comportamento dei semiconduttori drogati all'aumentare della temperatura

[[Excalibur]Quello_Vero]

Originariamente inviato da dario fgx

grazie anche a te Publio Varro

Grazie a te per la citazione dalla collana Cronache di Camelot di Jack White.

[cicoandcico]

volevo dire un'ultima cosa...
quando la tesina sarà pronta sarebbe bello che venisse pubblicata... io sono disponibile a mettere un articolo sul mio sito

ciao alla prossima!

[dario fgx]

cosi' mi costringete a fare un lavoro migliore di quel che avevo previsto, data la vostra collaborazione ritengo chiarire alcune cose.
L'idea di fare una tesina sull'oc mi era venuta già da tanto tempo, pensate che l'estate scorsa ero tornato a studiare la dinamica dei fluidi per parlare dei kit a liquido, quest'anno purtroppo sono subentrati una pletora di problemi che hanno compromesso oltre alla volonta di creare una tesina che fosse anche una specie di guida ai perchè e xcome dell'oc, anche il mio rendimento scolastico, ed ora mi ritrovo con l'acqua alla gola e 10 anni di prove di matematica da risolvere, ma che sarà mai!
Concordo con [Excalibur] Quello_Vero sulla funzione del forum, e ti chiedo se hai letto tutti i libri della collana, a me manca solo l'ultimo "la donna di avalon"
Grazie a tutti sapevo di poter confidare ciecamente sul vostro supporto!

[dario fgx]

Varro è dalle 6 di questa mattina che cerco di capire quelli appunti sulla tecnologia cmos che mi hai passato, ma sono piuttosto complessi, danno x scontate un sacco di cose che nn conosco e mi ci vorrebbero settimane x studiarli e capirli!

[[Excalibur]Quello_Vero]

Puoi sempre fare un discorso qualitativo e non quantitativo, nessuno pretendera' che ti addentri profondamente nella teoria.

OT: Certo, li ho letti tutti... ed e' la migliore collana che abbia mai letto, dopo il "Ciclo della Fondazione" di Asimov, che e' inarrivabile.

[IcEMaN666]

RAGà sta discussione sta diventando un pozzo di informazioni
mi spiegate il concetto di "capacità parassita"?

[cicoandcico]

Originariamente inviato da IcEMaN666

RAGà sta discussione sta diventando un pozzo di informazioni
mi spiegate il concetto di "capacità parassita"?

se leggi indietro lo trovi... è una capacità non voluta che si crea nei fet, di cui un elettrodo è il gate.

[IcEMaN666]

Originariamente inviato da dario fgx

allora raga seguitemi in questo ragionamento, banalizziamo il circuito e cerchiamo di capire come la tensione maggiore riduca la capacità parassita:
dati:
∆V=tensione applicata
∆Vr=tensione ai capi della resistenza(supponiamo quella del conduttore stesso)=RI
∆Vc=tensione ai capi della capacità parassita.
I=Io*e^-(t\RC)
Ripeto so che sto banalizzando ma devo linearizzare la stuazione
applichiamo kirchhoff
∆V-RI-∆Vc=0 =>
∆Vc=∆V-RIo*e^-(t\RC) =>
∆Vc=∆v-R*(∆V\R)*e-(t\RC) => ...accelero...
(∆Vc\∆V)= 1-e^-(t\RC) =>
(∆Vc-∆V\∆V)= -e^-(t\RC)
passando al logaritmo :
-1ln(∆V-∆Vc\∆V)*RC=t =>
x le proprietà del logaritmo posso scrivere (controllatemi i passaggi plz)
ln(∆V-∆Vc\∆V)^-1*RC=t
C=t\ln(∆V\∆V-∆Vc)R
nella parentesi il nemeratore è sempre > del denominatore
se cresce ∆V C si riduce .
Mi sembra che quadri

ciao, mi potresti chiarire questo passaggio?
in pratica ho capito dove sei arrivato, ma non riesco a focalizzare in modo schematico il circuito "fittizzio" che hai usato per applicare il secondo principio di kirchoff...come si può disegnare?
se puoi illuminarmite ne sono molto grato!

[dario fgx]

Originariamente inviato da IcEMaN666

ciao, mi potresti chiarire questo passaggio?
in pratica ho capito dove sei arrivato, ma non riesco a focalizzare in modo schematico il circuito "fittizzio" che hai usato per applicare il secondo principio di kirchoff...come si può disegnare?
se puoi illuminarmite ne sono molto grato!

tralascia l'ultimissimo passaggio, piuttosto isola RC
un attimo...ecco:
"in effetti
risulta anche:
[t\ln(∆V\∆V-∆Vc)]=RC
se cresce ∆V la costante di tempo si riduce"
e
"
Perfetto! Quindi se i fronti di salita a di discesa reali sono simili alla curva di carica\scarica, se la rapidità del processo è tale (anche ad elevate frequenze) da consentire una sufficiente discriminazione tra gli stati (0 ed 1) il sistema non incorre in errori; per ridurre la costante RC (come si nota dall'eqz. che ho scritto sopra) è necessario un incremento di tensione, la rapidità della carica e scarica della capacità parassita (descritta dall'andamento dei fronti di salita e di discesa dell'onda quadra) è tale da consentire al sistema di operare a frequenze più elevate.
Sto chiarendomi i concetti a parole mie, lasciatemi fare...
Tutto questo sempre perchè il mos si comporta da condensatore
Ora un'altra domanda non è che esiste anche qualche equazione che relazioni questa capacità parassita alla frequenza
"
Si il circuito è piuttosto semplice una generatore, un condensatore ad armature piane e parallele e un aresistenza tutto in serie,
nell'ordine generatore \resistenza\capacità
una volta risolti tutti i passaggi puoi ricavare qualsiasi parametro.
p.s.:dove fai il tecnologico?

[dario fgx]

non rispondere a molfetta!

[IcEMaN666]

ecco perchè non mi tornava il disegno mentale
tu dici generatore condensatore resistenza capacità parassita tutto in serie...ma la capacità parassita non è in parallelo? così ho letto inquesto forum...quindi quell'equazione non è valida così cme è scritta o sbaglio?

faccio il tecnologico a Nettuno, RM.

[dario fgx]

non ricordo chi ha detto "immaginati l'equivalente in parallelo", ma poi scusa con cosa dovrebbe essere in parallelo? con la resistenza? ma allora perchè cicoandcico ha parlato dell'equazione di carica\scarica?
no puoi dire che è una semplificazione eccessiva ma matematicamente i calcoli tornano ed i passaggi sono tutti corretti.

[IcEMaN666]

Originariamente inviato da dario fgx

non ricordo chi ha detto "immaginati l'equivalente in parallelo", ma poi scusa con cosa dovrebbe essere in parallelo? con la resistenza? ma allora perchè cicoandcico ha parlato dell'equazione di carica\scarica?
no puoi dire che è una semplificazione eccessiva ma matematicamente i calcoli tornano ed i passaggi sono tutti corretti.

http://www.uninettuno.it/poloroma/In...ronici_1_1.PDF

pag 36...qualcuno hadetto qui "va immaginata in parallelo"...anche qui a pag 36 c'è lo schema ed è in parallelo con una resistenza...visto e considerato ciò vale ancora l'equazione derivante dal principio d kirchoff come l'hai scritta tu? se potete rispondete anche voi esperti

[dario fgx]

Ascolta, se prendi il tuo libro di fisica e cerchi l'eqz di carica\scarica del condensatore allora trovi il circuito come l'ho detto io, è ovvio che la mia è sola una approssimazione di cio' che in realtà avviene in un transistore e quell'equazione mi fornisce solo una basa matematica di supporto a quello che abbiamo cercato di spiegare.
Non so se hai studiato elettronica ma quel pdf x me risulta piuttosto complicato.

[IcEMaN666]

Originariamente inviato da dario fgx

Ascolta, se prendi il tuo libro di fisica e cerchi l'eqz di carica\scarica del condensatore allora trovi il circuito come l'ho detto io, è ovvio che la mia è sola una approssimazione di cio' che in realtà avviene in un transistore e quell'equazione mi fornisce solo una basa matematica di supporto a quello che abbiamo cercato di spiegare.
Non so se hai studiato elettronica ma quel pdf x me risulta piuttosto complicato.

no io non ho studiato niente di elettronica ho visto solo quel grafico cercando "capacità parassita" tutto qua.
se tu mi dici che è così mi fido, sul mio libro di fisica la carica/scarica di un condensatore è solo un approfondimento di tipo qualitativo, c'è il grafico ma non c'è l'equazione...tutto il resto c'è ma l'eqauzione di carica/scarica no.
grazie mille per l'aiuto

[IcEMaN666]

ah se c'hai un minuto di tempo mi fai una foto/scannerizzata della pagina con il circuito e l'equazione del condensatore? grz cmq

[dario fgx]

a sfazione...ma devi darmi la tua mail nn me lo carica tutto

[dario fgx]

allora raga un'altra domanda ma la capacità parassita si genera tra il gate che è una armatura , in mezzo c'è il biossido di silicio e l'altra armatura qual'è?

[dario fgx]

il canale del silicio che si trova al di sotto?

[[Excalibur]Quello_Vero]

Quando avevo detto che l'approssimazione di riunire tutti i parametri in un solo condensatore era necessaria per semplicita' di trattazione era per questa ragione: vedi immagine.