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www.hwupgrade.it
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Link alla notizia: https://www.hwupgrade.it/news/storag...lo_147250.html
Un team di ricercato ha sviluppato un nuovo tipo di memoria ferroelettrica basata su FeMFET in biossido di afnio, integrata in chip sotto i 3 nm. La tecnologia permette calcoli direttamente in memoria, riducendo drasticamente latenza e consumo Click sul link per visualizzare la notizia. |
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