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#1 |
www.hwupgrade.it
Iscritto dal: Jul 2001
Messaggi: 75173
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Link alla notizia: http://www.hwupgrade.it/news/cpu/glo...tri_29341.html
Lo spin-off produttivo di AMD dimostra una nuova tecnica produttiva che permette di affrontare il processo produttivo a 22nm ed inferiori Click sul link per visualizzare la notizia. |
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#2 |
Member
Iscritto dal: Dec 2008
Città: Roma
Messaggi: 279
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Ma secondo voi, è possibile che AMD salti un processo produttivo per poi arrivare prima su un altro.. quello successivo.? CIoè, ora stiamo sui 45 nm, se dovesse saltare quello a 32 nm e puntare proprio ai 22... si potrebbe fare, oppure è troppo difficile ed economicamente\concorrenzialmente improbabile?
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#3 |
Senior Member
Iscritto dal: Apr 2004
Città: Livorno
Messaggi: 6612
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No, è improbabile. GF è già avanti con i 32 nm e quando i 22 nm saranno commercializzabili i 32 avranno una resa molto migliore, per cui non è plausibile che AMD rinunci a quello step.
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#4 |
Member
Iscritto dal: Aug 2002
Messaggi: 245
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Non avrebbe molto senso. I 32nm bulk sono già avanti e programmati per inizio 2010. Ovvio poi che intanto studino e si preparino per i passi successivi. Nulla più.
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#5 | |
Senior Member
Iscritto dal: Aug 2005
Messaggi: 2052
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Quote:
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ciao |
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#6 |
Senior Member
Iscritto dal: Aug 2008
Città: Busto Arsizio (Va)
Messaggi: 4381
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Certo che questa notizia fa proprio coppia con quella sulla legge di Moore.
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#7 |
Senior Member
Iscritto dal: Jan 2009
Messaggi: 833
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Sbaglio o questa notizia collegata a quanto scritto sul processo produttivo di toshiba promette bene per l'abbattimento della barriera teorica sul processo produttivo che se non sbaglio è di 13 nm?
O non ci azzecca assolutamente nulla? |
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#8 |
Senior Member
Iscritto dal: Feb 2004
Città: Firenze è la mia vita, ma Napoli è la mia antica radice
Messaggi: 605
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Per poter mantenere la precisione di switching di un transistor HKMG, è necessario ridurre lo spessore EOT dello strato di ossido High-K. Tuttavia la riduzione dell'EOT incrementa la corrente dispersione che può contribuire ad incrementare il consumo energetico di un processore. Globalfoundries ed IBM hanno sviluppato una nuova tecnica che ha permesso di realizzare n-MOSFET con EOT di 0,55 nanometri e di un p-MOSFET con EOT di 0,7nm.
Eh? Pronto che è successo? ![]() ![]() Scusate ma è come se avessi avuto un "pacchero" elettronico ![]()
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#9 |
Senior Member
Iscritto dal: Dec 2008
Città: Torino
Messaggi: 1854
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e con quella di toshiba sui 16 nm! Noto che c'è convergenza sullo spessore degli ossidi di gate...
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#10 |
Member
Iscritto dal: Dec 2008
Città: Roma
Messaggi: 279
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ok, grazie per la info e per la delucidazione!
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There were two games. One was played in life. The other was lived in play. |
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#11 |
Member
Iscritto dal: Oct 2008
Messaggi: 98
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Figo. Ricapitolando, qual'è la data in cui i primi processori costruiti a 12nm prenderanno consapevolezza di sè stessi e decideranno che l'unico modo per evolversi sarà sterminare la razza umana? Sarà prima o dopo che Globalfoundries verrà ricapitalizzata e rinominata Cyberdyne?
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