376 = 11008 Gbit = 1TB non 2TB

Spero ora sia chiaro il ragionamento espresso a pag 19 del pdf.

Quindi NO, non sono V2 TLC.


Scrivi: 3. AnandTech e lo spreadsheet cinese confermano il fatto che alcuni modelli (teoricamente quelli più recenti) hanno NAND flash MLC native (sempre V2 ovviamente);

E' ci mancherebbe altro!
Altro che esistono, gli 850 PRO SONO con MLC 2-bit NATIVE!!!!

Scrivi: 4. non sappiamo qual è il die all'interno del package "K9USGY8S7M" che è condiviso con il package "K9HQGY8S5M" ma secondo lo spreadsheet cinese "SG" è una densità delle NAND flash pMLC e "M" è una generazione del die sempre pMLC.


Ma no, perchè?!!
Guarda che ci arrivi facilmente, ed in almeno 2 modi logici:

1)
Esempio: https://www.thessdreview.com/our-rev...ing-3d-v-nand/

La recensione è del 1 luglio 2014 (la presentazione dell850 PRO), e se vai a vedere pag. 3 e 4 del mio pdf, la presentazione delle V-Nand V2 32L a 3-bit è ad Agosto che viene annunciata ed è del 9 ottobre 2014 l'annuncio Samsung dell'inizio produzione in serie di questa memoria.
Ergo, all'uscita degli 850 PRO non esistevano le memorie V-Nand TLC che tu vorresti emulare per far stare nell'850 PRO.

2)
sempre: https://www.thessdreview.com/our-rev...ing-3d-v-nand/

K9USGY8S7M + K9PRGY8S5M = 1 TB SSD

Metti che non hai il dato SG e RG (anche se alcune recensioni ti mettono cosa sono) o trovi Samsung Nand Code aggiornati da utenti (cinesi ). Ma metti che non hai la Densità (come viene chiamata).

K9USGY8S7M: hai U che vuol dire "MLC 16 DIE STACK" ed hai ovviamente che ogni Die è da 86 Gbit (vedi i discorsi triti e ritriti sopra.
16 x 85,xx Gbit = 13xx Gbit ogni pacchetto

Idem per il pacchetto K9PRGY8S5M: hai P che vuol dire MLC ODP (Octa die package)...

Insomma non ci va poi tanto a trovare, sapendo che l'ssd da 1 TB ha 8 pacchetti, 4 di un tipo e 4 di un altro che:

16 x 86 GBit = 1 3xx Gbit per pacchetto --> 170 GB x 4 = 680 GB
8 x 86 GBit = 68x Gbit per pacchetto --> 85 GB x 4 = 340 GB
Somma: 1020 GB

Scrivi: Tenendo conto che non ha senso senso usare metà package con die MLC nativi e metà package con die pMLC, direi che anche i package "K9USGY8S7M" al loro interno contengono die pMLC.

Perchè non ha senso cosa hai scritto..
1 - come fai a emulare qualcosa che ancora non è stato prodotto?
Dovresti parlare ad esempio del K9UMGB8S7A che ne avrebbe le potenzialità essendo con die da 128Gbit e della stessa generazione di un MLC 3-bit.
2 - come fai a emulare un pacchetto V-Nand di cui conosci la densità totale (Gbit) e da che taglio sono gli ssd che li montano, che è incompatibile con l'uso in pMLC?

Originariamente inviato da Black (Wooden Law)

La prima cosa che non ha senso è la quarta unità del S/N, "Density". Perché si ferma a massimo 512Gb se abbiamo tagli fino a 16.384Gb secondo lo spreadsheet cinese? come hai ottenuto che "SG" corrisponde a 1.365Gb (anche se nello spreadsheet cinese sotto la categoria "V2 pMLC Density" c'è scritto 1.376Gb ma bene o male sono la stessa cosa) se non c'è in quel decoder?

Come fà invece lo spreadsheet cinese a conoscere da quanto sono le densità dei flash Samsung?
Io non vedo un documento Samsung, vedo una tabella.
Chi ti dice che quello che stà scritto è vero?

Come mai Black non mi credi e credi ad una tabella cinese anonima?
Non sono forse più il tuo simpatico Liupen di quartiere e ispiratore della tua passione per gli ssd?

Guarda ti dirò una cosa che ti farà cambiare idea all'istante sull'attendibilità di quel database (https://docs.google.com/spreadsheets...tmlview?pli=1#)

Questo è il teardown della prima serie di V-Nand 32L 86 Gbit fatto da TechInsights (SEM datati luglio-agosto 2014)

come leggi si tratta del package K9HQGY8S5M

Ebbene, indovina un po QG (la densità di 341 Gbit) dove è stata catalogata?
Eh, pMLC!
Ma possibile!?!
Mi viene l'ulcera solo a pensarci.

L'unica 32L MLC 2-bit analizzata in ogni micron, il prototipo, la prima... è loro la catalogano pMLC, quindi TLC.

FAIL!!!
Ma di brutto...

Originariamente inviato da Black (Wooden Law)

Seconda cosa: sesta unità, "Technology". Come hai ottenuto che "Y" corrisponde a Toggle 2.0 se lì non c'è scritto niente? La prima versione di Toggle è uscita nel 2007 ma in quel decoder sembra che non esiste.

Si.

Y è Toggle 2.0
B e D dovrebbero entrambi riferirsi a Toggle 3.0

Guarda tutti i pacchetti associati a cache DDR 2.0 e vedi che sono nominati Y

Originariamente inviato da Black (Wooden Law)

Terza cosa che non ha senso: decima unità, "Generation". Sappiamo che le NAND flash 3D di Samsung si dividono da V1 a V9 per ora (anche se le V9 non sono ancora state commercializzate), cos'è prima, seconda, terza, quarta, quinta, sesta, venticinquesima e ventiseiesima generazione? cosa mi rappresentano? Assolutamente nulla, perlomeno dette così. Nel package "K9USGY8S7M" la "M" corrisponde a "1st generation", ma prima generazione di cosa? prima generazione di NAND flash 3D? No, perché nello spreadsheet cinese la "M" corrisponde alle pMLC V2 32L e perché come già detto prima nel 2009 le NAND flash 3D di Samsung non esistevano.

Il decimo carattere del codice penso sia un "codice" di sviluppo Samsung che non sempre ha senso, ma quasi sempre.

Comunque non ti confondere con V1, V2, V3, ecc è definita da Samsung come generazione generale di V-Nand, quindi 24L, 32L, 48L. 64, 96L ecc.
Quell'altra del codice dei pacchetti è appunto riferita alla generazione di pacchetto di uno stesso tipo.

Tipo, per farti un esempio:
K90MGY8S7M - questa è la 1a generazione della 32L a 3-bit (infatti è M). Questo pacchetto si trova nelle prime recensioni del Samsung 850 EVO
K90MGB8S7C - l'anno dopo all'uscita di un nuovo taglio di ssd si passa alla 4a generazione di pacchetto sempre32L a 3-bit da 256 GB ma di una produzione/fabbrica/lavorazione, ecc ecc, diversa.

Originariamente inviato da Black (Wooden Law)

Quarta e ultima cosa che non ha senso: "NAND Flash Code Information(2/3)" quindi tutte le unità da 11 a 18. Prima cosa non hanno senso le 18 unità totali visto che le NAND flash 3D usate sull'850 PRO (ma anche su tutti gli altri SSD Samsung con NAND flash 3D) hanno 15 caratteri contando anche il trattino, poi c'è il problema della mancanza di informazioni che quel decoder ha rispetto allo spreadsheet cinese.

Assolutamente, anche oggi sono 15 caratteri
Esempio sul Samsung 990 PRO (review THW)
K9DVGY8JRD-DCK0
Il problema è oggi che non abbiamo più la pappa fatta, non nel 2014 quando il documento Nand Flash Code information si trova anche aggiornato fino al 2016.
Ora bisogna andare a leggere fra le righe ed essere attenti:
"The flash packages are labeled K9DVGY8JRD-DCK0 which denotes that it is Samsung’s 176-layer TLC NAND. With the 2TB SKU, this flash has 512Gb dies as indicated by “V” - although the upcoming 4TB may require 1Tb “X” dies. "

Originariamente inviato da Black (Wooden Law)

Ora, parlando effettivamente del confronto "Samsung 2nd Gen 86Gbit 40nm MLC V-NAND" e "K9ADGD8S0A" ti dico che c'è qualcosa che non torna con le fonti e che smentiscono le tue conclusioni, ossia che il primo die ha una dimensione di 87,4 mm² mentre il secondo una dimensione di 68,9 mm² comportando al fatto che i die non sono uguali.

Il problema alla base è che tanti articoli non hanno distinto la differenza tra la dimensione del die e la dimensione dell'array NAND flash (cosa che adesso non capita più visto che si parla sempre di dimensione del die e basta). Con "dimensione del die" si intende tutto ciò che si trova all'interno del die: tutti i piani, il pager buffer, il circuito periferico e tutto il resto mentre con "dimensione dell'array NAND flash" si intende soltanto la dimensione di un piano, o perlomeno questo è quello intende Jeongdong Choe nell'articolo di EE Times:

E


So che Samsung nel suo ISSCC dice "die size" ma a questo punto deve sbagliarsi, o semplicemente ha scritto "die size" quanto intende dire la dimensione di un piano. So che Samsung è Samsung ma letteralmente Jeongdong Choe ha scoperchiato un package per prendere le misure, non posso fidarmi meno di lui sinceramente...

Oltretutto, il die "K9ADGD8S0A" (trovato all'interno del package "K9HQGY8S5M e K9LPGY8S1M" dove S5M si trova fino all'850 PRO 1TB) secondo lo spreadsheet cinese è TLC V2 ed è stato trovato nell'850 PRO da 128GB da TechInsights. Se veramente le dimensioni del die fossero diverse e non ci fosse la possibilità di emulare "K9ADGD8S0A" in pMLC vorrebbe dire che questo die non esisterebbe nell'850 PRO ma nell'850 EVO perché sarebbe rimasto TLC a vita.

Riguardo questo, penso di averti chiarito già sopra
Sono due momenti, due tipi di pacchetti caratterizzati da una dimensione della die diversa.

Originariamente inviato da Black (Wooden Law)

Terza parte
Parlando dell'ultima parte, anche qui non ho molto da dire. Il package di AnandTech è interamente "K9UMGB8S7A" ossia che tutti gli 8 package hanno questo S/N e non c'è un mix come per i tagli più piccoli. La "U" come terzo carattere afferma che le NAND flash sono puramente MLC, vero, e questo ce lo conferma proprio lo spreadsheet cinese, ma questa cosa che il sample di AnandTech abbia le V2 MLC concorda sempre con lo spreadsheet cinese che include queste NAND flash (lui le include per il controller MEX ma è probabile che tra tutte queste versioni di package qualcosa sia scappato) nella casella dell'850 PRO.

La terza parte del mio pdf riguarda lo smentire che la V-Nand V2 32L a 3-bit del Samsung 850 EVO sia poi la stessa che poi di ci emulata nel 850 PRO (o meglio pensi che sia perchè visto nel DB cinese).
Anche di questo te ne ho già scritto sopra.

Boh! E' tutto.
Se hai ancora dubbi scrivi che ne parliamo.
In realtà non è neanche importante la correzione del DB di TPU, mi interessa più spiegare e costringerti a mettere in dubbio le fonti... tutte no, io sono Liupen. Ahahah!
Almeno non ho fatto le 3 di notte stavolta.

[DOC-BROWN]

per voi mega esperti ....


ho appena visto la pubblicita' 2025 di una NUOVA scheda SD Speed 9.1 ?


sembra sia una novita' del 2025 , cioe ? e utilizzano le memorie NAND
anche queste schedine di memorie o?

[frafelix]

In realtà praticamente tutti i supporti di memoria usano le nand, dalle usb alle schedine sd, la differenza principale è che non hanno un controller come negli ssd e le nand non sono di prima scelta di solito

[Black (Wooden Law)]

Originariamente inviato da @Liupen

Ok, ho capito che di quel DB cinese ne hai fatto una specie di bibbia.

No Liupen, non è la bibbia per me, semplicemente è lo spreadsheet più completo e informativo che ci sia in giro e non vedo il motivo per il quale debba essere inaffidabile. Capisco che qualche cosa possa esser sbagliata ma non ho i mezzi per dire che il decoder di Samsung (come quello degli altri produttori) sia errato. Personalmente ho usato quello degli altri produttori (specialmente quello di YMTC) e devo dire che tutti i parametri ritornano con quello che il FID di VLO mostra per ogni scansione. Quindi ripeto, non posso dire che è inaffidabile.

Fai comunque conto che diverse informazioni nel DB di TPU son prese da lì. Non dico che è una bibbia ma è sicuramente un'eccellente fonte visto che ha anche tanti drive di cui non si trova facilmente l'hardware.

Originariamente inviato da @Liupen

La risposta alla fine è che la stessa dimensione dell'array NAND flash di 68,7 mm² c'è l'hanno le V-Nand 32L da 128Gbit sia 2-bit che a 3-bit perchè frutto dello stesso processo produttivo.

E dove sbaglio allora scusami? Mi sembra che siamo d'accordo su questa cosa. Gli altri articoli scrivono che il die da 86Gb ha una dimensione del die di circa 87,4 mm² e Jeongdong Choe scrive uguale (84,3 mm² ma siamo lì), soltanto che aggiunge anche le dimensione dell'array NAND flash che è appunto 68,7 mm². Se alla fine i die TLC hanno queste dimensioni degli array e del die mi viene da pensare che vengano usati in pMLC visto che appunto le dimensiono sono uguali e la capacità in pMLC viene ridotta a 86Gb.

Originariamente inviato da @Liupen

Scrivi: 2. tutti i package dell'850 PRO che finiscono con "S5M" e "S1M" contengono all'interno il die "K9UMGB8S7A" che secondo lo spreadsheet cinese (decoder più aggiornato finora) è V2 TLC, ciò vuol dire che tutti gli 850 PRO con questo package e questo die hanno NAND flash pMLC;

Qui in realtà ho sbagliato Liupen e ti chiedo scusa, tra tutti questi S/N mi son confuso e ho fatto un mix. Quello che volevo dire è che tutti i package che per l'850 PRO finiscono con "S5M" e "S1M" - dove i primi sono contenuti in tutti gli SSD dal 128GB all'1TB e gli ultimi soltanto nel 128GB - contengono il die V2 TLC K9ADGD8S0A che è confermato anche da te essere TLC ma anche dal tuo decoder di Samsung e dal decoder dello spreadsheet cinese data la terza "A". Tra l'altro da quel che leggo mi sembra che Blogger confermi il fatto che venga usato in pMLC e la capacità venga ridotta a 86Gb:

Stranamente, il "DG" nel part number denota normalmente un die 128-Gb ma questa parte è in realtà ~86Gb visto che abbiamo dodici die flash nel nostro Solid-state drive 128-GB.

Loro non lo dicono chiaramente (penso non ci siano arrivati, sicuramente a quei tempi non si era mai sentito parlare di SSD/NAND flash pMLC) ma con un po' di logica ci si arriva.

Il package K9UMGB8S7A (usato nell'850 PRO da 2TB e trattato nella recensione di AnandTech) è senza ombra di dubbio V2 MLC e non esiste che è contenuto all'interno dei packgae "S5M" e "S1M", non esiste un package dentro un package... Quindi niente, rettifico: tutti i package dell'850 PRO che finiscono con "S5M" e "S1M" contengono all'interno il die "K9ADGD8S0A" (maledetta "A" finale ) e che è TLC.

P.S.: l'ISSCC al quale Blogger si riferisce è quello da 24L (V1) ed è sbagliato, nel senso che hanno preso l'ISSCC sbagliato per quell'articolo, anche perché sotto qualche figura parlano di 32 wordline e chiaramente si capisce che hanno cannato a prendere ISSCC. Le V1, come detto da loro, hanno una dimensione del die di 133 mm² e una densità di bit di 0,96 Gb/mm² mentre le V2 TLC hanno una dimensione del die da 87,4 mm² (e anche questo lo dicono loro con "~85 sq.mm") e una densità di bit di 0,99 Gb/mm² in pMLC e 1,4 Gb/mm² in TLC (ma 128Gb).

Originariamente inviato da @Liupen

Idem per il pacchetto K9PRGY8S5M: hai P che vuol dire MLC ODP (Octa die package)...

Sì Liupen ma son package diversi, non so se te ne sei accorto (io me ne sono accorto ora rileggendo il tuo commento). Io parlo del package K9HQGY8S5M trovato nell'850 PRO da 512GB di TweakTown e che TechInsights ha scoperchiato trovando il die V2 TLC K9ADGD8S0A, non parlo del package K9PRGY8S5M trovato da Tom's Hardware, AnandTech e TheSSDReview.

Se la produzione delle V2 TLC è iniziata ad ottobre 2014 com'è possibile che TweakTown abbia recensito un 850 PRO da 512GB il 1° settembre 2014 con all'interno package con die V2 TLC? ma soprattutto, come ha fatto TechInsights a scoprire il die V2 TLC K9ADGD8S0A contenuto all'interno del package K9HQGY8S5M il 17 settembre 2014 se l'inizio della produzione è iniziato ad ottobre?
Gombloddo.

Parlando seriamente, a 'sto punto mi sembrano due le cose: o quel die NAND flash è MLC e non TLC (e a 'sto punto il ragionamento fatto sull'articolo di Blogger non va bene così come entrambi i decoder presi in esame in questa discussione che segnano entrambi TLC con la terza "A") e anche tu ti sbagliavi nella tua analisi in formato PDF oppure la produzione e commercializzazione delle V2 TLC è iniziata prima di ottobre 2014 e Samsung ha mentito (anche se non vedo cosa potesse ottenere ai tempi Samsung nel mentire su una cosa del genere). Oppure, peggio ancora, l'850 PRO fino a 1TB contiene NAND flash V2 TLC anche per il package K9USGY8S7M (cosa che coincide con il decoder Samsung dello spreadsheet cinese) e poi quando hanno rilasciato il 2TB l'hanno fatto con le V2 MLC ma solo per quel taglio visto che usa package diversi (K9UMGB8S7A). Però questo mi farebbe pensare che Samsung ha avuto pronte fin da subito le V2 TLC (ancor prima di ottobre 2014 chiaramente) ma non le V2 MLC e per far uscire l'850 PRO gli abbia rifilato le V2 TLC facendole andare in pMLC. Poi una volta che hanno preparato perfettamente le V2 MLC le hanno fatte uscire nel 2TB.

Ti torna tutto questo ragionamento o sto sbagliando qualcosa? Per farla in breve:
L'850 PRO nei tagli da 256GB, 512GB e 1TB è stato lanciato con i package K9USGY8S7M e K9PRGY8S5M. Teoricamente questi package contengono die V2 MLC.
A settembre esce la recensione di TweakTown sull'850 PRO da 512GB. I package cambiano: da K9PRGY8S5M a K9HQGY8S5M e da K9USGY8S7M a K9PRGY8S7M. TechInsights trova che all'interno dei package K9HQGY8S5M ci sono i die K9ADGD8S0A che sono V2 TLC. Allora qui le cose cambiano e il 512GB per forza di cose è V2 pMLC, non V2 MLC, o perlomeno lo è metà visto che non sappiamo se anche i package K9PRGY8S7M contengono il die V2 TLC (secondo lo spreadsheet cinese sì però). Leggendo poi bene l'articolo di TechInsights sul die K9ADGD8S0A si scopre, però, che esso è contenuto anche nei package K9LPGY8S1M, package presenti nell'850 PRO da 128GB. L'850 PRO da 128GB, perciò, è pienamente pMLC visto che contiene sia i package K9LPGY8S1M e K9HQGY8S5M.

A 'sto punto mi pongo un quesito: visto che abbiamo appurato che il 128GB è full pMLC e che il 512GB è metà pMLC e metà MLC (faccio finta che i package K9PRGY8S7M siano V2 MLC visto che non ti fidi dello spreadsheet cinese), come la spieghiamo la presenza dei die V2 TLC a settembre 2014 (e anche prima) se Samsung ha iniziato la produzione ad ottobre?

Posta questa domanda, mi sale il dubbio che anche gli altri 850 PRO lanciati da subito (quindi luglio 2014) con i package K9USGY8S7M e K9PRGY8S5M siano pMLC con le V2 TLC e non V2 MLC. Lo spreadsheet cinese lo conferma ma sorvolo visto che appunto, come già detto, non ti fidi.

Originariamente inviato da @Liupen

Questo è il teardown della prima serie di V-Nand 32L 86 Gbit fatto da TechInsights (SEM datati luglio-agosto 2014)

come leggi si tratta del package K9HQGY8S5M

Ebbene, indovina un po QG (la densità di 341 Gbit) dove è stata catalogata?
Eh, pMLC!
Ma possibile!?!

Sì, è possibile. "L'unica 32L MLC 2-bit analizzata in ogni micron, il prototipo, la prima" che dici tu sarebbe il package K9PRGY8S5M, non il package K9HQGY8S5M. Il package K9HQGY8S5M contiene il die K9ADGD8S0A che come dici tu, io, il ragionamento fatto sull'articolo di Blogger e i due decoder di Samsung è TLC. Quindi no, questo non fa variare l'attendibilità dello spreadsheet e no, K9HQGY8S5M non è V2 MLC. Al massimo potremmo dire che sia il package K9PRGY8S5M V2 MLC ma solo perché dello spreadsheet cinese non ti fidi e perché non siamo sicuri di che die ci sia dentro, però l'articolo di Blogger è uscito ad agosto 2014 e lì c'è scritto del die V2 TLC K9ADGD8S0A trattato come un 86Gb con dimensione del die di 87,4 mm².
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EDIT: leggo sia qui che nello spreadsheet cinese che sono uscite prime le NAND flash V2 TLC in die K9ADGD8S0A e K9ADGD8U0C delle V2 MLC (uscite nel 2015) in die K9GDGD8U0A. Questo vorrebbe dire che anche gli 850 PRO da 256GB e 1TB sono full pMLC, che l'850 PRO è stato lanciato con NAND flash V2 TLC in pMLC e spiegherebbe anche il motivo per il quale soltanto l'850 PRO da 2TB (uscito nel 2015) usa le V2 MLC uscite nel 2015.

[Black (Wooden Law)]

Originariamente inviato da frafelix

In realtà praticamente tutti i supporti di memoria usano le nand, dalle usb alle schedine sd, la differenza principale è che non hanno un controller come negli ssd e le nand non sono di prima scelta di solito

Esatto, anche se un controller dovrebbero avercelo ma non sicuramente come quello degli SSD (in termini di potenza, dimensioni e quant'altro). Se non avessero un controller non ci sarebbe una comunicazione con le NAND flash quindi per forza di cose devono avercelo.

[DOC-BROWN]

ottimo.... quindi si sa nulla su queste nuove sd speed 9.1 del 2025 ?

[Nicodemo Timoteo Taddeo]

Originariamente inviato da DOC-BROWN

ottimo.... quindi si sa nulla su queste nuove sd speed 9.1 del 2025 ?

Come ti hanno cercato di far capire non sono SSD quindi qui non se ne dovrebbe parlare, è Off Topic. Detto ciò, tu cosa vorresti sapere su di loro? No perché per informazioni generali Google e gli altri motori di ricerca ti dicono di tutto e di più su di loro. Se hai domande specifiche, prego.

[Black (Wooden Law)]

Originariamente inviato da DOC-BROWN

ottimo.... quindi si sa nulla su queste nuove sd speed 9.1 del 2025 ?

Sì sa ma non sono del 2025 come dici, sono del 2023. Qui il white paper.

Nonostante siamo OT come dice Nicodemo, provo a spiegarti la situazione. Immagina SD Express come delle schede SD con un nuovo protocollo e la nuova interfaccia. Questo nuovo protocollo è l'NVMe e la nuova interfaccia è PCIe. Ci sono due principali categorie di SD Express: SD7.0 (e anche SD7.1 in realtà) e SD8.0. SD7.0 sfruttano il PCIe 3.0 x1 con performance massime di 985 MB/s mentre SD8.0 ha introdotto PCIe 3.0 x2, PCIe 4.0 x1 (che ha le stesse performance di PCIe 3.0 x2) e PCIe 4.0 x2. Con le prime due interfacce hai performance massime di 1.969 MB/s mentre con l'ultima interfaccia performance massime di 3.938 MB/s.
Le schede SD 9.1 non presentano un salto prestazionale come nelle revisioni precedenti ma ci sono delle funzionalità in più come la gestione della potenza, gestione termica (due soglie dalle quali scatta il thermal throttling) e "Access Rule for Multi-stream Recording".

Poi ci sarebbero anche le classi. Di classi ce ne sono quattro: 150, 300, 450 e 600. Ognuno indica la velocità minima di scrittura/lettura che garantisce la scheda SD. Quindi una scheda SD Express Speed Class 600, per esempio, garantisce 600 MB/s anche in caso di scritture sequenziali sostenute.

Quindi, in poche parole, SD 9.1 indica le schede SD Express che hanno come funzionalità gestione della potenza, gestione termica e Access Rule for Multi-stream Recording.

[@Liupen]

Lo sbaglio è nel non considerare che le 32L 2-bit a 86 Gbit siano state fatte e che solo dopo siano comparse le 32L 2-bit e 3-bit con Die da 128 Gbit.

Naturalmente la teoria della nand emulata esclude questa possibilità.
Tu credi che le 32L siano nate come celle a 3-bit, da 128 Gbit, corretto?

Ti basi sul quei documenti che ho linkato?
The die size is 68.9 mm² per il “A 128 Gb 3b/cell V-NAND Flash Memory” cioè la 32L 3-bit
TechInsights has completed detailed analysis of the two device types; looking from cell architecture, materials, layouts and package viewpoints.1 Here are some highlights of that analysis: ..
The 32L V-NAND die area is 84.3 mm2 while the 48L V-NAND die measures 99.8 mm2, which is a 17.3% increase due to greater die length. [confronto da 32L a 48L] The NAND memory array area increased from 48.9 mm2 to 68.7 mm2 which is 40.3% larger. Da “Samsung’s 3D V-NAND 32L vs 48L–Just Vertical Expansion?” Jeongdong Choe.
Ho trovato anche questo https://sst.semiconductor-digest.com/2016/page/30/ che forse è quello a cui ti riferisci. Uno scritto del 2016 come gli altri, quindi più di 2 anni dopo l’uscita delle prime 32L e un anno dopo l’uscita dei modelli 850 PRO 2 TB con le nuove 32L a a 2-bit e 3-bit da 128 Gbit.
In questo scritto si dice – occhio, sempre in riferimento alla seconda versione delle 32L con Die da 128 Gbit – che: Micron’s 32L 3D NAND die size (168.2 mm2) is much larger than Samsung’s 32L (84.3 mm2) and 48L (99.8 mm2) 3D V-NAND devices.

Temo che si tratti di una successiva analisi di TechInsights pubblicata nel 2016 sempre sulle 32L ma quelle 128 Gbit.

Se si và invece a prendere l’analisi indiretta di Andrew Walker che parla dell’analisi di TechInsights del 2014 – di cui affermo essere 32L die 86 Gbit - si parla di “die size = 87.4 mm²; array efficiency = 66%”
https://semiconductorexpert.blogspot...wn-patent.html
https://www.3dincites.com/2014/08/sa...res-el-dorado/
Agosto 2014

Naturalmente con tutte le pinze del mondo tra dimensione del Die e dell’array, si legge:
1 - die size is 68.9 mm²
2 - die area is 84.3 mm2, array 48,9 mm²
3 - die size Samsung’s 32L (84.3 mm2)
4 - die size = 87.4 mm²

Ora, con dati da 4 fonti, sembra che già la prima die analizzata da TechInsights avesse quella dimensione che poi si ritrova dopo e fino alle 3-bit, che, con 68.9 mm², hanno una dimensione minore per die.
Quindi si, hai ragione nel parallelo.

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Abbian detto che il Samsung 850 PRO da 2TB (recensione Anandtech) contiene die n. K9UMGB8S7A ed è sicuramente una seconda versione 128 Gbit.

Il die K9ADGD8S0A è effettivamente una NAND TLC.
TechInsights mostra che il package K9HQGY8S5M e K9LPGY8S1M estratti dagli SSD Samsung 850 Pro da 128 GB contengono entrambi il die K9ADGD8S0A a 32 layer. Nell’analisi viene specificato che si tratta di una memoria TLC appunto.
Però come detto K9LPGY8S1M e K9HQGY8S5M sono identificati come 86 Gbit.
Per strana che sia questa matrioska, se così fosse non fa una piega, sono pMLC.
K9HQGY8S5M è stato analizzato da TechInsights più di una volta, vedo. Ho richiesto il paper, mi sembra ormai l’unico modo per esserne certo.

Non riuscendo a trovare ssd aperti al di là dei semple delle recensioni, e sbattendo la testa su questo https://www.techinsights.com/products/sar-1407-802?utm hai tutte le ragioni per affermare che usino pMLC.

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Il fatto che un 2TB sia con pacchetti 128 Gbit 2-bit nativi, non è che depone poi molto bene dal punto di vista del modus operandi di Samsung: Faccio i sample con le die da 128Gbit 3-bit che ho già realizzato e poi per il taglio da 2TB ti metto le 128 Gbit 2-bit?!
E che più vedo questa https://picture.iczhiku.com/resource...dggfewpbbV.pdf e più mi viene da pensare che avevi ragione dall’inizio.

[DOC-BROWN]

Originariamente inviato da Black (Wooden Law)

Quindi, in poche parole, SD 9.1 indica le schede SD Express che hanno come funzionalità gestione della potenza, gestione termica e Access Rule for Multi-stream Recording.

grande come sempre !!!! e scusate OT ....

[Black (Wooden Law)]

Son contento che (forse, attendiamo il paper di TechInsights anche se io sono sicuro di quello che dico) abbiamo trovato un punto d'incontro Liupen.

Originariamente inviato da @Liupen

Lo sbaglio è nel non considerare che le 32L 2-bit a 86 Gbit siano state fatte e che solo dopo siano comparse le 32L 2-bit e 3-bit con Die da 128 Gbit.

Naturalmente la teoria della nand emulata esclude questa possibilità.

La esclude perché non è così infatti: le V2 MLC da 86Gb non esistono, esistono soltanto quelle da 128Gb sull'850 PRO da 2TB con die K9GDGD8U0A. Queste sono comparse dopo le TLC 128Gb, ovvero nel 2015, quindi il contrario di quello che dici in questa parte del commento.

Originariamente inviato da @Liupen

Tu credi che le 32L siano nate come celle a 3-bit, da 128 Gbit, corretto?

Esatto, io credo che le NAND flash V2 di Samsung siano nate e lanciate come TLC 128Gb ma dette MLC 86Gb (il che torna visto che 128 - 33% = 86Gb) perché in pMLC. Il fatto che la produzione delle V2 TLC sia iniziata ad ottobre 2014 non torna neanche con questo articolo di Samsung fatto anni dopo sulla propria timeline:

Aug. 2014 2nd-generation (32-layer) 128Gb 3-bit V-NAND

Potresti chiederti "ma se la produzione è iniziata ad agosto come mai le recensioni sono uscite a luglio e avevano già die TLC?" però mi sembra logico che i produttori abbiano avuto prima i sample proprio per fare le recensioni. Poi le altre testate (TechInsights, 3D InCites, ecc.) hanno potuto scoperchiare i package e studiare i die da agosto in poi, proprio quando è stato messo in vendita l'850 PRO, non a caso sia l'articolo di 3D InCites che di Blogger è di inizio e metà agosto.

Quindi è falso il fatto che la produzione delle V2 TLC sia iniziata ad ottobre 2014 perché è iniziata ad agosto 2014 e anche prima. Poi l'850 PRO è stato messo in vendita per il pubblico a settembre 2014 come dice l'articolo di Samsung linkato prima:

Sept. 2014 2nd-generation V-NAND SSD

Automaticamente questo comporta al fatto che l'850 PRO sia stato lanciato con le V2 TLC in pMLC, non con le V2 MLC.

Originariamente inviato da @Liupen

Ora, con dati da 4 fonti, sembra che già la prima die analizzata da TechInsights avesse quella dimensione che poi si ritrova dopo e fino alle 3-bit, che, con 68.9 mm², hanno una dimensione minore per die.
Quindi si, hai ragione nel parallelo.

In realtà ho scoperto nuove cose da ieri visto che nell'attesa di una tua risposta ho continuato a studiare la situazione.

Il die che ha una dimensione da 68,9 mm² (ovvero il die dell'ISSCC uscito nel 2015) non è lo stesso dell'850 PRO delle recensioni e di tutti gli articoli usciti da luglio a settembre 2014, bensì si tratta di un altro die. Questo me lo fa pensare perché in tutti gli articoli di luglio-settembre 2014 non si è mai letto di una dimensione del die da 68,9 mm² (l'articolo di comparazione V2-V3 di Jeongdong Choe è uscito nel 2016) e anche perché il die dell'ISSCC da 68,9 mm² (che è TLC 128Gb) ha un piano, non due. Si vede benissimo in quest'immagine proprio dell'ISSCC.
Se poi prendiamo il die dell'articolo di Blogger e di 3D InCites notiamo che i piani sono due, non uno, motivo per il quale la dimensione del die è più grande (ovvio, hai un piano in più...). Ma indovina che die è quello di Blogger e di 3D InCites? Il K9ADGD8S0A, quello che TechInsights ha trovato nei package dell'850 PRO e che è TLC. Quindi per forza di cose l’850 PRO non usa un die da un piano con dimensione di 68,9 mm².

Quindi che die è quello da un piano? Lo spreadsheet cinese dice il K9ADGD8U0C ed effettivamente l'immagine di TechInsights fa vedere sopra un "timbro" "2014" che ci fa intuire che la sua prima produzione sia avvenuta in quell'anno. Tuttavia, il K9ADGD8U0C non è mai esistito nell'850 PRO visto che non è mai stato fatto un articolo in bella vista da TechInsights al contrario del K9ADGD8S0A (e poi non abbiamo mai letto da nessun recensore di V2 a un piano).

Ma quindi perché Samsung ha rilasciato l'ISSCC delle V2 TLC (anche se quello delle V2 MLC non esiste) nel 2015 con quel die da un piano invece del K9ADGD8S0A da due piani che sarebbe il “vero” die contenuto dentro le NAND flash V2 dell’850 PRO?

Immagina pubblicare un ISSCC nel 2014 in cui dici "V2 TLC" ma poi dici ai recensori che l'850 PRO è MLC. Ai recensori qualcosa non torna: o le NAND flash sono TLC, o sono pMLC (concetto che prima non era conosciuto) oppure Samsung mente. Io penso che abbia fatto questo ragionamento Samsung: "quest'anno (2014) non abbiamo le V2 MLC pronte ma soltanto le V2 TLC. Sarebbe però un scandalo - soprattutto in questo periodo storico dove le TLC sono appena uscite e sono malviste rispetto alle MLC - far uscire l'850 PRO con le NAND flash TLC. Se impostiamo il controller per far memorizzare alle celle NAND flash 2 bit anziché 3 si ottengono risultati simili ad avere una NAND flash MLC nativa? Sì, allora facciamo così e diciamo a tutti quanti che sono MLC le NAND flash, tanto non se ne accorgono loro", e infatti... nessuno se n'è mai accorto.
Poi nel 2015 han fatto uscire l'ISSCC delle V2 (quindi nel 2014 non c'è mai stato un ISSCC) TLC facendo finta che fossero nuove e buttandole nell'850 EVO proprio come novità così che tutto potesse essere coerente. Infatti indovina un po' che NAND flash usa l'850 EVO (in alcune versioni visto che poi è stato aggiornate alle V3 TLC da 48L)? Proprio le V2 TLC da un piano con dimensione del die da 68,9 mm². Incredibile, no?

E l'articolo di Jeongdong Choe per EE Times dove compare le V2 TLC con le V3 TLC (48L) in cui dice che le prime hanno una dimensione del die di 84,3 mm² e una dimensione dell'array (quindi di un piano teoricamente) di 68.7 mm²? Sbaglia quell'articolo, le V2 TLC da due piani hanno una dimensione del die di 87,4 mm² mentre quelle da un piano 68,7 mm², non sono due misure appartenenti allo stesso die. Penso che Jeongdong Choe abbia buttato questi due numeri insieme giusto per dare un nesso tra l'ISSCC delle V2 TLC da un piano e le misure dei die V2 TLC da due piani prese in tutto il 2014, non perché veramente un piano misura 68,7 mm².
Uno, due, riguardo il “48,9 mm²” della dimensione dell’array anche quello è sbagliato teoricamente e lo si può provare facilmente con un ragionamento logico. Infatti, appurato che le V2 TLC da due piani abbiano un die da 87,4 mm², ogni piano misura 43,7 mm², non 48,9 mm². Se invece parlassimo del die V2 TLC da un piano con misura del die da 68,9 mm²… allora non cambierebbe nulla, con un piano rimane sempre 68,9 mm² la misura dell’array e del die.
Tornando al “48,9 mm²”, la misura del die delle V3 TLC è di 97,6 mm² con due piani. Indovina quanto fa 97,6 / 2? 48,8 mm², non 68,9 mm². Quindi quell’articolo sulle misure degli array ha fatto un casino e basta, gli array delle V2 TLC sono 43,7 mm² ciascuno mentre quelli delle V3 TLC sono 48,8 mm² ciascuno.

Quindi, in sostanza: l'850 PRO è stato lanciato con le NAND flash V2 TLC a due piani prodotte fin da subito, le NAND flash V2 TLC dell'850 PRO hanno una densità di 128Gb in TLC (86Gb in pMLC) e una dimensione del die di 87,4 mm² e Samsung le ha fatte operare in pMLC per tutti i tagli dal 128GB all'1TB. Poi nel 2015 Samsung è stata in grado di produrre e commercializzare le V2 MLC da 128Gb e metterle soltanto nell'850 PRO da 2TB (o perlomeno questo è quello che sappiamo finora, servirebbero recensioni più aggiornate sui tagli più piccoli di 2TB ma non penso che ci siano) e ha fatto anche uscire l'ISSCC sulle V2 TLC che ha rifilato nell'850 EVO per dare coerenza (guarda caso nel DB di TPU l'850 EVO è segnato con die da 69 mm² e un piano). Questo conferma il perché l'850 EVO usi quelle V2 TLC da un piano anziché quelle prima da due piani (e quindi teoricamente più performanti).

Originariamente inviato da @Liupen

Il fatto che un 2TB sia con pacchetti 128 Gbit 2-bit nativi, non è che depone poi molto bene dal punto di vista del modus operandi di Samsung: Faccio i sample con le die da 128Gbit 3-bit che ho già realizzato e poi per il taglio da 2TB ti metto le 128 Gbit 2-bit?!

Infatti questa cosa mi fa molto ridere ma penso che sia evidente il perché: le V2 MLC nel 2014 non erano pronte. Fine. Se lo fossero state le V2 TLC da due piani non sarebbero mai esistite o al massimo sarebbero esistite nell'850 EVO e quelle da un piano non sarebbe mai uscite in tutta la storia, e invece...

Originariamente inviato da @Liupen

E che più vedo questa https://picture.iczhiku.com/resource...dggfewpbbV.pdf e più mi viene da pensare che avevi ragione dall’inizio.

Sì ma fai comunque attenzione che potrebbe crear confusione l'immagine a pagina 17. Giusto che nel 2014 han fatto uscire le V2 da 128Gb ma quel die è da 3 bit, non 2 bit. Quel die è 2 bit soltanto quando fatto operare in pMLC, ma un die grezzo così è per forza di cose TLC visto che è il controller che decide se far operare le NAND flash con un bit in meno oppure no. Però vabbè, anche qui: non puoi dire che quel die è in realtà TLC, andresti a confutare tutto quello che hai detto nei due anni precedenti e ti faresti un autogol clamoroso.
In ogni caso Samsung ha fatto la furba e ci è riuscita benissimo visto che l'850 PRO ha avuto risultati straordinari (ricordi del sample che ha retto 9,1PB di scritture?), soltanto che nel tempo tra decoder di Samsung aggiornati (grazie spreadsheet cinese), incongruenze con gli articoli, ecc. è saltato fuori che l'850 PRO in realtà ha sempre avuto NAND flash TLC in pMLC anziché native.

[@Liupen]

Originariamente inviato da Black (Wooden Law)

Son contento che (forse, attendiamo il paper di TechInsights anche se io sono sicuro di quello che dico) abbiamo trovato un punto d'incontro Liupen.

La esclude perché non è così infatti: le V2 MLC da 86Gb non esistono, esistono soltanto quelle da 128Gb sull'850 PRO da 2TB con die K9GDGD8U0A. Queste sono comparse dopo le TLC 128Gb, ovvero nel 2015, quindi il contrario di quello che dici in questa parte del commento.


Ma quindi perché Samsung ha rilasciato l'ISSCC delle V2 TLC (anche se quello delle V2 MLC non esiste) nel 2015 con quel die da un piano invece del K9ADGD8S0A da due piani che sarebbe il “vero” die contenuto dentro le NAND flash V2 dell’850 PRO?

Immagina pubblicare un ISSCC nel 2014 in cui dici "V2 TLC" ma poi dici ai recensori che l'850 PRO è MLC. Ai recensori qualcosa non torna: o le NAND flash sono TLC, o sono pMLC (concetto che prima non era conosciuto) oppure Samsung mente. Io penso che abbia fatto questo ragionamento Samsung: "quest'anno (2014) non abbiamo le V2 MLC pronte ma soltanto le V2 TLC. Sarebbe però un scandalo - soprattutto in questo periodo storico dove le TLC sono appena uscite e sono malviste rispetto alle MLC - far uscire l'850 PRO con le NAND flash TLC. Se impostiamo il controller per far memorizzare alle celle NAND flash 2 bit anziché 3 si ottengono risultati simili ad avere una NAND flash MLC nativa? Sì, allora facciamo così e diciamo a tutti quanti che sono MLC le NAND flash, tanto non se ne accorgono loro", e infatti... nessuno se n'è mai accorto.
Poi nel 2015 han fatto uscire l'ISSCC delle V2 (quindi nel 2014 non c'è mai stato un ISSCC) TLC facendo finta che fossero nuove e buttandole nell'850 EVO proprio come novità così che tutto potesse essere coerente. Infatti indovina un po' che NAND flash usa l'850 EVO (in alcune versioni visto che poi è stato aggiornate alle V3 TLC da 48L)? Proprio le V2 TLC da un piano con dimensione del die da 68,9 mm². Incredibile, no?

Neanche escluso comunque che negli ssd non sample siano stati poi effettivamente usate le 86 Gbit... non ho trovato immagini di un samsung 850 PRO "normale" e su amazon ne ho trovato uno da 1TB a 500€ ...ehm, no, no...grazie.


Ma ti lancio un altra ipotesi che potrebbe essere:

23 luglio 2015 presentati ufficialmente il Samsung 850 PRO ed EVO da 2TB (V2 32 piani 2 e 3 bit)
Agosto 2015 Samsung annuncia una nuova V-Nand V3 a 48 piani

..e se le celle contenute nel 850 PRO fossero già le V3 256Gbit?

Originariamente inviato da Black (Wooden Law)

In realtà ho scoperto nuove cose da ieri visto che nell'attesa di una tua risposta ho continuato a studiare la situazione.

Il die che ha una dimensione da 68,9 mm² (ovvero il die dell'ISSCC uscito nel 2015) non è lo stesso dell'850 PRO delle recensioni e di tutti gli articoli usciti da luglio a settembre 2014, bensì si tratta di un altro die. Questo me lo fa pensare perché in tutti gli articoli di luglio-settembre 2014 non si è mai letto di una dimensione del die da 68,9 mm² (l'articolo di comparazione V2-V3 di Jeongdong Choe è uscito nel 2016) e anche perché il die dell'ISSCC da 68,9 mm² (che è TLC 128Gb) ha un piano, non due. Si vede benissimo in quest'immagine proprio dell'ISSCC.
Se poi prendiamo il die dell'articolo di Blogger e di 3D InCites notiamo che i piani sono due, non uno, motivo per il quale la dimensione del die è più grande (ovvio, hai un piano in più...). Ma indovina che die è quello di Blogger e di 3D InCites? Il K9ADGD8S0A, quello che TechInsights ha trovato nei package dell'850 PRO e che è TLC. Quindi per forza di cose l’850 PRO non usa un die da un piano con dimensione di 68,9 mm².
Quindi che die è quello da un piano? Lo spreadsheet cinese dice il K9ADGD8U0C ed effettivamente l'immagine di TechInsights fa vedere sopra un "timbro" "2014" che ci fa intuire che la sua prima produzione sia avvenuta in quell'anno. Tuttavia, il K9ADGD8U0C non è mai esistito nell'850 PRO visto che non è mai stato fatto un articolo in bella vista da TechInsights al contrario del K9ADGD8S0A (e poi non abbiamo mai letto da nessun recensore di V2 a un piano).

Ci stà, ma sai perchè?
TechInsights ha eseguito almeno 3 esami sulle V2 in tempi diversi, può essere che i rilievi della grandezza del die intero e dell'array rilevato in questi esami (che a noi sono preclusi (ho poca speranza di averli, ma ci provo).

Quello che mi chiedo, se così fosse, è perchè dei recensori è studiosi attenti, non hanno anche DOPO (non dico subito, perchè come hai detto potevano essere ignoranti della emulazione) fatto le pulci a samsung che non ha usato celle MLC native (spiegare l'emulazione avrebbe anche comportato uno sciorinamento di bravura da parte del recensore che l'avrebbe scritto).

Originariamente inviato da Black (Wooden Law)

E l'articolo di Jeongdong Choe per EE Times dove compare le V2 TLC con le V3 TLC (48L) in cui dice che le prime hanno una dimensione del die di 84,3 mm² e una dimensione dell'array (quindi di un piano teoricamente) di 68.7 mm²?

Mi sembra giusto. Per defiinizione il DIe è tutto CMOS+Array (di celle).
Quindi Die > array

Originariamente inviato da Black (Wooden Law)

Quindi, in sostanza: l'850 PRO è stato lanciato con le NAND flash V2 TLC a due piani prodotte fin da subito, le NAND flash V2 TLC dell'850 PRO hanno una densità di 128Gb in TLC (86Gb in pMLC) e una dimensione del die di 87,4 mm² e Samsung le ha fatte operare in pMLC per tutti i tagli dal 128GB all'1TB. Poi nel 2015 Samsung è stata in grado di produrre e commercializzare le V2 MLC da 128Gb e metterle soltanto nell'850 PRO da 2TB (o perlomeno questo è quello che sappiamo finora, servirebbero recensioni più aggiornate sui tagli più piccoli di 2TB ma non penso che ci siano) e ha fatto anche uscire l'ISSCC sulle V2 TLC che ha rifilato nell'850 EVO per dare coerenza (guarda caso nel DB di TPU l'850 EVO è segnato con die da 69 mm² e un piano). Questo conferma il perché l'850 EVO usi quelle V2 TLC da un piano anziché quelle prima da due piani (e quindi teoricamente più performanti).

Infatti questa cosa mi fa molto ridere ma penso che sia evidente il perché: le V2 MLC nel 2014 non erano pronte. Fine. Se lo fossero state le V2 TLC da due piani non sarebbero mai esistite o al massimo sarebbero esistite nell'850 EVO e quelle da un piano non sarebbe mai uscite in tutta la storia, e invece...

Ti ho sottolineato quello di cui sono d'accordo (anzi di più... visto il titolo dell'analisi di TechInsights.
Il resto diciamo che sono congetture perchè non si sà poi realmente cosa contengono gli ssd 850 PRO della produzione consumer.
Ma proprio perchè qualcosa sembra non quadrare. Nello specifico che hai ragione e sembra che le 2-bit dii qualsiasi tipo (V2, V3) con le V-Nand non siano MAI stare create.

Originariamente inviato da Black (Wooden Law)

Sì ma fai comunque attenzione che potrebbe crear confusione l'immagine a pagina 17. Giusto che nel 2014 han fatto uscire le V2 da 128Gb ma quel die è da 3 bit, non 2 bit. Quel die è 2 bit soltanto quando fatto operare in pMLC, ma un die grezzo così è per forza di cose TLC visto che è il controller che decide se far operare le NAND flash con un bit in meno oppure no. Però vabbè, anche qui: non puoi dire che quel die è in realtà TLC, andresti a confutare tutto quello che hai detto nei due anni precedenti e ti faresti un autogol clamoroso.

Esattamente il motivo per cui mi sono espresso così nel postprima.

E però... autogol... sono recensori e punti di riferimento, santo zio!

[Arrow0309]

Ho preso sto 4Tb WD sata poco fa sigillato sulla baia inglese 170 sterline spedito.



Vorrei trovare una foto online sul pcb ma non c'e' niente, spero sia dram (non less)

[DOC-BROWN]

Originariamente inviato da Arrow0309

Ho preso sto 4Tb WD sata poco fa sigillato sulla baia inglese 170 sterline spedito.



Vorrei trovare una foto online sul pcb ma non c'e' niente, spero sia dram (non less)

cavoli SSD ben 4TB... a quel prezzo ????


PS : su amazon a ben 245 euro !