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Recensione Samsung Galaxy Z Fold7: un grande salto generazionale
Recensione Samsung Galaxy Z Fold7: un grande salto generazionale
Abbiamo provato per molti giorni il nuovo Z Fold7 di Samsung, un prodotto davvero interessante e costruito nei minimi dettagli. Rispetto al predecessore, cambiano parecchie cose, facendo un salto generazionale importante. Sarà lui il pieghevole di riferimento? Ecco la nostra recensione completa.
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Bungie riesce a costruire una delle campagne più coinvolgenti della serie e introduce cambiamenti profondi al sistema di gioco, tra nuove stat e tier dell’equipaggiamento. Ma con risorse limitate e scelte discutibili, il vero salto evolutivo resta solo un’occasione mancata
Ryzen Threadripper 9980X e 9970X alla prova: AMD Zen 5 al massimo livello
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AMD ha aggiornato l'offerta di CPU HEDT con i Ryzen Threadripper 9000 basati su architettura Zen 5. In questo articolo vediamo come si comportano i modelli con 64 e 32 core 9980X e 9970X. Venduti allo stesso prezzo dei predecessori e compatibili con il medesimo socket, le nuove proposte si candidano a essere ottimi compagni per chi è in cerca di potenza dei calcolo e tante linee PCI Express per workstation grafiche e destinate all'AI.
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Old 03-12-2010, 09:12   #1
Redazione di Hardware Upg
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Messaggi: 75173
Link alla notizia: http://www.businessmagazine.it/news/...tri_34650.html

Micron annuncia la nuova serie di memorie flash ClearNAND, sviluppate con processo produttivo a 25 nanometri

Click sul link per visualizzare la notizia.
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Old 03-12-2010, 09:56   #2
tossy
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Parlando di integrazione, mi chiedo come mai invece di ridurre le machere al limite della tecnologia, non facciano strutture a "wafer", con più strati di matrici di memorie.

A differenza delle CPU e GPU, in questo caso non dovrebbero esserci particolari problemi di dissipazione.
Crescere in altezza (si parla di micron) non dovrebbe essere un problema, già i processi produttivi prevedono decine di strati interconnessi per realizzare il circuito finale.
__________________
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Old 03-12-2010, 13:13   #3
marchigiano
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Città: IV Reich
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se già a 25nm iniziano le difficoltà mi sa che i dischi normali li terremo ancora per tanti anni...
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Old 03-12-2010, 13:49   #4
coschizza
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Originariamente inviato da marchigiano Guarda i messaggi
se già a 25nm iniziano le difficoltà mi sa che i dischi normali li terremo ancora per tanti anni...
non preoccuparti il problema non è iniziato ai 25nm ma è sempre essitito solo che litigrafia dopo litografia bisogna riaffrontarlo per ritrovare la soluzione migliore per la nuova tecnologia.
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Old 05-12-2010, 17:14   #5
arunax
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Iscritto dal: Feb 2009
Messaggi: 51
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Originariamente inviato da tossy Guarda i messaggi
Parlando di integrazione, mi chiedo come mai invece di ridurre le machere al limite della tecnologia, non facciano strutture a "wafer", con più strati di matrici di memorie.

A differenza delle CPU e GPU, in questo caso non dovrebbero esserci particolari problemi di dissipazione.
Crescere in altezza (si parla di micron) non dovrebbe essere un problema, già i processi produttivi prevedono decine di strati interconnessi per realizzare il circuito finale.
Non credo che il problema stia nella dissipazione, bensì nella difficoltà di interconnettere con l'esterno in modo efficiente le celle di memoria in una struttura non planare. Inoltre, l'integrazione verticale è ancora agli albori e ci sono diversi problemi nei processi: ad esempio per la tesi di laurea che sto scrivendo ho lavorato alla parte digitale di un ASIC (un sensore per particelle cariche per esperimenti negli acceleratori di particelle) che farà appunto uso di tecnologie di integrazione verticale; ma mi raccontava il mio correlatore che con il chip precedente, sottomesso più di un anno fa, stanno avendo un sacco di problemi con le maschere, perché il processo con integrazione verticale deve ancora essere raffinato!

Tornando in topic, a quanto ne so io questo è uno dei più attivi campi di ricerca nell'ambito delle memorie, l'idea effettivamente è molto accattivante e sicuramente prima o poi verrà messa in pratica anche commercialmente...
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