Memory guide, part 2
3DRage ha pubblicato la seconda parte dell'articolo riguardante le memorie, trattando in questa edizione le latenze dei chip di memoria e i vari tipi di Dram disponibili; lo trovate a questo indirizzo
SDRAM is usually rated by its CAS latency, the RAS to CAS latency, and RAS Precharge time, respectively. The differences between these designations and the designations for asynchronous DRAM are apparent, as standard DRAM utilizes a designation that describes the access time of the first word, as well as the subsequent three words(10-1-1-1 would be 10 clock cycles for the first word and 1 clock cyle for the sequential words). SDRAM would typically be rated at 5-1-1-1 using the read cycle designation type, and the fastest EDO DRAM would be rated at 5-2-2-2. Let's get back to the designations typical of SDRAM(2-2-2). This is basically a recap of what we said above, but these ratings can change depending on the current bus speed because of the tCAC factorm, which determines the CAS latency
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